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120+120W 单级PFC 单压隔离电源板 抗浪涌2KV 遇到难题忘大神进来支支招儿吖!

应用LZC811C的方案做了一个两路隔离的PFC单级共用输入和输出的电源:参数如下:

Input:185-250VAC

Output:30-35VDC  3.45+3.45A  

PF:>0.96

EF>85%

以下是PCB应用图:

无论怎样:输入打浪涌L→N(差模)无论怎么样都过不了500V浪涌, 现在先要过2KV

各位大神请进来支支招吖! 救急  救急  救急!!!!!

全部回复(17)
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yuyuyu5
LV.8
2
2018-06-08 09:27
建议多层pcb
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2018-06-08 09:27

还有一张输入防护电路的清晰图:

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2018-06-08 09:42
@yuyuyu5
建议多层pcb
PCB 已经做了200片了,PCB是前一位工程LAY的!现在要想办法整过2KV(实在不行退主求其次,也要过得了1.5KV这样子)否则这200片也就废了!我也是醉了!!
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2018-06-08 15:05
@越凌科技
还有一张输入防护电路的清晰图:[图片]

单级PFC,由于桥堆后没有大容量的电解电容。相对来说抗浪涌的能力会差很多,总结以往经验,可以从以下几点入手:

1.在压敏前串联工字电感,进一步吸收浪涌能量,减轻压敏负担,到后级浪涌残压会更低;

2.MOSFET换成EAS(雪崩能量)更大的管子(一般平面MOS比COOLMOS大,电流大的管子比电流小的管子大),增加功率管的耐受性;

3.在桥堆后增加DRC组合搞浪涌回路,进一步抑制残余电压幅度。

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xiaojb11
LV.4
6
2018-06-08 17:22
@越凌科技
还有一张输入防护电路的清晰图:[图片]
楼主,首先是打坏那些元器件?多数情况下是MOS打坏直接导致炸机,残压过高,由于无法改板选用耐压更高的mos,楼主可以用示波器抓一下雷击打进去瞬间mos的DS电压看看是多少。如果MOS没坏,只是前面的器件坏了那就好整了
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2018-06-08 20:15
@xiaojb11
楼主,首先是打坏那些元器件?多数情况下是MOS打坏直接导致炸机,残压过高,由于无法改板选用耐压更高的mos,楼主可以用示波器抓一下雷击打进去瞬间mos的DS电压看看是多少。如果MOS没坏,只是前面的器件坏了那就好整了

   你好!大神! 每次打浪涌都是第二路的MOS IC  CS干掉 前面的一路正常!(当第二路打坏了以后,我接着打浪涌,就变成第一路单独打浪涌了,可以打到5KV)但是两路一起打 500V就挂了!我也是了很多方法!但是都没有什么用:例如:

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2018-06-08 20:38
@峰谷浪子
单级PFC,由于桥堆后没有大容量的电解电容。相对来说抗浪涌的能力会差很多,总结以往经验,可以从以下几点入手:1.在压敏前串联工字电感,进一步吸收浪涌能量,减轻压敏负担,到后级浪涌残压会更低;2.MOSFET换成EAS(雪崩能量)更大的管子(一般平面MOS比COOLMOS大,电流大的管子比电流小的管子大),增加功率管的耐受性;3.在桥堆后增加DRC组合搞浪涌回路,进一步抑制残余电压幅度。
大神:你好!这种两路并联使用的架构!我整了两三天了!但是连500V都打不过!要是单独一路去打浪涌的话:可以打5KV都过得了!很郁闷!  每次打浪涌都是第二路的MOS  IC  CS  炸掉了(详情请看下帖)我也适当的做了防护,但是还是没有用!每次500V打不了多久第二路就死了!现在我想在第二路输入(BCUK母线)哪里做一个RDC的吸收,但是参数不知道如何选取!不知道,您能指点一下吗?感谢!我初步设计的结果是这样子的!给你看一下,您也给指正一下!

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xiaojb11
LV.4
9
2018-06-09 08:43
@越凌科技
[图片]  你好!大神!每次打浪涌都是第二路的MOSIC CS干掉前面的一路正常!(当第二路打坏了以后,我接着打浪涌,就变成第一路单独打浪涌了,可以打到5KV)但是两路一起打500V就挂了!我也是了很多方法!但是都没有什么用:例如:[图片][图片]
最好是抓一下两个mos在打雷击时的瞬间电压,还有你可以试试单独打第二路看看能打多少V。另外我看你PCB有地线,把元器件都加上地线也接上。我以前有一款产品也是,不接地线L-N打2KV打不过,接上地线后就可以打过2KV了,有Y电容到地可以引走部分电压
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2018-06-09 19:16
@越凌科技
大神:你好!这种两路并联使用的架构!我整了两三天了!但是连500V都打不过!要是单独一路去打浪涌的话:可以打5KV都过得了!很郁闷! 每次打浪涌都是第二路的MOS IC CS 炸掉了(详情请看下帖)我也适当的做了防护,但是还是没有用!每次500V打不了多久第二路就死了!现在我想在第二路输入(BCUK母线)哪里做一个RDC的吸收,但是参数不知道如何选取!不知道,您能指点一下吗?感谢!我初步设计的结果是这样子的!给你看一下,您也给指正一下![图片][图片]
MOS用的什么品牌和型号?建议先换MOS试试,免得整得太复杂。
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wsz大地
LV.1
11
2018-06-11 10:57
@越凌科技
[图片]  你好!大神!每次打浪涌都是第二路的MOSIC CS干掉前面的一路正常!(当第二路打坏了以后,我接着打浪涌,就变成第一路单独打浪涌了,可以打到5KV)但是两路一起打500V就挂了!我也是了很多方法!但是都没有什么用:例如:[图片][图片]

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hunter4051
LV.5
12
2018-06-11 15:33
@wsz大地
[图片]
资料贴出来。。。。
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2018-06-13 10:33
@峰谷浪子
MOS用的什么品牌和型号?建议先换MOS试试,免得整得太复杂。
MOS用的是福斯特的15N65  
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2018-06-13 10:53
@越凌科技
MOS用的是福斯特的15N65 
福斯特,Cllo MOS吗,规格书中EAS多少?
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hunter4051
LV.5
15
2018-06-13 11:11
@越凌科技
[图片]  你好!大神!每次打浪涌都是第二路的MOSIC CS干掉前面的一路正常!(当第二路打坏了以后,我接着打浪涌,就变成第一路单独打浪涌了,可以打到5KV)但是两路一起打500V就挂了!我也是了很多方法!但是都没有什么用:例如:[图片][图片]
第二路前面也增加压敏
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Lyndonzhang
LV.1
16
2018-07-10 11:04
@越凌科技
MOS用的是福斯特的15N65 
福斯特的MOS。。。不多评论。。
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黄H2O
LV.2
17
2018-08-17 15:17
@峰谷浪子
单级PFC,由于桥堆后没有大容量的电解电容。相对来说抗浪涌的能力会差很多,总结以往经验,可以从以下几点入手:1.在压敏前串联工字电感,进一步吸收浪涌能量,减轻压敏负担,到后级浪涌残压会更低;2.MOSFET换成EAS(雪崩能量)更大的管子(一般平面MOS比COOLMOS大,电流大的管子比电流小的管子大),增加功率管的耐受性;3.在桥堆后增加DRC组合搞浪涌回路,进一步抑制残余电压幅度。

直接桥后加大一点的压敏试试呢?

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2018-12-19 08:47
@hunter4051
第二路前面也增加压敏
已经批产了几百套了,4KV浪涌  PASS了!  为一遗憾的是!温度比较高!
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