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反激150W 12V 炸初级MOS大家来分析一下原因，谢谢！

IC用LD7575PS 做反激150W输出12V 单电压220-265VAC输入 次级用同步整流 初级MOS   20N65 成品老化8小时后出现10%炸机（20N65炸），请各路大师看看是什么原因导成，谢谢。（注3小时内是没有炸机的，老化一个晚上后就出现炸机了）
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edie87@163.com
2
2019-10-24 10:05

反激做150W还没PFC，是不是太热了？点温看一下8小时后主要元器件的温度

吸收R2只有一个3W电阻，看一下温度多少

C12 用223感觉有点大了，一般就102，222

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其乐518
LV.2
3
2019-10-24 15:53
要测出励磁电流波形，VGS波形，VDS波形，
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such
LV.1
4
2019-10-24 19:22
是不是B值做的有点大
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攻城人员
LV.5
5
2019-10-25 08:52

你这个是什么牌子的MOS    最好确认下是不是一致性的问题，你这个不是全炸

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jia5
LV.5
6
2019-10-26 14:26
@攻城人员
你这个是什么牌子的MOS   最好确认下是不是一致性的问题，你这个不是全炸
MOS是深圳华科的，不知你们有否用过。
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jia5
LV.5
7
2019-10-26 14:28
@such
是不是B值做的有点大
B值在2200这样，可能不是这个原因。
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jia5
LV.5
8
2019-10-26 14:36
@edie87@163.com
反激做150W还没PFC，是不是太热了？点温看一下8小时后主要元器件的温度吸收R2只有一个3W电阻，看一下温度多少C12用223感觉有点大了，一般就102，222
说实在的温度不算高，因为我这个是用外壳来散热（散热面积比较大）所以，R2是83度  吸收二极管要高一点97度  MOS 管67度  环温35度情况下老化一晚上所测得。C12下次用102试试，谢谢
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jia5
LV.5
9
2019-10-26 15:42
@edie87@163.com
反激做150W还没PFC，是不是太热了？点温看一下8小时后主要元器件的温度吸收R2只有一个3W电阻，看一下温度多少C12用223感觉有点大了，一般就102，222
这个是变压器参数，请看一下是否合理，谢谢
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zjqjl
LV.6
10
2019-10-26 17:09
@jia5
MOS是深圳华科的，不知你们有否用过。

变压器初级圈数增加为20+20 电感量在400左右  这样降低初级电流,减少对MOS的冲击

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linepro
LV.7
11
2019-10-26 20:01
@zjqjl
变压器初级圈数增加为20+20电感量在400左右 这样降低初级电流,减少对MOS的冲击
这个靠谱
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攻城人员
LV.5
12
2019-10-28 08:37
@jia5
MOS是深圳华科的，不知你们有否用过。

华科的没用过  您可以把现在你们在用的好的MOS  换到现在坏的机子上面再测一下就知道了

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edie87@163.com
13
2019-10-28 11:24
@jia5
这个是变压器参数，请看一下是否合理，谢谢[图片]

CS的OCP阈值电压是多少？CS电阻是多少？

PB3520的中心柱载面积是多少？

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jia5
LV.5
14
2019-10-28 14:45
@edie87@163.com
CS的OCP阈值电压是多少？CS电阻是多少？PB3520的中心柱载面积是多少？
OCP=0.85V     CS电阻 =0.2R /2W无感绕线电阻    AE=163 （实测）
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jia5
LV.5
15
2019-10-28 14:49
@zjqjl
变压器初级圈数增加为20+20电感量在400左右 这样降低初级电流,减少对MOS的冲击
那次级要不要变呢？ 如果不变占空比可能大了。
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z34y56
LV.6
16
2019-10-29 09:53
@edie87@163.com
反激做150W还没PFC，是不是太热了？点温看一下8小时后主要元器件的温度吸收R2只有一个3W电阻，看一下温度多少C12用223感觉有点大了，一般就102，222
变压器不对，初级圈数太少了。电感量小了。
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edie87@163.com
17
2019-10-29 09:56
@jia5
OCP=0.85V   CS电阻=0.2R/2W无感绕线电阻  AE=163（实测）[图片]

算下来Bmax才0.26，变压器不会饱和

那多半是MOS的原因

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jia5
LV.5
18
2019-10-29 11:00
@edie87@163.com
算下来Bmax才0.26，变压器不会饱和那多半是MOS的原因
多谢高手指点，今天正好在换MOS做试验，等结果出来再和大家分享。
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jia5
LV.5
19
2019-10-29 11:54
@z34y56
变压器不对，初级圈数太少了。电感量小了。
喔。那能不能指点个一，二好让我们学习学习，谢谢。  （IC频率65K  输入电压180-265V  输出12V 150W  PQ3520  )
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我是谁的谁
LV.1
20
2019-10-29 14:51

NCE1579 15mr 左右,做12V150W 过12A电源不太合适吧?

反激150W 应该用到连续模式了? 是不是尖峰太高了,所以才选的150V的mos?12V输出一般用100V的mosfet就够了,100V你还可以选择低阻抗的,这样会好些.不过100V低阻抗的Ciss会比较大,不知道你那同步IC是否能驱动和可靠关断?如果关断不可靠,有异常交越尖峰,反馈到初级,你那20N65的一个个小晶胞逐次损坏,所以开始是好的,后面时间长就坏了?

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jia5
LV.5
21
2019-10-29 15:48
@我是谁的谁
NCE157915mr左右,做12V150W过12A电源不太合适吧?反激150W应该用到连续模式了?是不是尖峰太高了,所以才选的150V的mos?12V输出一般用100V的mosfet就够了,100V你还可以选择低阻抗的,这样会好些.不过100V低阻抗的Ciss会比较大,不知道你那同步IC是否能驱动和可靠关断?如果关断不可靠,有异常交越尖峰,反馈到初级,你那20N65的一个个小晶胞逐次损坏,所以开始是好的,后面时间长就坏了?
满载时的是临界模式，可不知为什么关断时的震荡幅度如此大。请看附图：黄色VDS  绿色VGS
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linepro
LV.7
22
2019-10-29 19:24
@jia5
满载时的是临界模式，可不知为什么关断时的震荡幅度如此大。请看附图：黄色VDS 绿色VGS[图片]

1变压器分布参数大了、

2有些原件做吸收处理

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edie87@163.com
23
2019-10-30 09:44
@jia5
满载时的是临界模式，可不知为什么关断时的震荡幅度如此大。请看附图：黄色VDS 绿色VGS[图片]
初级吸收，二极管后串一个51欧的电阻试一下
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我是谁的谁
LV.1
24
2019-10-30 10:05
@jia5
满载时的是临界模式，可不知为什么关断时的震荡幅度如此大。请看附图：黄色VDS 绿色VGS[图片]

发过次级mos Vds-Vgs的波形看看

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jia5
LV.5
25
2019-10-30 11:21
@edie87@163.com
初级吸收，二极管后串一个51欧的电阻试一下
如果串个51R电阻从波形看一定会有改善，但我想这个电阻可能可以做发热丝使用了吧，还是想想别的Q
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edie87@163.com
26
2019-10-31 10:09
@jia5
如果串个51R电阻从波形看一定会有改善，但我想这个电阻可能可以做发热丝使用了吧[图片]，还是想想别的Q
这只能多并几个了
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jia5
LV.5
27
2019-11-13 18:40
@jia5
多谢高手指点[图片][图片][图片]，今天正好在换MOS做试验，等结果出来再和大家分享。
换MOS做试验  结果出来了。同样条件老化了7天，没有再出现炸管现像。看来真是MOS管的问题。（又或许是没有匹配的问题）
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攻城人员
LV.5
28
2019-11-15 09:29
@jia5
换MOS做试验 结果出来了。同样条件老化了7天，没有再出现炸管现像。看来真是MOS管的问题。（又或许是没有匹配的问题）

早听我的，你早测出来了

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jia5
LV.5
29
2019-11-21 17:07
@攻城人员
[图片]早听我的，你早测出来了
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282203332@qq.com
LV.3
30
2019-12-18 08:19
@jia5
换MOS做试验 结果出来了。同样条件老化了7天，没有再出现炸管现像。看来真是MOS管的问题。（又或许是没有匹配的问题）
解决了？
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