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LLC拓朴用于无线传能实作 遭遇的问题
阅读： 506 |  回复： 4 楼层直达

五2019/11/26 13:25:04
1
PanAnAn
PanAnAn 积分：3
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士兵

QQ截图20160321155901  【活动进行中……】礼遇感恩节！参与顶楼  免费送仪器

QQ截图20160321155901   【风采汇】参与就有奖！获奖作品分享大赛



目前小弟专题正在做 LLC 拓樸的无线传能系统，利用半桥逆变器将方波电压馈入谐振槽，

附上系统参数 :

N-channel SiC power MOSFET : SCT2080KEMOSFET 

Driver：IR2110

闸极电阻 : 10 欧姆

控制器 ：STM32F429

操作频率 :30k HZ

死区时间 :230nS

------------------------------------------------------------------------------------

问题是上下两MOS管温度都很高(上管70~80度，下管100度以上)，效率也不太好，小弟观察波形，应该有达到ZVS开通，所以大部分损耗是关断的时候吗?还是因为要达到规格要求，电感值偏小，导致电流很大的缘故?

请问各位大大提供学生一点意见

附上波形：

上管Vgs-Vds

上管开通Vgs-Vds

上管关断Vgs-Vds

下管

下管开通Vgs-Vds

下管关断Vgs-Vds

下管Vds-Ids

标签 LLC
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四2019/11/27 05:45:46
2
chenxiangyu1990
chenxiangyu1990 积分：20
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师长
MOS关断太慢，加快速关断线路。
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二2019/11/28 15:32:29
4
PanAnAn
PanAnAn 积分：3
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LV1
士兵
前輩您好，我已經在驅動那邊利用二極體讓關閉迴路上無閘極電阻了，請問還有什麼加速方法?
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三2019/11/27 16:07:36
3
zsx097
zsx097 积分：10
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LV3
排长
不知你用在什么地方，是手机充电吗？还是别的地方，传输功率是多少？
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一2019/11/28 15:33:28
5
PanAnAn
PanAnAn 积分：3
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LV1
士兵
前輩您好，工業應用，大約200W上下
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