这种PWM钳位模式RCD吸收电路如下：

                                图2 普通RCD吸收与PWM钳位RCD吸收

上图(b)的原理是利用两个三极管构成滞回比较器电路（PWM发生器），用一颗功率电阻替代开关电源中的电感L进行PWM占空比调制，由于三极管只工作于开和关功率很小，主要损耗依然是降在功率电阻上（等效电阻可调）。

（把图中电路除功率电阻外的器件都封装在一起，体积上应当是可以接受的。）

接下来进行仿真验证：

输入电压300V，负载2欧姆-50欧姆-2欧姆变化（变换时刻10mS、20mS），钳位电路电压设置为160V。

                                      图3 高压输入负载变换时对比

由图3(b)可见这种PWM钳位RCD吸收效果跟齐纳管很像，电容Uc的电压重载、轻载几乎不变，相对于普通RCD吸收轻载效率得到提升。（Uc为吸收电容对地的电压，等于电容电压+Uin）

                                     图3-1 高压满载波形展开

                                       图3-2 高压轻载波形展开

根据目前的仿真参数绘制出不同钳位电压下RCD电路对初级电感Lp的能量吸收情况。

                                     图4 钳位电压与初级电感Lp的能量吸收关系

曲线后段随着钳位电压Uc的上升曲线变缓对效率的提升不明显了。

关于RCD电路中二极管的反向恢复时间对EMI及效率的影响，分别假设三种反向恢复时间情况如下：

                                         图5-1 快恢复二极管

                                          图5-2 恢复时间1uS二极管

                                          图5-3 恢复时间2uS二极管

上面三个仿真显示恰当的二极管反向恢复时间有助于降低EMI噪声及提高电源效率，分析其原因为二极管在反向恢复期间电路可等效为有源钳位电路。（负载4欧姆）

通常RCD电路都是放在高端（一头接母线电容），为何不将其放在低端如下图？

                                                图6 高、低端钳位

等效电路如下：

                                   图6-1 高、低端钳位等效电路

从等效电路上看将RCD电路放在低端后会增加一个Vin比例的损耗，仿真验证如下：

                                     图6-2 高、低端损耗仿真验证

仿真结果RCD电路放在低端的输入损耗增加0.8W，理论计算损耗增加1W二者略有差异。（100V输入72W输出）

RCD放在低端的一般会把二极管和电容互换位置作为Snubber（吸收、缓冲）电路来用。也有资料把Snubber电路放在高端作为Clamp（钳位）电路来用的，这样的用法有什么特点？

                                图6-3 增加Snubber吸收后的波形、效率对比

在原电路基础上只增加Snubber电路，调节到一个恰当的参数后对效率几乎无影响但对降EMI效果非常好。

            图6-4 并联Snubber的等效电路

Mos管并联Snubber电路后等效电路如上图，其中漏感Lk和并联的Coss、Cs电容发生谐振，电阻Rs为漏感Lk和电容Cs的阻尼电阻，验证如下：

                                                   图6-5 欠阻尼震荡波

在图6-5中电容Coss=50pF，Cs=200pF，Rs=100，Lk=20uH。将波形展开后其谐振周期应为2*pi*sqr[Lk*(Coss+Cs)]

                                                   图6-6 震荡周期

图6-6显示仿真值和计算值近乎一致。在前面给的参数中阻尼电阻Rs=100太小，按公式Rs=2*sqr(Lk/Cs)=632重新设置参数后仿真如下：

                                                  图6-7 阻尼震荡

根据仿真的结果当电容Cs>3*Coss时选择恰当的阻尼电阻可以较好的消除多次震荡。

另一个问题，如果Snubber电路直接用在高端效果会怎样？

这种PWM模式RCD钳位的思路原来在很早之前就有相关应用了。

                         图7 线性与开关调整器基本类型

上图是从线性的LDO过渡到开关型的Buck，其中红框的电路又叫做直流储桶式调整器可以将BJT上的损耗转移到电阻R上，虽然不会提高效率但用于RCD钳位电路中还是很不错的。

一般先按占空比D趋近0.5来设计然后可知反射电压Vor再到钳位电压Vclamp最后选MOS管应力，从效率的角度考虑一般Vclamp要大于1.3倍的Vor，见下图

上图x轴是Vclamp电压与Vor电压之比，y轴为RCD损耗占总功率的百分比，钳位电压Vclamp越高RCD的损耗越小，MOS管的应力决定了Vclamp的上限（还要考虑高低压输入情况）。

RCD的选择参考标准公式再加一个0.7倍的系数修正：

二极管D用慢管效果比较好无论是效率还是EMI，可能二极管的反向恢复具有不确定性有些公司不建议用慢管。除了二极管的反向恢复还有漏感测量级寄生参数等问题，按上述公式预设完参数后再上机实际调整一下。