针对无Y电源布线，我发展了一种我称之为“天才之环”（我命名的，纪念我天才灵感发挥的瞬间）的技术。它其实是“双Y三闭环”的潜力发挥到最大的一种必然结果。
这两种技术的结合完美地实现了我的理想开关电源的EMC特性----无任何辐射。它就像黑洞不辐射任何东西。用3M法暗室，你只能扫到背景噪声（余量20DBuV/m以上）。
EMC的辐射就像迷宫。而我可能是世界上，第一个玩通关的。
EMC的辐射就像迷宫。而我可能是世界上，第一个玩通关的。
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大神“双Y三闭环”和“天才之环”说明(20200609)
一、“双Y三闭环”
所谓的“双Y三闭环”的内容其实很简单。就是我们一般的Y1是跨接初级大电容的地和次级大电容的地，增加一个Y2跨接初级大电容正极和次级大电容正级。这就形成了典型的“双Y三闭环”。如下图所示：
(此图有些错误，只当参考)
三闭环指的是：输入到初级大电容为第一个环。初级大电容和次级大电容，再加上两个Y，组成第二个环。第三个环就是次级大电容和负载组成的。
“双Y三闭环”的优点：
前提：Y的放置的位置是有讲究的。
一、从抑制EMI干扰能力上比较，双Y的抑制干扰大大于单Y。只能用无与伦比来形容。
二、由于抑制EMI能力无与伦比，所以双Y的Y的总容量是可以大大减少的。两个470PF的双Y的抑制能力大于单个2200PF的Y。这个特点：可以让电源体积可以做得更小，安全性做得更高。
三、其实“双Y三闭环”是针对四层板的优点所进行的改进。让单层板有跟四层板差不多的EMI抑制能力。
公开这技术的目的：独乐乐，不如众乐乐。用它来致敬一下我的偶像：尼古拉，特斯拉（Nikola Tesla）。没有他，现在连用交流电，都还得交专利费。
根据以上分析。其实上，就可以推论得到四Y三闭环电路。这种电路无论你布板布得多烂，辐射基本都可以过。其实可以推广至无限个Y的三闭环电路。
从这个电路上看，就知道双Y是它的简化版。单Y就是最简化版了。（根据从GB4943.1-2011版里第44页，关于测量Y电容限流值的方法。）在每个Y中，串联一个2K欧的无感电阻器。然后读出每个电阻器上的峰值电压值。按从大到小排列。
单Y时，就取最大值的那个Y。（简化成单Y电路了）
双Y时，就取最大的两个值的Y电容。（简化成双Y三闭环电路了）
补充：双Y，其实还有大小Y的情况没研究。有空再研究吧。
二、“天才之环”
认真观察“双Y三闭环”的EMC简图。其实我们很容易得到布局布线的经验：布局最重要的就是PCB的最外环要布成交流地（而且最好形成闭环）。也就是交流电位要为零。试问最外环都是交流地了，信号还能辐射出来？整个PCB相对外面来说就是地。那么它就不会辐射信号出来了。
这个是EMC布线的一个重要的原则。以这个思想为指导，就很容易得到“天才之环”了。
理想的开关电源的EMC状态是怎样的呢？它无任何辐射。你只能扫到背景噪声。做得跟线性电源一样。而有全金属封闭的外壳的（金属壁里还得有贴吸波材料），比较容易做到。就像那EMI滤波器带全封闭金属外壳的一样。只不过PCB板换成了电源板了。这种容易做到。而无金属封闭外壳的，它就难以做到了。而我在双Y三闭环的思想衍生下，我发现了“围污”技术。就是用地（交流地）把污染源围起来。这个技术连无Y都可以用。
围污是第一环，而双Y三闭环是第二环围污。它可以做到那种理想的开关电源的EMC状态——无任何辐射。就跟线性电源一样。
“围污”技术的关键点是：1、要找对污染源。（基础：要经过黄敏超博士的电磁兼容理论设计与整改实践的培训）2、围起的地（交流地）导体要尽量靠近污染源。（有安全距离的要求）因为通常污染源都是高电压，大电流的铜萡。比如（最简单的反激来说）MOS管的D极，还有输出管的正极（整流管放置在高压）。
试问最外环都是交流地了，信号还能辐射出来？整个PCB相对外面来说就是地。那么它就不会辐射信号出来了。其实双Y三闭环和“围污”技术，都是基于这个思想的。
任何为了降低EMC的辐射而围成的交流通路环都称为“天才之环”。它的另一个名字叫做“围污环”。就是把污染源围起来，防止它辐射出来。它实际上是一种增加有利于抑制EMI干扰的分布电容的方法。效果等同于用电容接地滤波。
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