R1是栅极驱动电阻,C1是加速电容,D1是栅极泄放加速二极管,三个元件配合的作用是加速驱动和泄放,使得MOS或者IGBT驱动上升沿和下降沿更陡峭,减少MOS工作在线性区间的时间,减少电路损耗,减少发热量。
R2是栅极接地电阻,使得栅极电位下拉,保持低电平,防止驱动电路开路后栅极受干扰意外导通。
串联的RC是吸收回路,能够吸收高于本电路驱动频率的一部分高频杂波。
D2是栅极保护钳位,一般用稳压二极管或者瞬态抑制二极管,多数取稳压值18V左右,防止驱动电压过高击穿MOS栅极。
加速电容的取值,MOS使用数量不同,结电容不同,没有一个定量的,需要示波器配合测试确定。
栅极下拉电阻最好是每个管单独一个,不建议多管栅极并联后一个电阻下拉。