请教一下LLC管子有时候Vds并电容是什么目的？

IGBT存在结电容，大概是几nF，这个电容会与电感形成谐振，谐振频率超过1MHz，由于导线存在微弱的电感，对于足够高的频率，感抗也开始有所体现，致使谐振电压峰值甚至比电源电压高，能达到几百V，这种高频的动态电压危害很大。

并联小电容后，可以让谐振不从IGBT内部走，从外部的小电容旁路。

IGBT内部电容有两个通道，一是CE间电容，一是BC间电容。

上面相当于加电容后的效果，下面的图相当于没有并联小电容的效果。

可以看出，外部并联电容后，振荡频率和幅度会明显减小。

这个图是借另外一个网友的发贴（https://www.dianyuan.com/bbs/2431524.html），很能说明问题，就转到这里了，

对的，小功率情况下，大谐振电感情况下，这个电容是不需要的。

大功率情况下，当谐振电感只有不到200uH时，这个电容是不可缺少的。

具体的情况很复杂，我只是表述了其中的很小一部分。

甚至，有时候，这个电容是起到反作用的。

一样的，没差别哦，IGBT和MOS，全桥谐振和LLC，面对这些问题的表现都是一样的

而且，你结尾不应该用问号，应该用感叹号才对啊

面对问题，每个人都会有所领悟，千人千面，肯定不一定正确。

那么，你的见解是什么呢，能分享一下吗？

你所陈述的内容本身没有问题，我的意思是你的回答不切题，与楼主的疑问没有关系。

关于MOS并联电容的目的：以移相全桥为例，为了满足死区时间内开关管的ZVS，要求死区时间＞Tzvs/4，Tzvs=1/Fzvs=2π√（Lr*2Coss），大功率场合Lr选的比较小，导致Tzvs小，死区时间又不能太小，为了满足ZVS不失效，需要给MOS外并电容来延长谐振时间（Tzvs）。

LLC与移相全桥类似（指死区时间内的谐振过程）。

谐振电感200uH?

这得多大的功率多低的频率啊....

特别赞成这个能改善EMI的说法。

别的各种理论，都是推论或推测，改善EMI的最直观有效的结果。

如果 谐振电感足够大呢，还用并联电容吗？

功率越大，电感量必须足够小，不然谐振周期太大，会产生可闻噪音。

比如功率10KW时，电感量一般是不超过200uH的。

按照我自己的经验，这个电容对电路稳定性有一点改善，但很小，对于EMI方面，没有在意过。

问题的根本是什么？ZVS都没有实现，何谈EMI。

谐振电感为什么不能太大？只是谐振周期加长了这一种原因？那给MOS并联电容不也是让谐振周期变长了吗。

谐振电感在小功率电源中也不会超过100uH（一般几十uH）的，大功率时更不可能。

回复一下吧，闲着也是闲着。

电流越大，电感必须相应减小，类似BUCK电路的电感选取规则，如果电感量过大，谐振能量（谐振电流和谐振电压）会大幅度减小，不止是周期问题。

给MOS管并联电容，不影响谐振周期，它不参与谐振。

如果做几十KW功率，电感量一般不会超过100uH的，不然功率峰值会受到限制。

几十瓦规格的小功率电源，电感量必须要大，需要几百uH甚至mH级别。如果电感量过小，输出能量会很高，很难控制在小功率状态。

我说这些，你认为有哪里不正确吗，欢迎指正。

这个电容在MOS开通时相当于电容短路一样，迅速通过MOS放电，这增加了MOS开通时的负担（损耗）

问题是并不能全范围ZVS