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flyback 同步整流mos消耗功率計算

各位先進

大家早上好  我有兩個ˊ疑問 煩請大家幫忙一下

1. flyback 同步整流mos  可以用Vds 跟Ids 示波器去看 然後去相乘 (導通損跟交換算 分開計算) 若不能要如何去計算 因為不知道  Rds Qg 是多少 (規格書跟實際的管子是有落差的)

2.若量到MOS表面溫度  跟MOS的消耗功率 若量到 溫度100  功率為0.2  熱阻就是 (150-100)/(0.2)  那如果他散熱不佳 是不是就會在規格書範圍外 甚至比Type值還要小

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yuyuyu5
LV.8
2
2020-06-02 10:19
根散热有影响
0
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2020-06-02 11:54
示波器读出Vds与Ids数值相乘,是稳态导通一个开关周期的损坏,再乘以工作频率就是功率,但是没有计算开通和关断过程的损坏,这个比较难计算,可以把Vds和Ids线性化,在计算会容易,热阻是温升除以功率,100℃减环境温度就是温升,规格书中给出的热阻是有测试调件的,与你的肯定不一样
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TerryX
LV.1
4
2020-06-02 12:31
这个不是很好计算,理论和实际还是有区别的,需要结合实测决定的,开关MOS 主要是开关损耗和导通损耗,减小开关损耗就需要加快开关速度,减小导通损耗就需要选择Rds ON 低的零件,但是同时也需要考虑尖峰电压,需要注意开关速度加快一般会伴随Vds尖峰电压的上升,还有你自己谈到的产生Qg 的寄生参数,都需要实测决定。
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