【亲测ROHM评估板 】+Rohm SiC MOSFET 评测

对评估版的细节做个简单介绍

1、主电路上封装兼容TO247-3L和TO247-4L两种封装，可以方便的对比两种封装的器件特性差异

2、驱动芯片采用Rohm SIC MOSFET 专用驱动IC，型号BM6101

详细器件资料

/upload/community/2019/08/11/1565527258-31824.pdf

驱动芯片框图及不同封装的应用参考

3、双脉冲控制部分，3个按键模拟信号机故障复位

评估板带的几款SIC MOSFET规格如下

SCT3030AL  650V 30mohm  70A

SCT3060AL  650V 60mohm  39A

SCT3040KL  1200V 40mohm  55A

SCT3080KL  1200V 80mohm  31A

规格书下载地址：

https://www.rohm.com.cn/products/sic-power-devices/sic-mosfet

先来看一组SCT2080的测试数据

额定电压1200V的SIC MOSFET,阻断电压居然到了2300V，可见余量很大

最新的SCT3080KE测试结果如下，Vgsth稍有提高，阻断电压依然高于额定600多V，良心产品啊

SCT3040 KE测试数据

从测试结果看，Rohm SIC MOSFET器件的一致性都较好，电压裕量大

按照Rohm推荐，对板子供电12V，测试输入电流约0.013mA,指示灯全部亮起

驱动供电电源测试波形如下：

从波形可以看出是反激拓扑，开关频率330kHz，电压尖峰只有20.7V

在没有输入信号的情况下，Vgs驱动电压如下：下桥-10V，上桥-15V，和理论分析偏差较大

鉴于此情况需要分析清楚原因才能继续加高压测试，否则容易损坏器件

找了一个TO247-4L的器件可以完美兼容安装，驱动问题解决了就可以上高压测试了

今天找到问题所在了，这个评估版默认是按TO247-4L设计的，使用4L的器件测试驱动是OK的，可以准备上高压进行测试了

设置驱动电压+18V/-2V,实测关断电压-1.918V

之前测试有问题主要是没有焊接漏空的电阻

至此问题原因已分析清楚。

先做一个阶段性总结

1.该评估板设计上很好的兼容了247-3和247-4的封装器件，使得参数评估对比简化很多

2.控制拓扑上可以实现半桥、BUCK降压、BOOST升压等拓扑

3.驱动信号也做了很多实用的设计，比如死区时间、互锁、单独驱动、同步驱动等

4.保护功能全面，过流保护点可调的过流保护电路、故障锁存、故障复位、故障指示等

5.可调的驱动电压，可以适用Rohm不同Gen的SiC MOSFET

总体来说该评估板设计上是很完善的，所有器件采用Rohm的电子元器件，具有较好的生态解决方案

等Rohm 247-4L器件样品拿到后再做进一步测试