IGBT管压降检测电路求助

网上看到一个电路，分析了一下原理:IGBT关断时10nf电容通过电阻放电，触发开通时触发电压15v通过4148，1k，10k电阻到地充电。因为有个二极管到IGBT的C极，充电电压被限制在IGBT的CE饱和压降（看规格书是1.8v）下约1.8V以下电容C上约13.2伏以下。如果IGBT电流增大饱和电容C上的电压升高。到升高0.7伏管压降时也就是电容C充到13.9伏时检测到信号输入驱动IC动作。不知道对不对分析得？

全部回复(12)

只看楼主

正序查看

倒序查看

hylylx

LV.9

2019-11-25 16:10

对。。。。。

对不起，没看懂。

jincao

LV.4

2019-11-26 15:23

军长太客气了，是我的图画得太草没有讲清来龙去脉，待我重画个。

jincao

LV.4

2019-11-26 15:26

军长客气了，是我的图画得太草又没讲清来龙去脉，待我重画一张。

jincao

LV.4

2019-11-26 15:33

上个图片

jincao

LV.4

2019-11-26 15:34

怎么还上不了图？

米山人家

LV.8

2019-11-26 16:23

采样环节不要用电容，不然过流信号会严重滞后，你图里10nF电容，会导致过流延时滞后超过20us左右

防止开通期间的误触发，可以用别的措施解决，但不要用电容

jincao

LV.4

2019-11-26 23:14

谢谢楼上师长，10us内IGBT才是安全的。我的原意是想做到驱动和后级的完全隔离，看来不想用源极取样电阻，又想完全隔离只有上霍尔取样操作是简单了调整取样点更方便不过就成本上去了二十大洋啊！有没有大师做过CE管压降样的支个招？我是想弄个光耦隔离到前级IC看来不太可行，电容取样有延时再加光耦延时再到IC动作IGBT早放炮仗了！直接上康丝铜取柯