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中低压MOS供应3426B,N沟道高级功率MOSFET

中低压MOS供应3426B,30V/35A,双N沟道高级功率MOSFET

 

特征:双N通道,5V逻辑电平控制

增强模式

低导通电阻R DS(on)@ V GS = 4.5 V.

快速切换

100%雪崩测试

无铅铅电镀;

符合RoHS标准    

VS3622DE

封装:P 沟道DFN3*3

刘云  18603037844

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