移相全桥副边电压尖峰的问题

我要做一个45A/100V的充电电源,准备采用ZVS移相全桥拓扑结构,需要解决副边电压尖峰的问题,资料说很多种方法,比如采用快恢复二极管,RC吸收,加磁环,原边箝位,副边箝位等等.请问各位大侠,比较有效的办法是那些了?有什么需要注意的地方吗?特别期望做过这个电路的给小弟提供一些经验,谢谢了!