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INN2215设计的电源

Innoswitch - cp 是PI的一款高性能大功率的电源转换芯片，常用语工业 AC / DC隔离设计，芯片内部集成了多种保护功能及耐高压MOSFET管，可增强系统可靠性，同步整流计算可提高整个负载范围内的效率，并实现小于10 mW的空载功耗。  

     设计中主要采用INN2215K设计的低成本、高效率快速充电适配器，用eSOP-R16B封装，这种封装体积很薄，散热性能更好，PCB设计的时候很容易实现散热。电源可提供5 V/3 A、9 V/2 A和12V/1.5 A输出。整体工作稳定。

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奋斗的青春
LV.10
2
2019-02-21 13:41
INN2215内部集成的MOSFET耐压650V，现在INN3系列的有的耐压到900V。
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gxg1122
LV.10
3
2019-02-22 12:50
用eSOP-R16B封装，整个innoswitch系列的特色。
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k6666
LV.9
4
2019-02-22 12:59
@奋斗的青春
INN2215内部集成的MOSFET耐压650V，现在INN3系列的有的耐压到900V。
内部集成的MOSFET管耐压看需要。
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wyhl
LV.8
5
2019-02-22 14:35
@奋斗的青春
INN2215内部集成的MOSFET耐压650V，现在INN3系列的有的耐压到900V。
现在的功率MOSFET集成起来好用多了。
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wyhl
LV.8
6
2019-02-22 14:36
@k6666
内部集成的MOSFET管耐压看需要。
一般的设计是满足要求。
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wyhl
LV.8
7
2019-02-22 14:37
@gxg1122
用eSOP-R16B封装，整个innoswitch系列的特色。
eSOP-R16B封装利用散热。
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大海的儿子
LV.10
8
2019-02-22 22:44
@gxg1122
用eSOP-R16B封装，整个innoswitch系列的特色。
eSOP-R16B的散热性能更好，所以功率可以做得更大。而产品的体积确可以做的更薄。
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奋斗的青春
LV.10
9
2019-02-23 17:12
@wyhl
一般的设计是满足要求。
对的。差模电感组成CLC π式滤波电路。
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dbg_ux
LV.9
10
2019-02-23 21:47
@奋斗的青春
INN2215内部集成的MOSFET耐压650V，现在INN3系列的有的耐压到900V。
Innoswitch里的INN2904K的开关管耐压值就是900V的，可以用在工业上，一般的电源725V耐压的开关管足够了。
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dbg_ux
LV.9
11
2019-02-23 21:52
INN2215还对输入电压进行监测，这样可以更精确的电压缓升/跌落保护和过压保护
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大海的儿子
LV.10
12
2019-02-23 21:56
@wyhl
现在的功率MOSFET集成起来好用多了。
QC3.0可以输出5 V、9 V、12 V和20V电压，比上一代QC 2.0更进一步提升充电效率和加快充电速度。
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wyhl
LV.8
13
2019-03-03 20:34
@大海的儿子
QC3.0可以输出5V、9V、12V和20V电压，比上一代QC2.0更进一步提升充电效率和加快充电速度。
速度快充电电流大，现在的电源设计方案比较成熟。
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wyhl
LV.8
14
2019-03-03 20:36
@dbg_ux
Innoswitch里的INN2904K的开关管耐压值就是900V的，可以用在工业上，一般的电源725V耐压的开关管足够了。
pi的芯片里好像只有这个芯片集成耐压可以达到900V，其他的都低。
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wyhl
LV.8
15
2019-03-03 20:38
@大海的儿子
eSOP-R16B的散热性能更好，所以功率可以做得更大。而产品的体积确可以做的更薄。
这种封装的电源功率大，散热也好，快充设计产品体积也小。
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