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请问低压直流电子负载可否用大功率晶体管实现?
请问低压直流电子负载可否用大功率晶体管实现?
或者应该用MOS?
MOS线性区的D-S电压一般在3~4V以上,对于低压(1~5V)好像不太适用~
晶体管的线性区的C-E电压好像只有1~2V,应该可以用吧~
先谢谢大家!
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