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PMOS驱动,用可调电源测试负载短路
阅读: 792 |  回复: 4 楼层直达

2019/12/18 10:35:18
1
linlyv
电源币:0 | 积分:4 主题帖:3 | 回复帖:1
LV1
士兵

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可调电源限定了输出电流1.7A,24V输出,直接用导体短接负载MG1,具体操作:碰一下就松开。数字三极管Q4还是保持导通的。

测试了几次,必定烧管子,PMOS(Q5)三极都互相导通击穿了。管子击穿是过压还是过流引起的呢?

PMOS管参数:

标签 MOSFET
LV13
大元帅

损害原因有两个可能性 1、供电电源输出端口有比较大的电容,电容瞬间大电流放电,放电电流远大于mos管能承受的电流,故损坏。 2、当供电电源被短路拖垮到一定程度,供电电源的电压,不足以维持mos管门极的完全导通,mos管工作在放大区间,在短时间内mos累积大量的热量,导致mos管过热损坏。

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2019/12/19 08:50:46
2
jianyedin
电源币:1812 | 积分:32 主题帖:36 | 回复帖:1097
LV9
军长
应该是过流引起
2019/12/19 09:43:17
3
hy317
电源币:2364 | 积分:0 主题帖:0 | 回复帖:7
LV1
士兵
应该是过流烧的,虽然你用可调电源限流了,但可调电源输出应该有电容存在,在电路瞬间电容是可以提供大电流导致MOS管烧毁的
2019/12/19 15:10:24
4
ymyangyong[版主]
电源币:2077 | 积分:471 主题帖:5 | 回复帖:6297
LV12
元帅

是过流引起的。

2019/12/21 23:20:46
5
houran77
电源币:76 | 积分:25 主题帖:2 | 回复帖:386
LV6
团长

损害原因有两个可能性

1、供电电源输出端口有比较大的电容,电容瞬间大电流放电,放电电流远大于mos管能承受的电流,故损坏。

2、当供电电源被短路拖垮到一定程度,供电电源的电压,不足以维持mos管门极的完全导通,mos管工作在放大区间,在短时间内mos累积大量的热量,导致mos管过热损坏。

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