目前小弟专题正在做 LLC 拓樸的无线传能系统,利用半桥逆变器将方波电压馈入谐振槽,
附上系统参数 :
N-channel SiC power MOSFET : SCT2080KEMOSFET
Driver:IR2110
闸极电阻 : 10 欧姆
控制器 :STM32F429
操作频率 :30k HZ
死区时间 :230nS
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问题是上下两MOS管温度都很高(上管70~80度,下管100度以上),效率也不太好,小弟观察波形,应该有达到ZVS开通,所以大部分损耗是关断的时候吗?还是因为要达到规格要求,电感值偏小,导致电流很大的缘故?
请问各位大大提供学生一点意见
附上波形:
上管Vgs-Vds
上管开通Vgs-Vds
上管关断Vgs-Vds
下管
下管开通Vgs-Vds
下管关断Vgs-Vds
下管Vds-Ids