随着碳化硅功率管器件的逐渐成熟,其器件特性对变流器设计带来的好处也慢慢得到认可,特别是在提高效率及功率密度方面,与此同时,作为一种新的器件技术,碳化硅功率器件在应用时也同时带来不小的挑战。本次讲座,英飞凌为大家带来“碳化硅MOSFET技术介绍和碳化硅mosfet器件的特性,英飞凌碳化硅产品封装介绍和产品路线”。
直播时间:10月11日14:00-16:30
直播主题:
CoolSiCTM SiC MOSFET技术带来高性能及可靠的电力电子系统设计
讲师介绍:
郝欣
博士,英飞凌科技(中国)有限公司 工业功率控制事业部,应用与系统 方案拓展经理。
郝欣在2004年及2013年毕业于合肥工业大学,并分别获得电气工程学士及电力电子博士学位。郝博士于2015年加入英飞凌科技,现任职于工业功率控制事业部应用与系统方案拓展经理。负责英飞凌大功率IGBT及SiC器件在中国地区的新技术导入、应用开发及产品路线。
直播入口:
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