中低压MOS供应3426B,30V/35A,双N沟道高级功率MOSFET
特征:双N通道,5V逻辑电平控制
增强模式
低导通电阻R DS(on)@ V GS = 4.5 V.
快速切换
100%雪崩测试
无铅铅电镀;
符合RoHS标准
VS3622DE
封装:P 沟道DFN3*3
刘云 18603037844
中低压MOS供应3426B,30V/35A,双N沟道高级功率MOSFET
特征:双N通道,5V逻辑电平控制
增强模式
低导通电阻R DS(on)@ V GS = 4.5 V.
快速切换
100%雪崩测试
无铅铅电镀;
符合RoHS标准
VS3622DE
封装:P 沟道DFN3*3
刘云 18603037844