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双管正激驱动电路问题

     

这两种双管正激驱动电路都有见过,现在有个问题想请教一下,电路1的驱动变压器是不是要1:2:2?  这个电路G极是有负压的?电路2的变压器是不是1:1:1?没有负压?

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zwic
LV.5
2
2019-01-14 18:23
第二种加整流的驱动没有见过,D9和D14在这里不利于快速关断,驱动变压器一般是1:1多一点,次级比初级多一两圈.
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2019-01-15 08:24
两种都有见过,第一种电路最好在副边串颗电容,电容上并颗电阻,第二种电路驱动能力强,但是关断有点慢了!
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pcwuhui
LV.1
4
2019-01-15 09:48
@firefox886
两种都有见过,第一种电路最好在副边串颗电容,电容上并颗电阻,第二种电路驱动能力强,但是关断有点慢了!
驱动变压器的比例呢
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2019-01-15 10:17
比例那有固定的啊,这个都是根据你用的磁芯大小以及需要来计算的!
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2019-01-15 11:14
@firefox886
比例那有固定的啊,这个都是根据你用的磁芯大小以及需要来计算的!


你可以适当提高VCC电压,13V没问题的。




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pcwuhui
LV.1
7
2019-01-15 12:54
@水乡电源
你可以适当提高VCC电压,13V没问题的。
第一种电路我原来的电源上用过,实际量GS电压的话是+-7伏左右,VCCS 15V的。MOS的G极本来就是可以+-20V或者+-30V,所以有负压也没有去处理。现在有个新板子换成第二种电路,波形是漂亮一点,可是驱动变压器前段的RCD功耗比较大。
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2019-01-15 14:09
@pcwuhui
第一种电路我原来的电源上用过,实际量GS电压的话是+-7伏左右,VCCS15V的。MOS的G极本来就是可以+-20V或者+-30V,所以有负压也没有去处理。现在有个新板子换成第二种电路,波形是漂亮一点,可是驱动变压器前段的RCD功耗比较大。
可以把rcd改为有源钳位,正激驱动很强悍的!特别是跑高频的时候,你才能发现他的威力!第一种电路如果副边不加电容不适合LLC与移相全桥!
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2019-01-15 19:33
@firefox886
可以把rcd改为有源钳位,正激驱动很强悍的!特别是跑高频的时候,你才能发现他的威力!第一种电路如果副边不加电容不适合LLC与移相全桥!


第2种多好多零件,布板占地方,成本高

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2019-01-15 19:34
@firefox886
比例那有固定的啊,这个都是根据你用的磁芯大小以及需要来计算的!
哎...
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2019-01-15 19:45
@firefox886
哎...
军座叹气啊?
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ruohan
LV.9
12
2019-01-16 09:09
@水乡电源
军座叹气啊?

遇见过温度高,驱动变压器饱和的不,

第二种是没有见过,驱动后面竟然用个二极管

不知道怎么去关断MOS .

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2019-01-16 09:31
@ruohan
遇见过温度高,驱动变压器饱和的不,第二种是没有见过,驱动后面竟然用个二极管不知道怎么去关断MOS.
高温下驱动变压器饱和与你变压器线圈匝数,磁芯材料有关!
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Habsburg
LV.1
14
2019-01-18 16:56
@pcwuhui
第一种电路我原来的电源上用过,实际量GS电压的话是+-7伏左右,VCCS15V的。MOS的G极本来就是可以+-20V或者+-30V,所以有负压也没有去处理。现在有个新板子换成第二种电路,波形是漂亮一点,可是驱动变压器前段的RCD功耗比较大。
这两种我都曾经用过,第一种你的这种情况是驱动变压器之前的电容太大了,你放一颗104的负压就没有那么大了,幅值不变从而正压就大了。但是还是建议1:1.5:1.5,有一定的负压也能提高可靠性。第二种电路是没有负压的,但是可以加速关断,对于频率高或者需要同步整流等对驱动要求很高的应用,第二种应用就非常适合。当然还有驱动功率大的优点两位版主都表述了,第二种电路的三极管选择也是一个难点,需要使用一个高压的三极管,就不会出现上面版主说的损坏的问题,我们当时也在这上面浪费了很长的时间。
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Habsburg
LV.1
15
2019-01-18 17:11
@水乡电源
你可以适当提高VCC电压,13V没问题的。
版主你好,第一种串电容不是为了隔直通交吗?不加电容的话,图腾柱需要提供的能量很大,并且直流分量会使波形有一定的畸变,这是不带MOS时测量的情况,所以还是串联一个电容比较好,如果那里说的不对望赐教。
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2019-01-18 20:13
@firefox886
高温下驱动变压器饱和与你变压器线圈匝数,磁芯材料有关!

驱动变压器推荐是1:1:1



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2019-01-18 20:26
@firefox886
比例那有固定的啊,这个都是根据你用的磁芯大小以及需要来计算的!
哎...
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XRoad
LV.3
18
2019-05-22 18:01
@水乡电源
驱动变压器推荐是1:1:1
驱动电压低,RDson大,mos损耗大
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2019-05-22 18:12
@firefox886
哎...

驱动变压器都是1:1:1


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ta7698
LV.9
20
2019-05-23 09:08
第二种电路纯属画蛇添足,驱动变压器用1:1:1就好,负压正好用来加速关断。
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2019-05-23 09:21
@ta7698
第二种电路纯属画蛇添足,驱动变压器用1:1:1就好,负压正好用来加速关断。

驱动变压器用1:1:1,三个绕组能很好的绕线,很平整,也能很好的耦合,


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2019-05-23 09:56
@水乡电源
驱动变压器用1:1:1,三个绕组能很好的绕线,很平整,也能很好的耦合,
那你为什么不把你的驱动电压设置在2.5-4伏之间呢?
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2019-05-23 10:32
@水乡电源
驱动变压器用1:1:1,三个绕组能很好的绕线,很平整,也能很好的耦合,
看看mos的开通曲线吧,完全导通基本都要保证在10v左右,1比1比1的变比在接近最大占空比的时候只有输入电压的一半,一般控制芯片哪里有20v输出的pwm,如正常是15v为了保证可靠驱动变比一般设置到1比1.6左右,为什么不是2,因为最小占空比的时候,几乎承受了全部耐压,15v的输入乘2的变比就30v了,有可能会击穿管子
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2019-05-23 12:06
@xd285070
看看mos的开通曲线吧,完全导通基本都要保证在10v左右,1比1比1的变比在接近最大占空比的时候只有输入电压的一半,一般控制芯片哪里有20v输出的pwm,如正常是15v为了保证可靠驱动变比一般设置到1比1.6左右,为什么不是2,因为最小占空比的时候,几乎承受了全部耐压,15v的输入乘2的变比就30v了,有可能会击穿管子


10V是每个MOS的PDF规格书的建议幅值

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2019-05-23 12:20
@水乡电源
10V是每个MOS的PDF规格书的建议幅值

多数芯片电压的VCC是12-15V,


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2019-05-23 12:23
@水乡电源
多数芯片电压的VCC是12-15V,

可能是台达的工程师水平没有二位的高,

二位应该进台达去给台达的工程师上上课。

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shao456
LV.6
27
2019-05-23 14:10
这两种驱动在实际应用中都有体现,图1属于图腾柱式隔离驱动方案,驱动带负压;图2是正激式隔离驱动方案,后端带整流,所以没有负压;两种驱动电路都没有问题,脉冲变压器的变比均为1:1:1。
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2019-05-23 20:04
@水乡电源
多数芯片电压的VCC是12-15V,
水版主,你想4V驱动还不好办么?这个问题应该难不到你这位大版主吧!我就想看看大版主的4V驱动的电源!
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2019-05-23 20:27
@shao456
这两种驱动在实际应用中都有体现,图1属于图腾柱式隔离驱动方案,驱动带负压;图2是正激式隔离驱动方案,后端带整流,所以没有负压;两种驱动电路都没有问题,脉冲变压器的变比均为1:1:1。

学习

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2019-05-23 20:40
@水乡电源
学习



好了

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2019-05-23 21:20
@水乡电源
可能是台达的工程师水平没有二位的高,二位应该进台达去给台达的工程师上上课。

变比多少是要综合考虑的,比如驱动后级电路,初级的驱动电平,1:1:1做驱动变压器大把的是,但是设计不当,炸的一塔糊涂,就像你说的38xx可以工作在8.6V,那在掉电过程的时候,38xxVCC只有8.6V了,占空比开到最大的时候,1:1:1的驱动变压器,像图1的驱动,输出级的驱动正压是多少V?mos会不会有机会工作在线性状态?

怎么就扯到台达去了,怎么不去韩国

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