5V7A充电器纹波不大杂波很大怎么办？？求高手指点！！！！

各位做电源朋友们：

你们好！！

本人最近做了一个5V7A多口输出的充电器，测试时出现纹波不大杂波很大怎么办？？求高手指点！！！！

下面我把相关资料发出来，请那位大师指点一下了！！！

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凤凰息梧桐

LV.7

2018-07-02 10:06

期待大神啊

晨光o夕阳

LV.2

2018-07-02 10:17

@凤凰息梧桐

期待大神啊

好像是高频的干扰，变压器不好改的话，试试在输出端子下加贴片陶瓷电容，输出对FG加Y电容

峰谷浪子

LV.1

2018-07-02 14:53

@凤凰息梧桐

期待大神啊

1.首先要确定测试纹波的方法是否正确，带宽限制在20M,用X1的电压探头（接地线尽可能短），并联0.1uF瓷片电容；

2.电源工作在连续模式，在该模式下MOS的硬开通过程引起的开关噪声比其它模式都要大，所以相对来说噪声也更高些。可以在输出滤波中考虑加小电感组成的派型滤波器对该噪声进行滤除；

3.同步整流上的RC吸收部分可以再加大些，但会影响效率；

4.选择输出电容Coss更小的MOS管。

mfkdcet

LV.8

2018-07-03 16:27

**此帖已被管理员删除**

yunfengzyf

LV.6

2018-07-03 20:24

@mfkdcet

**此帖已被管理员删除**

不好意思，做充电器复边反馈不考虑！！

yunfengzyf

LV.6

2018-07-03 20:29

@峰谷浪子

1.首先要确定测试纹波的方法是否正确，带宽限制在20M,用X1的电压探头（接地线尽可能短），并联0.1uF瓷片电容；2.电源工作在连续模式，在该模式下MOS的硬开通过程引起的开关噪声比其它模式都要大，所以相对来说噪声也更高些。可以在输出滤波中考虑加小电感组成的派型滤波器对该噪声进行滤除；3.同步整流上的RC吸收部分可以再加大些，但会影响效率；4.选择输出电容Coss更小的MOS管。

谢谢指点！原来是打算上一个差模电感的，但是由于板子空间的不足而取消了！！测试时输出是有并104和10UF电容的,用8A600普通MOS还比较烫，现在用的是8A650V的COOL MOS

yunfengzyf

LV.6

2018-07-03 20:36

@晨光o夕阳

好像是高频的干扰，变压器不好改的话，试试在输出端子下加贴片陶瓷电容，输出对FG加Y电容

谢谢指点！输出到FG接Y电容，请问是指输出的地到FG变压器的地脚吗？是不是相当于和同步整流的MOS相并呢？？是接102M的Y电容吗？？下面是我的变压器资料供分析

峰谷浪子

LV.1

2018-07-04 09:34

@yunfengzyf

C3虽然对辐射有好处，但对效率和MOS的温升有较大影向，建议取消。如果一定要加，必须串联电阻。

mfkdcet

LV.8

2018-07-04 10:00

@yunfengzyf

不好意思，做充电器复边反馈不考虑！！

FT8324D可以做50W。现在N多客户拿来做PD18W+QC3.0,或做2路QC3.0

yunfengzyf

LV.6

2018-07-04 11:59

@峰谷浪子

C3虽然对辐射有好处，但对效率和MOS的温升有较大影向，建议取消。如果一定要加，必须串联电阻。

谢谢指点！这个我也知道，担是不并电容辐射比较难过，现在加的是47PF，对MOS温度和效率影响不是很大。

yunfengzyf

LV.6

2018-07-04 21:57

@晨光o夕阳

好像是高频的干扰，变压器不好改的话，试试在输出端子下加贴片陶瓷电容，输出对FG加Y电容

加104M，471M，103M都没什么效果，请问加多大的电容合适呢？？？

yunfengzyf

LV.6

2018-07-05 14:16

@mfkdcet

[图片]FT8324D可以做50W。现在N多客户拿来做PD18W+QC3.0,或做2路QC3.0

PSR IC外置MOS还要加个三极管，驱动能力不足吗？？？

yunfengzyf

LV.6

2018-07-05 21:38

@凤凰息梧桐

期待大神啊

还是没有解决呢？？？大神们放假了吗？？？

mfkdcet

LV.8

2018-07-06 08:53

@yunfengzyf

还是没有解决呢？？？大神们放假了吗？？？

可以试一下FT8324D

世界真奇妙

2018-07-07 13:00

从1贴的波形看，输出纹波不大于30mV，电噪声（杂波）峰峰值大于250mV。

请问楼主，要把电噪声降到什么水平？

世界真奇妙

2018-07-07 13:47

@世界真奇妙

从1贴的波形看，输出纹波不大于30mV，电噪声（杂波）峰峰值大于250mV。请问楼主，要把电噪声降到什么水平？

从波形图可以看到，电噪声是MOSFET开关瞬时，即电压或电流的突变产生的，只要MOSFET开关速度变慢，电噪声就会下降。

还可以看到，MOSFET开时的电噪声远远大于关时的电噪声。还可以从波形看到，MOSFET开时的漏极电流接近零，所以，可以降低MOSFET的开通速度来降低电噪声，并且不产生额外的开通损耗。具体做法是，把驱动电阻调到100R---150R，在该电阻上并一个1N4148，其阳极接MOSFET的栅。使MOSFET慢开快关，可有效降低电噪声。

mfkdcet

LV.8

2018-07-08 00:42

@yunfengzyf

PSRIC外置MOS还要加个三极管，驱动能力不足吗？？？

可以增加它的驱动能力，这样可以做更大电流！

mfkdcet

LV.8

2018-07-08 00:43

R10太大了，用10K左右

binganzhu

LV.1

2018-07-08 13:26

@mfkdcet

R10太大了，用10K左右

用siC的管子试下，效果很不错。

当下做起

LV.4

2018-07-09 11:16

首先看测试方法对没对，其次让MOS管驱动上升慢一点，不过这样温度可能高点，最后实在没办法换正激

binganzhu

LV.1

2018-07-09 15:55

@当下做起

首先看测试方法对没对，其次让MOS管驱动上升慢一点，不过这样温度可能高点，最后实在没办法换正激

正激输出小电压会不会刹车刹不住烧坏手机的锂电池控制芯片？

yunfengzyf

LV.6

2018-07-15 10:16

@世界真奇妙

从波形图可以看到，电噪声是MOSFET开关瞬时，即电压或电流的突变产生的，只要MOSFET开关速度变慢，电噪声就会下降。还可以看到，MOSFET开时的电噪声远远大于关时的电噪声。还可以从波形看到，MOSFET开时的漏极电流接近零，所以，可以降低MOSFET的开通速度来降低电噪声，并且不产生额外的开通损耗。具体做法是，把驱动电阻调到100R---150R，在该电阻上并一个1N4148，其阳极接MOSFET的栅。使MOSFET慢开快关，可有效降低电噪声。

谢谢版主指点！！！！我马上试试