boost升压电路 带负载发热 保护

顶

这你测量一下MOS_D, 假设波形是稳定的，那你这样改:

1). 输出整流二极体由SS56改为SS54, 以减低Vf

2). 除非你的频率跑MHz，要不把电感增大，且注意峰直电流<==舜间2.5A  Pmax =15*2.5=37.5,  以80%效率算  Pin= Pmax/0.8=46.8

      反推输入电流，在电池落在3.5V最电时，Iin = 46.8/3.5=13.39A,    电感电流由于是方波转换所以呈现三角波，峰值为根号三，也就是顶点为1.73

      所以电感电流峰值为 13.39*1.73=23.16A   取23A电感

3). 电感增大后，包刮连波与效率都会提升，但... 若发现波形不稳，可适当改变COMP与FB间的补偿电容.... 

这样MOS就不烫了.... 

先看下开关节点或驱动电压波形是否正常？

另外MOS的DS RC可以先拿掉

下面是空载和负载时候DS 和驱动的波形~ 看着好像还正常~ 实在不行再降低一下工作频率~  

这个已经去掉RC了，但是还是有发热~

你那TON已經那麼寬, 這種頻率不降MOS與整流二極體電流硬力承受不住.......

降频率到100KHz左右，波形比较差，温升改变不大；

下图：

1-负载0.3A情况下DS的波形；

2，3-空载情况下DS波形；

4，负载情况下G的电压波形；

5，空载情况下G的电压波形~

波形完全乱了~

你是純降頻率, 電感都沒去修改吧? Peak 都拉上來了......

让你发现了，正在重新修改，大电流大感量的电感位置有点不够，在想办法，试完没有问题再重新画板~

频率降到100KHz以下后，电感加大到10uH,负载能力却明显下降，波形也不好~ 看负载时波形明显工作状态不正常~

空载时DS波形

空载时GS波形

负载时DS波形

负载时GS波形

应该是我频率降的太低了~，频率在升到200KHz,使用10uH电感，基本工作正常~

你那回授已經失控, 頻率拉高, 但是電感也拉高試試......

档主可以找一颗效率高点的IC重新设计一下板子应该问问不大，不要总在这个方案上面弄了！

方案没有选好，怎么调都好不了哪里去的。

见意你这种低输入电压的，一定要选择好一点的芯片！！

有需要也可以加：陈工QQ，2369436284一同讨论。

多谢帮助！确实是，低频不能正常，调高频率貌似工作正常，但是一增加负载，MOS又开始发热~

十分感谢！看样子调这个玩意有点困难，尤其对我这种没经验的人