U6615S+U9918+U7618 适配器充电器PD 18W 快充方案IC

手机，人们日常生活中的最佳伴侣之一。从功能机时代到如今的智能机帝国，始终有一条是亘古不变的硬性要求——续航。手机在受体积限制及自身设计美感需求导致高频率使用手机的人来说，电池不够用，充电过慢是一大硬伤。即便大家都保持着一天一充的习惯，但还是会出现突如其来的关机。为了避免因此情况而产生不必要的麻烦，快充这一功能首当其冲的被各大手机厂商纷纷列入标配。为了迎合这一标配，现诚芯微推出18W PD快速充电器方案，充电功率可达18W，27W， 36W等多种功率。输出电压5V，9V，12V。

诚芯微推出AC-DC（CX7509+CX7538+CX2916C）18W PD 单C口快充全协议方案，完全满足您对快速充电产品的需求！

（CX7509+CX7538+CX2916AC) 18W PD A+C口快充协议方案

（CX7527+CX7439+HUB339+3419) 27W PD快充协议方案

CX7509方案介绍：

CX7509是一颗电流模式 PWM 控制芯片，内置 650V 高压功率 MOSFET，应用于功率在 18W 以内的方案。在 PWM 模式下工作于固定开关频率，这个频率是由内部精确设定。在空载或者轻载时，工作频率由 IC 内部调整。芯片可以工作在绿色模式，以此来减小轻载时的损耗，提高整机的工作效率。

在启动和工作时只需要很小的电流，可以在启动电路中使用一个很大的电阻，以此来进一步减小待机时的功耗。芯片内置有斜坡补偿电路，当电路工作于大占空比时，避免次谐波振荡的发生，改善系统的稳定性。内置有前沿消隐时（Leading-edge blanking time），消除缓冲网络中的二极管反向恢复电流对电路的影响。采用了抖频技术，能够有效改善系统的 EMI 性能。系统的跳频频率设置在音频(22KHz)以上，在工作时可以避免系统产生噪音。

内置多种保护，包括逐周期限流保护（OCP），过载保护（OLP），过压保护（VDD OVP），VDD 过压箝位，欠压保护（UVLO），过温保护（OTP）等通过内部的图腾柱驱动结构可以更好的改善系统的 EMI 特性和开关的软启动控制。

二、特点

 全电压范围（90Vac-265Vac）输入时待机功耗小于 100mW

 内置 650V 高压功率管

 4ms 软启动用来减少 MOSFET 上 Vds 的应力

 抖频功能，改善 EMI 性能

 跳频模式，改善轻载效率，减小待机功耗

 无噪声工作

 固定 65KHz 开关频率

 内置同步斜坡补偿

 低启动电流，低工作电流

 内置前沿消隐(LEB)功能

 过载保护（OLP），逐周期限流保护（OCP）

 VDD 过压保护（VDD OVP），欠压保护（UVLO），VDD 电压箝位

 过温保护（OTP）

 SOP8 无铅封装欢迎索样：刘云 186 03037844

CX7538同步整流IC 功能介绍：

CX7538 是一颗高性能的开关电源次级侧同步整流控制电路。在低压大电流开关电源应用中，轻松满足 6 级能效，是理想的超低导通压降整流器件的解决方案。芯片可支持高达 150kHz 的开关频率应用，并且支持 CCM / QR / DCM 等开关电源工作模式应用，其极低导通压降产生的损耗远小于肖特基二极管的导通损耗，极大提高了系统的转换效率，大幅降低了整流器件的温度。

芯片内置耐压高达 85V 的 NMOSFET 同步整流开关，且具有极低的内阻，典型 RdsON 低至 10mΩ，可提供系统高达 3A 的应用输出；还内置了高压直接检测技术，耐压高达 200V；以及高达 30V 的供电电压，使得控制器可直接使用高至 24V 的输出电压整流应用中，极大扩展了使用范围。

高集成度的电路设计使得芯片外围电路极其简单，在 QC 与 PD 5V/9V/12V 应用中，只需搭配 1 颗电容，即可构建一个完整的同步整流应用系统。

二、特点

 支持开关电源 CCM/QR/DCM 模式

 极佳的 5V/9V/12V 快充同步整流应用

 内置 MOS 耐压达 85V

 内置 MOS 的导通电阻最低至 10mΩ  较传统肖特基提升效率 2~6%

 极宽的工作电压范围 4.5V 至 36V

 可 5V 直接供电或由辅助绕组供电

 静态工作电流可低至 600uA

 支持开关电源频率最高至 150KHz

 至简外围应用无需任何原件