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tny276设计 的电源

TNY276芯片内部集成了一个700 V的功率MOSFET、振荡器、高压开关电流源、电流限流(用户可选)及热关断电路。IC产品系列采用开/关控制方式,提供一个灵活的设计方案,并且实现更低的系统成本及更大的输出功率范围。

该电路设计最低的系统成本及更出色的灵活性简单的开/关控制,无需环路补偿通过BP/M引脚电容值可选择不同的电流限流点更高的电流限流点可得到更高的峰值功率,或在开放式应用中得到更高的连续输出功率。

本次设计利用TNY276设计的7.4V电源,电路原理图如下:

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k6666
LV.9
2
2019-05-03 15:25
TNY276设计的电源功耗小,效率高,低成本的设计方案。
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svs101
LV.8
3
2019-07-14 22:25
不同的电容值确定不同的限流点,这个对于设计很方便。
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2019-07-21 21:49
@k6666
TNY276设计的电源功耗小,效率高,低成本的设计方案。
功率MOSFET、振荡器、高压开关电流源、电流限流(用户可选)及热关断电路
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xxbw6868
LV.9
5
2019-08-01 17:50
@k6666
TNY276设计的电源功耗小,效率高,低成本的设计方案。
TNY276目标是易用的低成本小功率市场,设计紧凑,使用体积小、低成本的EE16磁心.
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xxbw6868
LV.9
6
2019-08-01 17:51
@svs101
不同的电容值确定不同的限流点,这个对于设计很方便。
是的,在热要求不高的应用中,可以使用TNY275PN,工作在标准限流点(C3 = 0.1μF)来降低成本,其他不需要改变。
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dbg_ux
LV.9
7
2019-08-01 17:56
@xxbw6868
TNY276目标是易用的低成本小功率市场,设计紧凑,使用体积小、低成本的EE16磁心.
在小功率开关电源中,只需简单的EMI滤波器,并采用合理的接地技术,就比较容易满足EMC要求。
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2019-08-02 13:20
@扬州星辰电源
功率MOSFET、振荡器、高压开关电流源、电流限流(用户可选)及热关断电路
使用0.1μF  BP/ M引脚电容选择标称电流限值,这是典型封闭式适配器应用的正常选择,如果正常运用选择这个电容值就可以了。
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tabing_dt
LV.10
9
2019-08-02 13:40
@wengnaibing
使用0.1μF BP/M引脚电容选择标称电流限值,这是典型封闭式适配器应用的正常选择,如果正常运用选择这个电容值就可以了。
使用1μF BP/ M引脚电容时,电流限制会降低,从而降低RMS器件电流,从而提高效率,但代价是牺牲最大功率容量。
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k8882002
LV.9
10
2019-08-02 13:54
@wengnaibing
使用0.1μF BP/M引脚电容选择标称电流限值,这是典型封闭式适配器应用的正常选择,如果正常运用选择这个电容值就可以了。
如果使用10μF BP/ M引脚电容,那么电流限制会增加到高于标称值,在热条件允许的情况下需要更高功率的应用的功率容量。
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2019-08-04 11:27
@wengnaibing
使用0.1μF BP/M引脚电容选择标称电流限值,这是典型封闭式适配器应用的正常选择,如果正常运用选择这个电容值就可以了。
不同的电容容值带来不同的限流点,看时机设计选择合适的电阻就行。
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2019-08-04 11:28
@xxbw6868
TNY276目标是易用的低成本小功率市场,设计紧凑,使用体积小、低成本的EE16磁心.
TNY系列的产品输出功率都比较小,特点是功耗低,效率高,适合低成本的应用方案。
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2019-08-04 11:29
@xxbw6868
是的,在热要求不高的应用中,可以使用TNY275PN,工作在标准限流点(C3=0.1μF)来降低成本,其他不需要改变。
标准限流点和其他限流点的成本差异主要 是在哪里了?
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2019-08-04 11:30
@tabing_dt
使用1μFBP/M引脚电容时,电流限制会降低,从而降低RMS器件电流,从而提高效率,但代价是牺牲最大功率容量。
这个设计看应用需求,追求效率高,低功耗的话就选择1uF的,最大功率余量充分就行。
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2019-08-04 11:31
@xxbw6868
TNY276目标是易用的低成本小功率市场,设计紧凑,使用体积小、低成本的EE16磁心.
不同的磁芯输出功率大小是不一样的,结合最大输出功率选择合适的低成本磁芯。
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谢厚林
LV.12
16
2020-12-14 22:13
不能用TVS管做钳位
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