• 回复
  • 收藏
  • 点赞
  • 分享
  • 发新帖

MOSFET击穿的原因?请大神指导~

 某司生产的CEM3083我发现有批量击穿的现象(不良品是我们客户使用过1-2年的产品上的mosfet)。
零件本体击穿后RGS有32欧姆的阻抗,RDS则完全短路,附件为该零件承认书,频繁开关机的脉冲电流确认均在该
mosfet的SPEC之内。
请大神协助经验告知造成此类击穿的几种可能性原因参考分享:
1》设计匹配驱动电路不当?(参见附图)
2》ESD(是否会导致RGS有32欧姆的阻抗,RDS则完全短路现象)?
3》逆电流(如何模拟)?

4》其他......

零件承认书:CET_CEM3083.PDF

设计匹配驱动电路:

全部回复(2)
正序查看
倒序查看
天线
LV.4
2
2018-01-24 17:40
我曾经有遇到过类似损坏情况,是门极接触到了其他地方引起的
0
回复
2018-02-05 10:31

管子是耐压30V的P-Ch,应用在12V的电源中,耐压木有问题

我觉得最大的可疑之处是C2940.C2941, 相当于增加了管子的结电容,另外导通速度变慢!最终造成过热失效

准确原因,要对坏品开帽分析

0
回复