深圳聚能芯半导体专业中低压MOS管，经验丰富，实力雄厚，技术支持。是您值得信赖合作的实力中低压MOS场效应管供应商。
我们的优势：厂家直销，价格优势，货源充足，品质保证。
型号:SL4411 ,丝印：AO4411，参数：30V-9A，类型：P沟道场效应管，内阻24mR，超低结电容， 封装：SOP8，低开启电压，超低结电容，低内阻，温升低，转换效率高，过电流大，抗冲击能力强。
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供应中低压MOS管，供应替代AO系列MOS管。【场效应管的作用】
1、场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。
2、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。
3、场效应管可以用作可变电阻。
4、场效应管可以方便地用作恒流源。
5、场效应管可以用作电子开关。
SL8822 20V7A 17毫欧 TSSOP-8封装 优势替代AO8822
SL4407 -30A-13A 11毫欧 SOP-8封装 优势替代AO4407
SL4411 -30V-9A 24毫欧 SOP-8封装 优势替代AO4411
SL4435 -30V-10A 15毫欧SOP-8封装 优势 替代AO4435
SL407 -60V-15A TO-252封装 P沟道 优势替代AOD407
SL409 -60V26A TO-252封装 P沟道 优势替代AOD409
SL4294 100V12A SOP8封装 N沟道 优势替代AO4294
SL4480 40V12.5A SOP8封装 N沟道 优势替代AO4480
SL4184 40V60A 9毫欧 TO-252封装 优势替代AO4184
SL444 60V12A 34毫欧 TO-252封装 优势替代AOD444
SL4264 60V10A SOP-8封装 N沟道 优势替代AO4264
SL7400 30V2.5A 60毫欧 SC-70封装 N沟道 优势替代AO7400
SL7410 30V23A 21毫欧 DFN3x3A-8_EP封装 N沟道 优势替代AO7410
SL7544 30V54A 5.5毫欧 DFN3x3D-8_EP封装 N沟道 优势替代AO7544
SL4459 -30V-6.5A 75毫欧 SOP-8封装 优势替代 AO4459
SL4813 -30V-9A 28毫欧 双管SOP-8封装 优势替代AO4813
SL4425 -40V-17A 10毫欧 SOP-8封装 优势替代AO4425
SL4485 -40V-11A 16毫欧 SOP-8封装 优势替代AO4485
SL4421 -60V-7A 40毫欧 SOP-8封装 优势替代 AO4421
SL4441 -60V-5A 68毫欧 SOP-8封装 优势替代AO4441
Systems.
