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INN3672C实现两路输出12W电源

      InnoSwitch3-EP可在整个负载范围内提供95%的高效率，并且在密闭适配器内不使用散热片的情况下可提供100 W的功率输出，包括线电压过压和欠压保护、输出过压和过电流限制，以及过温关机。    

      电源使用InnoSwitch3-EP产品系列的INN3672C实现，输入电压范围为90 VAC到265 VAC的12 W输出功率的电源电路，两路输出分别为5V/0.5A和12V/0.8A。在90 VAC下满载效率超过85%，并且能够使用两个SR FET，这样在两个输出之间提供高精度交叉调整率。

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k6666
LV.9
2
2019-11-09 13:44
INN3672集成了Fluxlink技术，整合了初级侧和次级侧转换电路来减少元件数，降低电源成本。
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cb_mmb
LV.8
3
2019-11-10 22:40
这个系列的INN3679C和INN3670C两个芯片采用PowiGaN技术免散热片的情况下输出功率高达100 W。
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lx25hb
LV.8
4
2019-11-10 22:50
InnoSwitch3-EP的次级侧提供输出电压、输出电流传感和驱动至提供同步整流的MOSFET。
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dbg_ux
LV.9
5
2019-11-10 22:57
@lx25hb
InnoSwitch3-EP的次级侧提供输出电压、输出电流传感和驱动至提供同步整流的MOSFET。
总输出电流则由IS和GND引脚之间的电阻感应，一旦超过电流感应阈值，就会调整开关脉冲的数量，以保持固定的总输出电流。   
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kckcll
LV.9
6
2019-11-10 23:03
@cb_mmb
这个系列的INN3679C和INN3670C两个芯片采用PowiGaN技术免散热片的情况下输出功率高达100W。
PowiGaN开关技术，替代了硅MOSFET，不仅实现了效率提升和功率提升,还扩大了应用领域。
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大海的儿子
LV.10
7
2019-11-10 23:11
@lx25hb
InnoSwitch3-EP的次级侧提供输出电压、输出电流传感和驱动至提供同步整流的MOSFET。
对于恒流(CC)输出工作，外部电流检测电阻RIS应连接在IC的IS引脚和次级接地引脚之间。
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xxbw6868
LV.9
8
2019-11-10 23:18
@cb_mmb
这个系列的INN3679C和INN3670C两个芯片采用PowiGaN技术免散热片的情况下输出功率高达100W。
这一的性能提升主要是来自内部开发的高压氮化镓开关技术。氮化镓优势明显，就是价格贵。
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trllgh
LV.9
9
2019-11-10 23:27
@dbg_ux
总输出电流则由IS和GND引脚之间的电阻感应，一旦超过电流感应阈值，就会调整开关脉冲的数量，以保持固定的总输出电流。  
如果不要求输出具备恒流(CC)特性，IS引脚应直接连接至IC的接地引脚。
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spowergg
LV.9
10
2019-11-10 23:30
@kckcll
PowiGaN开关技术，替代了硅MOSFET，不仅实现了效率提升和功率提升,还扩大了应用领域。
氮化镓开关替换了IC初级的常规高压硅晶体管，这可以降低电流流动期间的传导损耗，并极大降低工作时的开关损耗。
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trllgh
LV.9
11
2019-11-11 22:34
@kckcll
PowiGaN开关技术，替代了硅MOSFET，不仅实现了效率提升和功率提升,还扩大了应用领域。
电路中采用采用725 V的功率MOSFET，留有足够的余量，可以设计的电源输入电压范围越大。
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xxbw6868
LV.9
12
2019-11-11 22:37
@cb_mmb
这个系列的INN3679C和INN3670C两个芯片采用PowiGaN技术免散热片的情况下输出功率高达100W。
这最终有助于大幅降低电源的能耗，从而提高效率，使体积更小的InSOP-24D封装提供更大的输出功率。
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cb_mmb
LV.8
13
2019-11-13 19:57
@大海的儿子
对于恒流(CC)输出工作，外部电流检测电阻RIS应连接在IC的IS引脚和次级接地引脚之间。
布线时，这个电阻必须以短走线靠近IS和接地引脚放置，以防止在恒流工作中出现接地阻抗噪声不稳定问题。
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亲爱的郭郭
LV.9
14
2020-02-12 19:43
@spowergg
氮化镓开关替换了IC初级的常规高压硅晶体管，这可以降低电流流动期间的传导损耗，并极大降低工作时的开关损耗。
具有内置的同步整流(SR)驱动器，使用低成本的低压MOSFET进行同步整流，提高系统效率。
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