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采用INN2025设计快充电源

InnoSwitch-CP系列芯片集成了初级650 V MOSFET、初级侧控制器和次级侧同步整流控制器,芯片内部采用了一项创新型技术FluxLink磁隔离,隔离耐压高并省去光耦器,提高了产品的稳定性及使用寿命。用INN2025设计的5V快充电源,输出电流可达3A,芯片具有6%的电缆压降补偿 ,保证5V的稳压的输出。电路搭配快充协议芯片实现快速充电协议3.0 的支持。整个待机功耗非常低,效率高。

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k6666
LV.9
2
2019-08-08 12:32
标准的快充设计方案,利用快充协议芯片实现快充设计要求。
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k6666
LV.9
3
2019-08-08 12:32
大电流输出的设计有压降补偿功能是不错的,避免压降厉害,影响工作。
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gxg1122
LV.10
4
2019-08-08 13:07
@k6666
大电流输出的设计有压降补偿功能是不错的,避免压降厉害,影响工作。
电流大的时候输出电缆有压降,带电缆压降补偿主要增加一定比例的输出电压系数来补偿。
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2019-08-08 17:03
@k6666
大电流输出的设计有压降补偿功能是不错的,避免压降厉害,影响工作。
INN2025芯片是有压降补偿功能的,对于产品的输出稳定性有益处。
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2019-08-08 17:05
@gxg1122
电流大的时候输出电缆有压降,带电缆压降补偿主要增加一定比例的输出电压系数来补偿。
该芯片设计的电源,电缆压降补偿功能只能在恒压下工作,恒流的时候电压环路不工作。
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wyhl
LV.8
7
2019-08-08 19:41
@奋斗的青春
该芯片设计的电源,电缆压降补偿功能只能在恒压下工作,恒流的时候电压环路不工作。
芯片内部独特的磁通信隔离技术提供了隔离2电压,也减小了产品的体积尺寸,效率也高。
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wyhl
LV.8
8
2019-08-08 19:41
@奋斗的青春
INN2025芯片是有压降补偿功能的,对于产品的输出稳定性有益处。
快充电源的设计基本都是大电流输出,这时候线损是比较大的,需要补偿。
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2019-08-09 09:31
@k6666
大电流输出的设计有压降补偿功能是不错的,避免压降厉害,影响工作。
如果电压降超过5%,最好的补偿办法是加大线径,减小线损。所以补偿方式最省成本。
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2019-08-09 09:33
@wyhl
快充电源的设计基本都是大电流输出,这时候线损是比较大的,需要补偿。
调整升高变压器的输出电压,也能保证终端的电压满足要求,但是不利于电器的安全,所以调整的电压上限是应该限制的。
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2019-08-09 09:34
@wyhl
芯片内部独特的磁通信隔离技术提供了隔离2电压,也减小了产品的体积尺寸,效率也高。
FluxLink™磁感双向通信技术,可确保在原方和副方之间实现加强绝缘,从而树立绝缘完整性和可靠性的新标准。
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gxg1122
LV.10
12
2019-08-09 13:13
@奋斗的青春
调整升高变压器的输出电压,也能保证终端的电压满足要求,但是不利于电器的安全,所以调整的电压上限是应该限制的。
不能单纯的提高变压器的输出,这样会烧坏后级电路的。根本原因还是线损导致的。
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紫蝶
LV.9
13
2019-08-09 21:35
@奋斗的青春
FluxLink™磁感双向通信技术,可确保在原方和副方之间实现加强绝缘,从而树立绝缘完整性和可靠性的新标准。
INN2025芯片的fluxlink技术大大减小了电路设计体积。提高了产品应用。
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紫蝶
LV.9
14
2019-08-09 21:36
@wyhl
快充电源的设计基本都是大电流输出,这时候线损是比较大的,需要补偿。
快充电源的设计大大缩小了充电时间,充电时发热比较厉害,需要注意散热。
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2020-03-10 19:24
@奋斗的青春
INN2025芯片是有压降补偿功能的,对于产品的输出稳定性有益处。
新的这种芯片主要还是由于高效率、小体积,可以将电源设计的紧凑些。
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