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免费送!罗姆碳化硅功率管评估板免费试用 火热招募中
阅读: 6315 |  回复: 28 楼层直达

2019/06/14 15:13:43
1
试用君
电源币:4 | 积分:18 主题帖:9 | 回复帖:39
LV4
连长

QQ截图20160321155901 内容精选】管理员精心选择的优质内容 快来讨论吧



哈喽 ~ 艾瑞巴蒂

最近 电源网-试用君 还是超给力哒

又给大家带来一款新的评估板试用

由罗姆提供的SiC-MOSFET 评估板

肿么样!有木有很洋气

快来申请吧……


试用产 ROHM(罗姆)SiC-MOSFET 评估板P02SCT3040KR-EVK-001


试用数量 5套


市场价格 2000+元


产品介绍



         SiC-MOSFET 评估板P02SCT3040KR-EVK-001适用于ROHM的1,200V/20A、500kHz SiC MOSFET的评估内置绝缘栅极驱动IC (BM6101FV-C),简单即可进行TO-247 3pin与4pin封装的特性比较!

        

         应用手册下载:资料稍后公布,敬请期待


         更多产品信息:点击这里可直接查看


如何申请

         1. 电源网用户均可参加点击这里,立即注册

         2. 申请试用的网友请在本帖下方进行回复,详细说明自己的申请理由试用规划理由和规划缺一不可

          回帖举例:

       我的申请理由:1. __________________  2.__________________   3.__________________……

       我的试用规划是:1. __________________  2.__________________   3.__________________……

         3. 最终将根据回帖内容评选出 5名 幸运网友获得免费试用机会,评选结果将以电子邮件和站内信通知入围试用的网友,落选的就不通知咯

         PS:为方便邮寄产品,请大家完善信息后再申请试用。


试用时间安排

  申请试用: 6月18~7月9日

  名单公布: 7月10日-7月15日

  邮寄产品: 7月16~7月19

  产品试用帖产出: 8月19日前

 

试用流程      

         申请试用 → 根据申请理由和试用规划抽选 → 邮寄产品 → 发布试用帖


试用要求

   1. 参与试用的网友需发表至少 1篇 试用帖到 电源技术综合区版块,(版区链接:http://www.dianyuan.com/bbs/dianyuan/

    试用帖标题统一为:【亲测ROHM评估板】+自主标题

   2. 试用体验帖须图文并茂,须包含:① 产品开箱照  ②测评过程及测评照片展示 或是 产品设计全过程  ③产品试用总结。

 

【奖项设置】

          免费获得试用产品!免费! 免费!

 

喜欢动手,乐于实践的你

还在等什么

赶紧跟帖回复申请免费试用吧!


 

2019/06/16 07:01:59
2
lingyan[实习版主]
电源币:891 | 积分:34 主题帖:19 | 回复帖:1153
LV8
师长
好活动
2019/06/18 09:17:56
3
试用君
电源币:4 | 积分:18 主题帖:9 | 回复帖:39
LV4
连长
谢版主支持,还请不要灌水,如觉得不错,请按要求回帖申请,谢谢配合。
2019/06/19 18:02:51
4
zdr665
电源币:1866 | 积分:0 主题帖:5 | 回复帖:51
LV4
连长

申请理由:1. 没有玩 SiC-MOSFET, 想与普通MOS管做个对比测试。

                2.  没有用过罗姆元器件,借此机试用一回。

我的试用规划是:1. 做个500W充电器看此器件能提升多少效率

2019/06/19 19:06:42
5
zzq5008
电源币:51 | 积分:2 主题帖:7 | 回复帖:21
LV4
连长
我也想试用这个Demo板子 1.我想知道其原理图。 2.我想做一个功率比较大的电源 3.也想知道这个管子和普通管子有什么区别。 我的规划是想用这个管子做一款功率比较大的电源
2019/06/19 23:55:28
6
jhcj2014
电源币:254 | 积分:2 主题帖:0 | 回复帖:3
LV1
士兵

尊敬的主办方:

本人是主要从事200W以内的源研发,看到主办法举办这个活动后,非常想试用SiC-MOSFET评估板P02SCT3040KR-EVK-001 ,本人的申请理由下:

1. SIC MOSFET 取代IGBT是趋势,本人有做过IGBT的项目,现在想试用下SIC  MOSFET的评估板来和IGBT做个比较

2. 未试用过罗姆的SIC  器件, 想以此机会评测罗姆公司的SIC 产品,也为本公司储备器件供应商资料。

试用规划是:

1.根据评估板的参 先评测下评估各项电源指标:效率、对应带宽的纹波、澡音、电压调整率、负载调整率、温飘系数等;

2.与本评估板相类似功率的电源且使用IGBT器件的电源对行各参数进行比较优劣;

3.最后本网站发布使用心得。

2019/06/20 11:14:39
7
wht740129
电源币:0 | 积分:0 主题帖:0 | 回复帖:2
LV1
士兵

尊敬的主办方:本人是主要从事电力电子变换器研发,看到主办法举办这个活动后,非常想试用SiC-MOSFET评估板P02SCT3040KR-EVK-001 ,本人的申请理由下:

1. 本人准备在项目中应用贵公司的SIC  MOSFET

2. 学习罗姆的SIC  器件应用。

3.以后向朋友推荐

试用规划是:1.根据评估板的参 先评测下评估各项电源指标:

2.测试输入输出波形;

3.最后本网站发布使用心得。

2019/06/20 19:43:56
8
sunok
电源币:0 | 积分:3 主题帖:0 | 回复帖:2
LV1
士兵

尊敬的主办方:

本人是南京韦兹科技的新人所以本人对此很有兴趣,本人的申请理由下:

1. SIC MOSFET 取代IGBT是趋势,本人有做过IGBT的项目,现在想试用下SIC  MOSFET的评估板来和IGBT做个比较。

2. 未试用过罗姆的SIC  器件, 想以此机会评测罗姆公司的SIC 产品,也为本公司储备器件供应商资料。

试用规划是:

1.根据评估板的参 先评测下评估各项电源指标:效率、对应带宽的纹波、澡音、电压调整率、负载调整率、温飘系数等;

2.与本评估板相类似功率的电源且使用IGBT器件的电源对行各参数进行比较优劣;

3.最后本网站发布使用心得。

2019/06/21 18:36:46
9
cakesunshine
电源币:4 | 积分:0 主题帖:0 | 回复帖:3
LV1
士兵

申请理由:1. 对于MOS管引用了解较多,我们预研的项目准备使用SIC。对于SIC有简单的了解,但是实际SIC模块没有实际使用过

                         2.对比SIC模块与MOS管的性能,

                 3.对于IGBT的退保和检测有一定的了解,想学习退保和检测检测功能以及米勒钳位使用在SIC上

试用规划:1.测试DEMO板的相关性能指标,

                2.根据现在使用的SIC型号,寻找可以做替换的IGBT,测试相关性能指标;

                3.学习DEMO的相关布局

2019/06/21 19:00:18
10
木木杜
电源币:0 | 积分:5 主题帖:10 | 回复帖:16
LV4
连长

尊敬的主办方:

本人是在校研究生,专业方向是电力电子方面的,对电源设计有浓厚兴趣,曾多次参加电子设计竞赛等相关活动,申请理由如下:

1. SIC、GaN是近年来大家一直提倡发展的功率器件,相比于 MOSFET 、IGBT更具有优势,但是由于能力和精力有限,自己做的板子和工程实际应用还是有很大差距的,所以想申请贵公司的评估板                              研究一下。

2. 没有使用过贵公司的相关产品,想借此机会了解一下,作为实验室采购渠道的参考。

试用规划如下:

1.根据提供的使用手册先评测额定负载下板子的各项电源指标包括效率,纹波,负载调整率等,然后加大负载持续工作评估其稳定性。

2.针对于评估板的测量数据与其他商家相关类似的电源做对比分析;

3.最后本网站发布使用心得。

2019/06/22 20:23:18
11
Harry雨
电源币:1 | 积分:3 主题帖:1 | 回复帖:3
LV1
士兵

尊敬的主办方您好:

      本人是在校研究生一枚,有幸看到这则消息,想要申请贵公司的评估版,申请理由如下:

1.本人大论文课题是sic mosfet模型的研究,现在正在进行双脉冲实验,以后打算做一个基于sic mosfet的PFC电路,故想申请贵公司的评估板。

2.本人手里有几颗cree公司的c3m0065090d,还有几颗贵公司的sct2080ke,打算做一些这两个产品的对比性实验。

3.本人在恩智浦半导体实习,有幸了解到IGBT驱动的芯片以及外围电路,想要研究一下IGBT的驱动和mosfet的驱动的差异主要体现在哪些方面,以及有多大。

       使用计划:

1.做双脉冲实验,对比两种产品的差异,以及动态特性的差异,还有栅极电阻在不同电路下的影响程度。

2.用IGBT的驱动电路驱动sic mosfet,与贵公司的驱动电路进行对比,看优势有多大。

3.测试基于sic mosfet的电源相关参数,如效率,功率因数,过流,纹波等。

2019/06/30 14:51:20
12
wonder_
电源币:0 | 积分:0 主题帖:1 | 回复帖:2
LV1
士兵

主办方好,本人申请试用;

   试用原因:1.在设计某产品的换向电路中因MOSFET耐压问题,导致控制板合格率不高,欲采用耐压高的SIC器件重新设计 ;   

  试用规划:

1.采用SIC 的DEMO板测试特定负载下板子的SIC器件的工作状态,包括开关速度、热耗及稳定性。

2.对比SIC 的DEMO板和MOSFET电路的试验数据;

3.汇总试验结果书写实验报告。

     本人工作单位:北京华摄半导体科技有限公司

2019/07/01 13:42:23
13
俗世怂人
电源币:0 | 积分:3 主题帖:1 | 回复帖:6
LV2
班长

申请理由:1. 最近在做一个650W的电源模块,虽然朋友送我了几颗颗ROHM的SiC-MOS,但是对于SIC 的特性和驱动不是很了解,想借此机会学习

                2.  没有用过罗姆元器件,借此机试用一回。

我的试用规划是:1. 测试一些SiC的基本参数,可以的话,对比一下正在使用的GaN的管子。

                          2.学习SiC的驱动

2019/07/03 07:26:30
14
小矿石
电源币:1051 | 积分:0 主题帖:67 | 回复帖:1082
LV10
司令

试用的评估板这么多

碳化硅是未来的趋势,Rohm给力

我们从从650V-1700V都在用了

2019/07/03 16:36:11
15
jwdxu2009
电源币:130 | 积分:5 主题帖:16 | 回复帖:168
LV7
旅长
好产品,申请试用一下
2019/07/03 19:46:24
16
domoon
电源币:49 | 积分:0 主题帖:24 | 回复帖:39
LV4
连长
申请理由:目前产品使用的是1500V的mos,电源输入范围最大1500V,使用的双管反激,电压没有裕量,且高压段损耗较大,拟测试1700Vsic性能及可替代性。 试用规划:测试评估板驱动及各点波形,测试各工作点效率,测试温升情况。移植到原有双反激电源上测试工作情况及波形,评估可替代性。
2019/07/03 21:55:58
17
liweicheng
电源币:49 | 积分:0 主题帖:3 | 回复帖:41
LV4
连长

申请理由:1. 公司在研发应用SiC的MOS

                 2.三相的电源应用,搭配用1700V的碳化硅,竟然这么强悍,有些好奇

                 3.为以后产品上应用打个基础

试用规划:1.用示波器了解,各个驱动MOS的驱动电压和电流波形,证明SiC可以有1700V的应用

                2.测试该板子的电气相关的参数

                3.学习板子的Layout设计 ,还有安规,传导,辐射设计

2019/07/06 17:21:38
18
javike[荣誉版主]
电源币:2919 | 积分:67 主题帖:173 | 回复帖:3098
LV12
元帅

       我的申请理由:

      1. 有在用其他品牌的SICFET,但在相同工况下(电压、频率、功率相同)对比900V的MOSFET效率并没有提升,所以希望能用罗姆也验证一下。

     2. 想确认再500KHZ频率下SICFET的优势,比如反向恢复损耗和开关损耗。

       我的试用规划是:

       1. 先采用双脉冲法测试一下SICFET的动态参数,包括:反向恢复,DV/DT和DI/DT速率。

       2. 实测工作波形看看SICFET在高频下的优势,包括:开关损耗,导通损耗,以及温升特性。

2019/07/08 11:18:25
19
时雨晴天
电源币:0 | 积分:3 主题帖:0 | 回复帖:1
LV1
士兵

尊敬的主办方:

本人是在校博士研究生,硕士研究方向为异步、永磁电机驱动器控制,博士研究方向为车载充电机设计,在电机传动和电源两个方面均有装置设计、测试经验。

申请理由如下:

1. 目前所在实验室有1000V 10kW直流电源,200MHz示波器,200MHz差分电压探头,罗氏线圈探头等测试设备,可以满足SiC器件的测试和评估需求。

2. 已经自行设计过双脉冲测试平台并完成了对Cree c2m0040120d,Rohm sct3040等SiC、Si器件的对比测试,但由于使用了自行设计的PCB,在杂散电感控制和驱动选型等方面仍有待提高,因此想参考先进的工业设计方案。

3. 正在进行的横向项目需要设计新的驱动电路,目前使用的驱动芯片为TI UCC21521,暂未尝试过使用Rohm的芯片,想借此机会接触了解相关产品。

4. 已经完成的横向项目需要一个SiC器件作为对比目标,想借此机会了解Rohm的SiC器件。

试用规划如下:

1.根据提供的使用手册测试评估板的基本功能,复现手册中的测试工况。

2.将在相同的条件下对两款器件进行测试,第一款为Rohm评估板的器件,另一款为Si MOSFET,ST公司的STW21N90K5,900V18A,这个器件代表了Si器件的较高水平。将通过本测试对比SIC器件与较先进Si器件的开关性能。

3.如果可能,使用评估板进行双脉冲测试,并与我自行设计的双脉冲板在相同的工况下进行对比;

4.最后本网站发布使用心得。

2019/07/08 15:26:19
22
k6666
电源币:66 | 积分:0 主题帖:31 | 回复帖:233
LV7
旅长

申请理由:1. 之前没有用过SiC的芯片,想了解下性能。

                 2.后续电源开发选型会考虑这类芯片。

                 3.为后续产品设计提前储备知识。

试用规划:1.测试SiC的主要指标性能。

               2.原理设计理解。

2019/07/08 14:14:56
20
快乐的小天使
电源币:21 | 积分:9 主题帖:11 | 回复帖:62
LV4
连长

我的申请理由:1.测试过很多MOSFET的DCDC电路,SiC器件的MOS还没测试过  2.其他家的Demo板也测试过,对于方案引入和评估有较完备的测试流程   3.接触开关电源有一段时间,兴趣浓厚,很想学习了解

我的试用规划是:1.测试demo板基本的电源指标  2.结合手册对比验证SiC的内部参数,环境有限尽量多测一些,看一下管子的性能   3.烧机测试,测一些管子的极限状态。 整理数据和表格,与大家分享。

2019/07/08 14:44:20
21
浩浩呢
电源币:4 | 积分:6 主题帖:7 | 回复帖:9
LV2
班长

申请理由:

1.一个庞大的产品玩起来还是没有 一块专门的模块学的明白

2.头一次接触这个系列的,想多学习一下

试用规划:

1.测试相关的参数,查资料学习

2.分析研究原理图,多学习

2019/07/09 09:36:41
23
gxg1122
电源币:1040 | 积分:12 主题帖:156 | 回复帖:1412
LV9
军长
申请理由:1.学习未来发展趋势的SiC电路。 2.想看看这个DEMO板的性能。 3.提升自己开发设计技术。 试用规划:1.测试SiC的指标性能。 2.可以改造用在后续电源设计中。
2019/07/09 09:53:10
24
soap泡泡
电源币:0 | 积分:0 主题帖:9 | 回复帖:19
LV4
连长

申请理由:

1. 之前没有用过SiC的芯片,了解与GaN的性能区别。

2.方便后续电源选型及应用。

3.提升产品认识及技能。

试用规划:

1.测试SiC的主要指标性能。

2.测试高温。高功率,高压,高频特性。

3.了解稳定性及emi

2019/07/09 13:25:13
25
姑娘你真瞎
电源币:15 | 积分:3 主题帖:11 | 回复帖:20
LV4
连长

尊敬的主办方:

首先介绍一下自己,本人在学校实验室已3+年,有着丰富的电源方面经验。曾做过很多企业项目,包括高效率升压和降压转化、3600W大功率逆变等,自己也单独做过一些项目(1200W并网、高压电离氧气)。带领小组也参加过很多比赛,比如:全国大学生电子设计大赛、互联网+、iCAN国际大赛等。我们实验室也时长用贵方公司的产品,所以对贵公司的产品也有一定的了解,我们实验室常用到贵公司产的运放、MOS管、二极管等,感觉性能非常棒,功率损耗很小。


我的申请理由:

1、我对电源方面特别感兴趣,尤其是AC-DC,我曾做过,都是一些小功率(500W之内)效率最高不超过93%,所以很想能有机会试用贵公司的SiC-MOSFET 评估板P02SCT3040KR-EVK-001 能够从中得到学习。

2、我曾用过贵公司的生产的一些元器件,性能一般都是特别棒,所以想进一步试一试贵公司的这一款产品,对这款产品的介绍很感兴趣,很期待能够试用该产品的性能。

3、我想对比一下贵公司生产的该产品和其他公司生产的AC-DC的区别,功率、效率以及带感性容性程度。


我的试用规划是:

1、根据评估板给定的参数测其对应的功率、效率、电压调整率、负载调整率、带载容性感性能力、温漂系数、文波等。

2、对电路进行研究,找出所用电路原理。以及用 Rohm评估板的器件与Si MOSFET进行测试对比,通过本测试对比SIC器件与较先进Si器件的开关性能。

3、进行双脉冲测试,与其它公司的产品进行对比,对比两种产品的差异,以及动态特性的差异,还有MOS管在不同电路下的影响程度。

4、最后将所有的测试结果以及试用心得发布到本网站上。


希望贵公司能够给一次试用机会。

2019/07/09 18:45:35
26
kuamax123
电源币:43 | 积分:0 主题帖:0 | 回复帖:5
LV1
士兵

尊敬的主办方:首先,很感谢有这样的活动可以诸多爱好者更多的去了解熟悉SiC MOSFET的发展以及在实际工业应用中的现状。本人刚博士毕业半年,现为高校教师,从事电力电子系统状态监测与故障诊断相关研究,前期主要针对Si MOSFET以及IGBT开展了大量相关的器件特性分析、可靠性评估、在线状态监测等研究,积累了丰富的相关理论和实际经验。SiC MOSFET目前已在电动汽车、光伏发电系统等领域得到大量关注,罗姆公司一直处于半导体行业的领先地位,本人现阶段主要在开展SiC MOSFET并网逆变器健康状态监测研究,重点是SiC MOSFET的特性分析与参数监测,这也是本人想申请该评估板的原因之一,也希望借此取得的相关研究或分析结果可以进一步促进新型半导体功率器件的发展。

我的申请理由如下:(1)实验室具备相关的泰克示波器(带PWR模块可在线监测导通电阻)、电子负载等仪器,分析SiC MOSFET在特定工况下器件的开关特性与损耗,以及驱动电路的相关设计方案;(2)实验室具备高温箱等环境实验设备,分析高温环境下,SiC MOSFET相关参数的变化特性,如Vth,Rdson等。(3)基于实验室具备的FPGA+DSP开发板,试图开发一种可在线原位监测SiC MOSFET健康参数的测试平台,以便后续为光伏逆变器的PHM(故障预测与健康管理)奠定基础。

我的试用规划如下:(1)测试SiC MOSFET评估版在室温条件下的开关特性,并与传统IGBT进行对比,通过改变工况条件,分析开关管导通与断开阶段,器件振铃效应、拖尾电流现象以及功率损耗;

2)将评估板相关测试点引出至高温箱外部(便于测试用),在不同温度工作环境下,测试评估板的相关特性参数以及SiC MOSFET特征参数 Vth,Rdson的变化趋势,从而间接反映开关管的温度特性及损耗。

3)通过功率循环测试实验,加速SiC MOSFET退化,分析可表征该器件健康状态的特征参数,基于实验室已有开发平台,设计一种可在线监测该器件参数的测试电路/平台,为后续光伏发电系统PHM提供技术保障。

 

最后,感谢主办方、感谢电源网等支持该活动的有心人,希望有幸可以学习、研究罗姆SiC MOSFET评估板。

2019/07/10 10:33:57
27
电源网-天边
电源币:161 | 积分:396 主题帖:66 | 回复帖:1158
LV9
军长

感谢大家对本次罗姆试用活动的支持,目前试用活动已进入审核阶段,为方便您第一时间得到通知,请您尽快完善信息谢谢您的理解与支持!

点击链接可直接完善信息:https://www.dianyuan.com/index.php?do=me_user_profile&op=update

2019/07/16 23:41:02
28
流水禅心
电源币:44 | 积分:0 主题帖:70 | 回复帖:322
LV7
旅长
尊敬的主办方,我是电源公司一个项目负责人,目前评估板肯定是轮不到我了。看看有没有SiC器件样品,寄给我一些我试用下,我们自己画板子去验证。谢谢
2019/07/18 09:46:02
29
kuamax123
电源币:43 | 积分:0 主题帖:0 | 回复帖:5
LV1
士兵
麻烦咨询下,是不是评选结果还没出来呢啊? 
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