申请理由：1. 没有玩 SiC-MOSFET, 想与普通MOS管做个对比测试。

                2.  没有用过罗姆元器件，借此机试用一回。

我的试用规划是：1. 做个500W充电器看此器件能提升多少效率

尊敬的主办方：

本人是主要从事200W以内的源研发，看到主办法举办这个活动后，非常想试用SiC-MOSFET评估板P02SCT3040KR-EVK-001 ，本人的申请理由下：

1. SIC MOSFET 取代IGBT是趋势，本人有做过IGBT的项目，现在想试用下SIC  MOSFET的评估板来和IGBT做个比较。

2. 未试用过罗姆的SIC  器件， 想以此机会评测罗姆公司的SIC 产品，也为本公司储备器件供应商资料。

试用规划是：

1.根据评估板的参 先评测下评估各项电源指标：效率、对应带宽的纹波、澡音、电压调整率、负载调整率、温飘系数等；

2.与本评估板相类似功率的电源且使用IGBT器件的电源对行各参数进行比较优劣；

3.最后本网站发布使用心得。

尊敬的主办方：本人是主要从事电力电子变换器研发，看到主办法举办这个活动后，非常想试用SiC-MOSFET评估板P02SCT3040KR-EVK-001 ，本人的申请理由下：

1. 本人准备在项目中应用贵公司的SIC  MOSFET

2. 学习罗姆的SIC  器件应用。

3.以后向朋友推荐

试用规划是：1.根据评估板的参 先评测下评估各项电源指标：

2.测试输入输出波形；

3.最后本网站发布使用心得。

尊敬的主办方：

本人是南京韦兹科技的新人所以本人对此很有兴趣，本人的申请理由下：

1. SIC MOSFET 取代IGBT是趋势，本人有做过IGBT的项目，现在想试用下SIC  MOSFET的评估板来和IGBT做个比较。

2. 未试用过罗姆的SIC  器件， 想以此机会评测罗姆公司的SIC 产品，也为本公司储备器件供应商资料。

试用规划是：

1.根据评估板的参 先评测下评估各项电源指标：效率、对应带宽的纹波、澡音、电压调整率、负载调整率、温飘系数等；

2.与本评估板相类似功率的电源且使用IGBT器件的电源对行各参数进行比较优劣；

3.最后本网站发布使用心得。

尊敬的主办方：

本人是在校研究生，专业方向是电力电子方面的，对电源设计有浓厚兴趣，曾多次参加电子设计竞赛等相关活动，申请理由如下：

1. SIC、GaN是近年来大家一直提倡发展的功率器件，相比于 MOSFET 、IGBT更具有优势，但是由于能力和精力有限，自己做的板子和工程实际应用还是有很大差距的，所以想申请贵公司的评估板                              研究一下。

2. 没有使用过贵公司的相关产品，想借此机会了解一下，作为实验室采购渠道的参考。

试用规划如下：

1.根据提供的使用手册先评测额定负载下板子的各项电源指标包括效率，纹波，负载调整率等，然后加大负载持续工作评估其稳定性。

2.针对于评估板的测量数据与其他商家相关类似的电源做对比分析；

3.最后本网站发布使用心得。

尊敬的主办方您好：

      本人是在校研究生一枚，有幸看到这则消息，想要申请贵公司的评估版，申请理由如下：

1.本人大论文课题是sic mosfet模型的研究，现在正在进行双脉冲实验，以后打算做一个基于sic mosfet的PFC电路，故想申请贵公司的评估板。

2.本人手里有几颗cree公司的c3m0065090d,还有几颗贵公司的sct2080ke,打算做一些这两个产品的对比性实验。

3.本人在恩智浦半导体实习，有幸了解到IGBT驱动的芯片以及外围电路，想要研究一下IGBT的驱动和mosfet的驱动的差异主要体现在哪些方面，以及有多大。

       使用计划：

1.做双脉冲实验，对比两种产品的差异，以及动态特性的差异，还有栅极电阻在不同电路下的影响程度。

2.用IGBT的驱动电路驱动sic mosfet，与贵公司的驱动电路进行对比，看优势有多大。

3.测试基于sic mosfet的电源相关参数，如效率，功率因数，过流，纹波等。