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HID电子镇流器设计

最近得到一个220V 70W的HID电子镇流器,采用3级结构,觉得设计很有特色,交流一下.
做工和指标都不错.
其中,前两级场效应管采用IRF840,后级场效应管采用IRF740.
单片机控制,保护电路是我看到过最全的了.
低压保护,输出短路、高温保护,灯老化检测等等.
第二级也用L6561D控制,高端BUCK.
为了IRF740耐压400V,特地控制第二级buck直流不超过320V.
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2008-07-22 13:34
不错,哪个公司的?
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2008-07-22 13:41
此类单片机控制的低压启动性能较差.
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wdwd
LV.5
4
2008-07-22 14:26
@wujianbing
此类单片机控制的低压启动性能较差.
也不会的.
单片机只用于保护,
全桥低频脉冲也是单片机输出.
低压保护是检测400V的电压,如果输入太低,或APFC没工作都能检测到.
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wdwd
LV.5
5
2008-07-22 14:31
@华盛电子
不错,哪个公司的?
哪家公司的不便公布.
IRF740 内阻较低0.55欧,SPD07N60C3有得一比.
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wdwd
LV.5
6
2008-07-23 10:58
HID内部供电的考虑:
1)专用芯片非隔离电源LNK304
2) 电源芯片降压BUCK用Viper12A
供电稳定,成本要增加,LNK304和Viper12A哪个贵,知道批量价格的报一下.

3)电容电阻降压
电流输出不大,有体积.

4)APFC变压器次级整流供电
启动时不稳定,成本最低.
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2008-07-24 12:44
把德国人的东东进行了一下改良
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2008-07-24 12:48
,,
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wdwd
LV.5
9
2008-07-25 22:06
@冷暖人生
,,
还是Viper12A价格低,
低压电源用这块芯片比较合适.
就像L6561价格好.呵呵.
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hulinglong
LV.1
10
2008-07-26 12:45
你说的这款我这也有.
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hulinglong
LV.1
11
2008-07-26 12:47
wdwd你得是多少钱买来的?
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mamsung
LV.6
12
2008-07-26 16:06
@hulinglong
wdwd你得是多少钱买来的?
我可以提供L6561D,SPD07N60C3以HID及全桥驱动器:UBA2032T,UBA2036TS,UBA2037T

QQ:564592456
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wdwd
LV.5
13
2008-08-13 13:37
@hulinglong
wdwd你得是多少钱买来的?
有人要我再设计一个HID-EB,
要低成本,高可靠性,小体积.
还要安装方便.

说说容易,做做难.
各位帮我参谋参谋.
我们来个网上设计如何?

70W的HID电子镇流器,采用3级结构,
APFC用L6562+IRF840,BUCK用L6561+IRF840(待定),全桥用IRF740+IRS2453(待定),先不用单片机了.
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mamsung
LV.6
14
2008-08-13 13:47
@wdwd
有人要我再设计一个HID-EB,要低成本,高可靠性,小体积.还要安装方便.说说容易,做做难.各位帮我参谋参谋.我们来个网上设计如何?70W的HID电子镇流器,采用3级结构,APFC用L6562+IRF840,BUCK用L6561+IRF840(待定),全桥用IRF740+IRS2453(待定),先不用单片机了.
如果采用我们的UBA2032TS,我想我可以给到你一个非常好的价格!
TEL:0755-83014048 13138859336 吴
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2008-08-13 14:26
@wdwd
有人要我再设计一个HID-EB,要低成本,高可靠性,小体积.还要安装方便.说说容易,做做难.各位帮我参谋参谋.我们来个网上设计如何?70W的HID电子镇流器,采用3级结构,APFC用L6562+IRF840,BUCK用L6561+IRF840(待定),全桥用IRF740+IRS2453(待定),先不用单片机了.
这个方案不错
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wdwd
LV.5
16
2008-08-14 21:20
@冷暖人生
这个方案不错
500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/68/1484571218614839.jpg');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">

APFC电路应该都差不多的,但是,Boost电感线圈参数都不一样;
L6561/L6562的datasheet中85V-265Vac80W用0.7mH/E25x13x7core7x6.5=45mm2,
0.8mH/ETD29x16x10core=7.5x10=75mm2,
Philips的70WHID-EB用0.6mH/E16x16x8core8x4=32mm2,
也有0.9mH/E26x20x7core6.5x7=45mm2,
1mH/E28x28x11core7x11=77mm2(太浪费了),
1.5mH/E25x25x7core=6.5x7=45mm2;
1.关于电感量
灯属于固定负载,TM模式APFC电感量越大开关频率越低,所以1.5mH的MOS管温升很低,220Vac->300Vdc->400Vdc 输入电流80W/220V=0.364A, 峰值0.51A, TM模式电感峰值1.02A, Ton=1.5mHx1.02A/308V=5us, Toff=5usx308V/(400V-308V)=16.74us, T=21.7us->频率46KHz;
0.6mH->115KHz,0.8mH->86KHz.....
输入交流电压TM模式Ton基本不变,Toff在变小,上面的计算频率则是下限;
开关频率低MOS管开关损失量小,温升就小了,阻性损失峰值0.85ohmx(1.02A)^2=0.884W,Ton平均值=0.884W/3=0.295W,考虑占空比约0.14W,IRF840空气散热(62.5-1.0)C/Wx0.14W=8.6度,温升再高的部分都是开关损失引起的;
2.关于电感尺寸
与工作频率越高尺寸越小,这里我们不是最求输出功率越大,而是损耗最小;
电流I是固定的,B=LxI/(NxA)=(NxIxl0)/A,Pt=KxlxAxf^axBm^b,a=1.5-1.7,b=2-2.7
1)N不变,L不变,磁芯截面积A大的好(厚型),磁损耗是按体积算的(A不变,矮型磁路短,体积小);
2)同样的带隙磁芯,线圈匝数N多,L平方上升,损耗增大;(注:管子损耗变小)
3)L不变,匝数N增加垫隙增加,损耗减少;

有效原则是:在小体积条件下增大A, 垫隙尽量大.
1mH//E25x20x11core/E22x20x10core是一个选择.
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jamenyang
LV.5
17
2008-08-30 22:43
@wdwd
[图片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/68/1484571218614839.jpg');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">APFC电路应该都差不多的,但是,Boost电感线圈参数都不一样;L6561/L6562的datasheet中85V-265Vac80W用0.7mH/E25x13x7core7x6.5=45mm2,0.8mH/ETD29x16x10core=7.5x10=75mm2,Philips的70WHID-EB用0.6mH/E16x16x8core8x4=32mm2,也有0.9mH/E26x20x7core6.5x7=45mm2,1mH/E28x28x11core7x11=77mm2(太浪费了),1.5mH/E25x25x7core=6.5x7=45mm2;1.关于电感量灯属于固定负载,TM模式APFC电感量越大开关频率越低,所以1.5mH的MOS管温升很低,220Vac->300Vdc->400Vdc输入电流80W/220V=0.364A,峰值0.51A,TM模式电感峰值1.02A,Ton=1.5mHx1.02A/308V=5us,Toff=5usx308V/(400V-308V)=16.74us,T=21.7us->频率46KHz;0.6mH->115KHz,0.8mH->86KHz.....输入交流电压TM模式Ton基本不变,Toff在变小,上面的计算频率则是下限;开关频率低MOS管开关损失量小,温升就小了,阻性损失峰值0.85ohmx(1.02A)^2=0.884W,Ton平均值=0.884W/3=0.295W,考虑占空比约0.14W,IRF840空气散热(62.5-1.0)C/Wx0.14W=8.6度,温升再高的部分都是开关损失引起的;2.关于电感尺寸与工作频率越高尺寸越小,这里我们不是最求输出功率越大,而是损耗最小;电流I是固定的,B=LxI/(NxA)=(NxIxl0)/A,Pt=KxlxAxf^axBm^b,a=1.5-1.7,b=2-2.71)N不变,L不变,磁芯截面积A大的好(厚型),磁损耗是按体积算的(A不变,矮型磁路短,体积小);2)同样的带隙磁芯,线圈匝数N多,L平方上升,损耗增大;(注:管子损耗变小)3)L不变,匝数N增加垫隙增加,损耗减少;有效原则是:在小体积条件下增大A,垫隙尽量大.1mH//E25x20x11core/E22x20x10core是一个选择.
保护电路全,含反接保护不,意思就是把输入、输出接反保护.好像很少有,但是确实是个大问题.
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2008-08-31 00:28
@wdwd
哪家公司的不便公布.IRF740内阻较低0.55欧,SPD07N60C3有得一比.
740的RDS做到0.55.我这里的产品早就可以做到了,有需要的话可以联系我.王先生:13560422064
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thj_8568
LV.3
19
2008-09-08 16:03
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john_chenyi
LV.6
20
2008-09-08 17:23
@thj_8568
此帖已被删除
要是认为不错大点线路和线路板全放出来让大家学啊!》》》》》》》》》》》》》》》500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/69/2226011220865787.jpg');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
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2008-09-09 08:05
@jamenyang
保护电路全,含反接保护不,意思就是把输入、输出接反保护.好像很少有,但是确实是个大问题.
你先把帖子看清楚了再说
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2008-09-09 08:07
@thj_8568
此帖已被删除
你丫的到处打广告,引起这些工程师的厌恶,你想钱想疯了?
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wdwd
LV.5
23
2008-09-20 03:04
@john_chenyi
要是认为不错大点线路和线路板全放出来让大家学啊!》》》》》》》》》》》》》》》[图片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/69/2226011220865787.jpg');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">
500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/69/1484571221851065.jpg');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">

用的是IRS2453.
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21cncom
LV.2
24
2008-09-20 11:59
@wdwd
[图片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/69/1484571221851065.jpg');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">用的是IRS2453.
wdwd 兄,能不能给我分析一下原理图里面的U2,U3是什么芯片,谢意 2802701221883162.pdf
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wdwd
LV.5
25
2008-09-20 19:46
@21cncom
wdwd兄,能不能给我分析一下原理图里面的U2,U3是什么芯片,谢意2802701221883162.pdf
U3 用CD40106,CD4584都可以,
U2用U3一样的好了.
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21cncom
LV.2
26
2008-09-20 20:47
@wdwd
U3用CD40106,CD4584都可以,U2用U3一样的好了.
谢谢wdwd
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wdwd
LV.5
27
2008-09-21 22:41
@wdwd
[图片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/69/1484571221851065.jpg');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">用的是IRS2453.
现在损耗近10W,目标优化到9W.
电感线圈直流电阻有点大了,
加上磁损,Bs可能也有点高,
特别BUCK电感有点烫.
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wdwd
LV.5
28
2008-09-26 11:41
@wdwd
现在损耗近10W,目标优化到9W.电感线圈直流电阻有点大了,加上磁损,Bs可能也有点高,特别BUCK电感有点烫.
电感线圈优化后现在损耗8.5W.
与我设计估算的差不多.
基本实现了设计目标.

怎么没人顶?呵呵.
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thj_8568
LV.3
29
2008-09-30 12:21
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weikesheng
LV.2
30
2008-10-01 00:24
@thj_8568
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tady
LV.3
31
2008-11-09 20:26
要控制BUCK输出开路时的电压不容易吧?因为此时MOSFET是开通的,你的意思是控制第一级的输出电压吗?我还没想明白.麻烦WDWD大侠看看我的短信,谢谢!
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