SP6649HF 是一颗电流模式 PWM 控制芯片，内置 650V 高压功率 MOSFET，应用于功率在 30W 以内的方案。SP6649HF 在 PWM 模式下工作于固定开关频率，这个频率是由内部精确设定。在空载或者轻载时，工作频率由 IC 内部调整。芯片可以工作在绿色模式，以此来减小轻载时的损耗，提高整机的工作效率。SP6649HF 在启动和工作时只需要很小的电流，可以在启动电路中使用一个很大的电阻，以此来进一步减小待机时的功耗。芯片内置有斜坡补偿电路，当电路工作于大占空比时，避免次谐波振荡的发生，改善系统的稳定性。内置有前沿消隐时（Leading-edge blanking time），消除缓冲网络中的二极管反向恢复电流对电路的影响。SP6649HF 采用了抖频技术，能够有效改善系统的 EMI 性能。系统的跳频频率设置在音频(22KHz)以上，在工作时可以避免系统产生噪音。SP6649HF 内置多种保护，包括逐周期限流保护（OCP），过载保护（OLP），过压保护（VDD OVP），VDD 过压箝位，欠压保护（UVLO），过温保护（OTP）等，通过内部的图腾柱驱动结构可以更好的改善系统的 EMI 特性和开关的软启动控制.主要应用充电器 PDA、数码相机、摄像机电源适配器 机顶盒电源 开放框架式开关电源 个人电脑辅助电。
SP6539F 是一颗高性能的开关电源次级侧同步整流控制电路。在低压大电流开关电源应用中，轻松满足 6 级能效，是理想的超低导通压降整流器件的解决方案。芯片可支持高达 150kHz 的开关频率应用，并且支持 CCM / QR / DCM 等开关电源工作模式应用，其极低导通压降产生的损耗远小于肖特基二极管的导通损耗，极大提高了系统的转换效率，大幅降低了整流器件的温度。芯片内置耐压 100V 的 NMOSFET 同步整流开关，且具有极低的内阻，典型 RdsON 低至 11mΩ，可提供系统高达 3A 的应用输出；还内置了高压直接检测技术，耐压高达 200V；以及高达 30V 的供电电压，使得控制器可直接使用高至 24V 的输出电压整流应用中，极大扩展了使用范围。高集成度的电路设计使得芯片外围电路极其简单，在 QC 与 PD 5V/9V/12V 应用中，只需搭配 1 颗电容，即可构建一个完整的同步整流应用系统。支持开关电源 CCM/QR/DCM 模式 极佳的 5V/9V/12V 快充同步整流应用 内置 MOS 耐压达 100V 内置 MOS 的导通电阻最低至 11mΩ 较传统肖特基提升效率 2~6% 极宽的工作电压范围 4.5V 至 36V 可 5V 直接供电或由辅助绕组供电 静态工作电流可低至 600uA 支持开关电源频率最高至 150KHz SOP8 封装形式。
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