FOD3120, 3150 ,HCPL-3120/A3120, 3150,TLP350, TLP250,TLP352 TLP5207 这几款是用来进行IGBT栅极驱动的8PIN DIP封装和SOP8的隔离光电耦合器，其中FOD3120，TLP350的输出峰值电流Io=±2.5A(Max),TLP250的输出峰值电流Io=±1.5A (MAX) ，因此他们非常合适用来驱动（800-1200）V/(20-100)A的IGBT，由于IGBT在直流和交流无刷电机驱动器，逆变器，UPS，开关电源，变频器等方面的应用，因此IGBT驱动光耦同样可以应用在这些产品上。
由于功率IGBT在电力电子设备中多用于高压场合，所以驱动电路必须与整个控制电路在电位上完全隔离，利用光电耦合器进行隔离，具有体积小，成本低，结构简单，应用方便，输出脉宽不受限制等优点。
一些基本参数：
输入电流IF=5mA
电源电压VCC=15to30V
电源电流ICC=2mA (TLP250 ICC=11mA )
延迟时间tp/LH tp/HL=500nS (max)
动作过程
当IF输入 H 时，Tr1导通，Tr2截止，因此VO=Vcc-Vt1=H
此时Io的电流向外，基于此点，故可以接一个栅极电阻后直接驱动IGBT，无需外接电路
当IF输入L时，Tr1截止，Tr2导通，此时VO=Vgnd+Vtr2=L
此时如果IGBT栅极上有残存的电荷，可通过Tr2到GND进行放电，关闭IGBT
逻辑关系如下
注意事项：
1. 为了保证电压的稳定，防止电压突变损坏IGBT，需要在8脚与5脚间需要接一个0.1uF的电容。
2. IGBT大多是工作于感性负载状态，当其处于关断状态，反并二极管正在反向恢复过程时，就会有很大的dv/dt加于CE两端，由于米勒电容的存在，I=C*du/dt,将会产生瞬间电流流向驱动电路，与栅极电阻作用，将产生电压，此电压若越过IGBT棚极开启电压，则会成IGBT误触发导通，因此提供负偏压-Vge能有效防止误触发，建议VE接负压。
3. 通常情况下，如果VGE过高，一旦发生过流或短路，栅压越高，则电流幅值越高，容易损坏IGBT，因此综上所述，实际工作时，建议Vcc=±15V。
