如图所示，BAT+接48V蓄电池，LOAD+接负载。采用左边的自举升压电路。SW1开关不经常动作，最频繁也就每秒5次。
图中三极管为高压管。
疑问：
1·此电路有什么硬伤；
2·Mos关断时栅极电压是否太高。二级主要是因为R4不能使用太小的，防止漏电太多，为了快速关断只能两级了；
3·有什么封装小，价格、耐压与三极管相差不大的mos管；
4·PWM1的为占空比0.5，频率100Hz的脉冲。采用频率多少合适，C1，C2取值怎么取；
5·怎么优化这个电路。
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6楼：
1·BAT+突然下降，C1不能减小，C2必然超压，对Q1栅极造成损害。
2·提高转换电路的效率，可以减小R4的值，就可以去掉S5.
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*D3换成12伏的稳压管，可以解决超压问题
*计算开关频率和电容的大小，可以获得更好的转换率
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不打算用这种模式了
這電路的盲點是
1). C2端電壓為1/2Vin, 也就是7V, 不管你頻率如何變都一樣, 動作原理是: 當S1導通時. 由C1藕荷到C2
當S3導通時, 藉由D3把C1殘存電荷放掉...所以周期要50%:50%, 當周其不均等時, 電壓只會拉低不會拉高...
因為當S1導通時間長, 則S3導通時間短, 那麼C1電荷放不掉, 所以藕荷能力會變差....不要家穩壓管, 加了電路就掛 了.....
2). Q1為Low Active時, VLoad 與G點電壓可能會超過VGS
這給你參考:
謝謝
关于1：由于C2足够大，用于驱动mos消耗的电流又很少，所以C2电压可以升到11V。
关于2：当LOAD+为低时，由于Vgs超过20V，肯定会烧mos管。
感谢提供参考电路，
1·当供电是48V时，左边1K电阻功率会超过1W，脉冲尽量窄时可以减少电阻功耗，但也影响电容充电。
2·mos的钳位稳压管放置有问题。我改成下图，这样可以防止容性负载时mos栅极反向超压。
整体图，
