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一个基础问题,为什么衡量导通损耗,MOS管是导通电阻,而IGBT是导通压降?
阅读: 1080 |  回复: 3 楼层直达

2018/12/27 22:04:21
1
lidijia
电源币:0 | 积分:2 主题帖:102 | 回复帖:7
LV5
营长

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MOS管Vds与Id之间的关系是线性关系?斜率就是Rdon?

而IGBT的Vce和Ic之间的关系是怎么样一个关系?

标签 MOSFET IGBT
2018/12/27 22:28:02
2
bpyanyu
电源币:446 | 积分:0 主题帖:24 | 回复帖:562
LV8
师长

从问题可以看出来你没学好模拟或没学过模拟

MOS管可以看成一个压控电阻,在放大区的时候RDS和VGS成线性关系,超出放大区的时候MOS完全导通,此时在MOS上的损耗=I^2*Rds,RDS此时基本是不变的,可以看成是一个常量,所以他的斜率就是RDS.

而三极管是非线性元件,饱和导通的时候VCE压降与ICE电流无关,所以三极管上的损耗=ICE*VCE,VCE在驱动电流超过一定值时也是基本不变的,也可以看成一个常量,所以你懂的。

IGBT属于三极管和MOS管的结合的一个元件,用电压驱动,但VCE与三极管的是一样的,所以它的损耗=ICE*VCE,与三极管的计算是一样的

2018/12/27 23:26:30
3
lidijia
电源币:0 | 积分:2 主题帖:102 | 回复帖:7
LV5
营长

从图像来说,在固定某个驱动电压值时,IGBT的伏安特性的线性度要比MOS管好啊。为何指标上不规定某几个常用驱动电压时的等效导通电阻呢?而且从图像上看,MOS管也存在类似IGBT饱和区的恒流区

2018/12/27 23:31:29
4
lidijia
电源币:0 | 积分:2 主题帖:102 | 回复帖:7
LV5
营长

VCE在驱动电流超过一定值时也是基本不变的,也可以看成一个常量

这句不对吧?

当三极管饱和后,进入的是恒流区域,栅极驱动电流与集电极电流无关,集电极电流也与集电极-发射极电压无关,恒定的是集电极电流,而不是集电极-发射极电压即饱和压降吧?

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