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30M-50M辐射不过

在测试辐射的时候30M-50M出现了问题。一般这个频段和MOS有关系，先RCD：D用1N4007   VCC的D用也是1N4007，变压器内部是两个屏蔽，MOS S套磁珠 ，不过，然后再这个基础上MOS用RC吸收，22R 和102电容，测试可以过，但是这样MOS的温度很高，100多了。RC吸收的电阻的温度有120°多了，帮忙看看还有没有什么好的办法了，以前做LED电源温度高点可以灌胶水，现在这个是裸板的。

1#--RCD 1N4007  VCC 1N4007 MOS s套磁环 变压器内两个拼屏蔽（下图1#）

在1#的基础上 MOS用RC新手 102和22R

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TerryX
LV.1
2
2020-06-02 23:40
mos边上加snubber电路来消尖波是会有效，但是电阻消耗功率太大，散热是个大问题。你可以试试在上端加一颗参数合适的稳压管，可能对消尖波有点帮助。
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朝阳之星
LV.4
3
2020-06-03 08:47
@TerryX
mos边上加snubber电路来消尖波是会有效，但是电阻消耗功率太大，散热是个大问题。你可以试试在上端加一颗参数合适的稳压管，可能对消尖波有点帮助。[图片]

可以把Y电容的初级 取电的点改一下看看 直接取电大电容的正极 或者负极

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朝阳之星
LV.4
4
2020-06-03 08:50
@朝阳之星
可以把Y电容的初级取电的点改一下看看直接取电大电容的正极或者负极
另外MOS驱动要加一个电阻 并联一个4148
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sun/RicMar
LV.3
5
2020-06-03 09:10
@朝阳之星
另外MOS驱动要加一个电阻并联一个4148[图片]

是这样的吗？这样接法和以前只接一个电阻，是不是让导通速度变慢了，加快的关闭速度，这样效率有没有变化？效率一变化，mos的温度肯定会高。我明天去实验室可以试试

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朝阳之星
LV.4
6
2020-06-03 09:16
@sun/RicMar
是这样的吗？这样接法和以前只接一个电阻，是不是让导通速度变慢了，加快的关闭速度，这样效率有没有变化？效率一变化，mos的温度肯定会高。我明天去实验室可以试试[图片]
你试试吧 应该有效果 两个串起来的驱动电阻不变的情况下 驱动能力也不会改变
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sun/RicMar
LV.3
7
2020-06-03 21:23
大家有什么好的建议的可以发出来看看。集思广益。
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TerryX
LV.1
8
2020-06-03 23:49
@sun/RicMar
大家有什么好的建议的可以发出来看看。集思广益。
变压器换好点的，漏感小点的试试，或者有能力可以自己换几种绕法比较下。
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tooke
LV.1
9
2020-06-04 13:57
吸收二极管选型不对，不要用传统的D，换个型号试下，
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power雨点
LV.4
10
2020-06-04 16:52
@tooke
吸收二极管选型不对，不要用传统的D，换个型号试下，

整个布局就没有布好，散热片离输入AC交流电感那么近，从AC端跑出去了。

RCD再串个电阻，对辐射有好处

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batteryli
LV.4
11
2020-06-04 17:40
输出是不能添加小共模电感的吗，加一个9*5*3的30UH或300UH环形共模电感，比什么都好用，直接降10DB；
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sun/RicMar
LV.3
12
2020-06-05 09:01
@batteryli
输出是不能添加小共模电感的吗，加一个9*5*3的30UH或300UH环形共模电感，比什么都好用，直接降10DB；
输出加了共模了，一点变化都没有。
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sun/RicMar
LV.3
13
2020-06-05 09:14
@power雨点
整个布局就没有布好，散热片离输入AC交流电感那么近，从AC端跑出去了。RCD再串个电阻，对辐射有好处
AC交流差摸电感没有用，用的跳线替代的。
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sun/RicMar
LV.3
14
2020-06-05 09:59
@tooke
吸收二极管选型不对，不要用传统的D，换个型号试下，
RCD的D一般是FR ，这种30-50M只能尽量用IN的慢管了。
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小伍电源学
LV.1
15
2020-06-06 09:29
@sun/RicMar
输出加了共模了，一点变化都没有。
直接尝试变压器方案，还有MOS这块30-50M改其他的效果有但是不大，没什么意义，而且你的原边吸收二极管用1n的？
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xym38517975
LV.1
16
2020-06-06 11:07
在变压器上面也放一个Y电容
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sun/RicMar
LV.3
17
2020-06-06 15:40
@小伍电源学
直接尝试变压器方案，还有MOS这块30-50M改其他的效果有但是不大，没什么意义，而且你的原边吸收二极管用1n的？
RCD吸收用的1N，已经很慢了。
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batteryli
LV.4
18
2020-06-06 16:03
@sun/RicMar
输出加了共模了，一点变化都没有。
输出加小共模，可能效果不是很好，但如果一点作用都没有，就奇怪了；使用镍锌材质9*5*3的小磁环，用0.5mm的线并绕8TS，电感量10~40uh之间，如果用锰锌材质的，电感量会有300UH，对付辐射30M没有镍锌的好；
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batteryli
LV.4
19
2020-06-06 16:11
在VCC整流二极管上并个100PF电容，对辐射中段有用，但起始阶段不知能不能压下去；看你PCB，另一路输出没有Y接地，加个Y上去看下；Y电容可以连接到原边大电解的正极和输出的正极，Y电容的连接方式多种多样，对辐射影响巨大，我一般画板时预留两个Y电容的四种连接方式，整改辐射飞快；
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edie87@163.com
20
2020-06-08 11:43
变压器次级及VDD绕级反绕一下，
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sun/RicMar
LV.3
21
2020-06-10 12:01
@edie87@163.com
变压器次级及VDD绕级反绕一下，
次级和辅助，同名端反方向，绕线顺序也反？
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sun/RicMar
LV.3
22
2020-06-10 12:02
@batteryli
输出加小共模，可能效果不是很好，但如果一点作用都没有，就奇怪了；使用镍锌材质9*5*3的小磁环，用0.5mm的线并绕8TS，电感量10~40uh之间，如果用锰锌材质的，电感量会有300UH，对付辐射30M没有镍锌的好；
几乎没有效果，比如下来1个db，那就没有什么效果。
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sun/RicMar
LV.3
23
2020-06-10 12:18
@朝阳之星
可以把Y电容的初级取电的点改一下看看直接取电大电容的正极或者负极
这个方法已经试过了，没有很明显的效果
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miky1188
LV.6
24
2020-06-10 19:04
线路走得很风骚，但是不符合最基本的走线约束，重新布局画板估计就能过了。建议多学习前辈的总结经验。
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terrylius
LV.1
25
2020-06-11 12:37

1》建议将Y放到那个日期位置去，可以从反面焊接上去试试

2》驱动那加个二极管

3》MOS那的RC改了后温度过高 那将参数调到可接受的温度。

4》从PCB上看次级的两路输出好像不共地 ，将另一路也加一个Y看看

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sun/RicMar
LV.3
26
2020-06-12 08:23
@terrylius
1》建议将Y放到那个日期位置去，可以从反面焊接上去试试2》驱动那加个二极管3》MOS那的RC改了后温度过高那将参数调到可接受的温度。4》从PCB上看次级的两路输出好像不共地，将另一路也加一个Y看看

1)2)上次去测试的时候已经尝试过，没有明显效果。

3）现在是22R 和471，温度基本合格

4）次级共地辐射稍微好点，下来1.几db，传导一点没有改善

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sun/RicMar
LV.3
27
2020-06-12 12:20
@sun/RicMar
1)2)上次去测试的时候已经尝试过，没有明显效果。3）现在是22R和471，温度基本合格4）次级共地辐射稍微好点，下来1.几db，传导一点没有改善

MOS的RC用22R 和471，X电容用0.33 和 0.1（原来用的是0.22和0.1）

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pzacxl
LV.1
28
2020-06-13 15:52
@sun/RicMar
[图片][图片]MOS的RC用22R和471，X电容用0.33和0.1（原来用的是0.22和0.1）
看这貌似打AI的，做这功率的一般不会有太大的单，如果底层没要求的话建议小电阻改贴片，前面的走线把R30那条线改单点接地试试，前面的差模L1跟散热片靠太近了，建议去掉L1/L2，这也只能重新改版本试试
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chenxiangyu1990
LV.8
29
2020-06-14 21:33
@TerryX
mos边上加snubber电路来消尖波是会有效，但是电阻消耗功率太大，散热是个大问题。你可以试试在上端加一颗参数合适的稳压管，可能对消尖波有点帮助。[图片]
加吸收电路，可以了吗？
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sun/RicMar
LV.3
30
2020-06-16 08:36
@pzacxl
[图片]看这貌似打AI的，做这功率的一般不会有太大的单，如果底层没要求的话建议小电阻改贴片，前面的走线把R30那条线改单点接地试试，前面的差模L1跟散热片靠太近了，建议去掉L1/L2，这也只能重新改版本试试
最下边这个地线（从大电容地到散热片到IC到变压器）不能这样兜圈，我第一版本的时候就是这么走的，带载都不正常。
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