有誰知道這個題?

去看半导体物理,搞清楚多子和少子,你就明白了.

我現在就是找不到那樣的資料呀?


您知不知道那個網站有這樣的資料呀?或手上有,肯求給一份.謝謝!

     祝您新年快樂,全家歡樂!

上传一个三极管原理资料,希望对您有帮助.[url=/bbs/u/26/1107698201.pdf]

不行呀?
打不開呀!

实在不好意思啦!现重新上传.1107783372.pdf

现在书店里到处都有电子书.到书店去买一本电子元器件,一看就懂.

回去从PN的结构学起.

謝謝,我會考慮的.

先給你拜年,祝你財源廣進,心想事成!
      再謝謝,我還是不懂,能不能用最通俗最普通的語言給我表達一下.

在這裡給大家拜年了,祝大家財源廣進!

去买一本电子入门的书就什么都知道了

我手上有呀,可是看了就是不太明白.

朋友您好!
    如果看书理解有困难,您不妨从观察晶体三极管各极电流开始.所谓“放大”实质上是以较小的基极电流变化而引起较大的集电极电流变化,
集电极电流与基极电流的比值叫放大倍数或放大系数.(仅供参考)

經過您這麼一說,我是這樣理解電流放大的:因IE=IB+IC,慫公式可看出電流變大了,是否可以這樣理解?


        但是電壓是怎樣放大的呢?請接著賜教!謝謝!

朋友您好!
    IE=IB+IC是三极管的电流分配关系.
    至于放大电流怎样转换电压,可以通过欧姆定律来实现即:
              I = U/R
    这里I是集电极电流,R是集电极电阻,U 就是输出电压了.(仅供参考)谢谢!

還是不明白.
   現在談的是三極管是怎樣放大電流和電壓的?請賜教!

集电极电流与基极电流的比值叫放大倍数或放大系数即:
     电流放大倍数 = 集电极电流 / 基极电流
     这就是以电流的角度来理解的放大原理.
     关于电压放大问题,也是以晶体管电路的电流放大为基础的.
     (仅供参考)谢谢!!!

先謝謝前輩了!
我再跟據您你給我的意見自己再思考思考!謝謝您了!

不用客气,互相交流可以共同进步.另外我建议您多找几本电子基础方面的书看一看,当一个问题不懂时,可以在每本书中互相比较来理解一个问题.祝您成功!!!!!!!

再传一本《模拟电子技术》希望对您有帮助.1108446828.exe

把我知道的说一下希望对你有帮助.

1、晶体管的放大作用可以从可以从电中性的观点来理解.
当向半导体材料里注入截流子(少数截流子)的时候,载流子有一个平均的寿命t.这个寿命其实是就是截流子被复合之前存在的时间.
对于晶体管,因为其基区的宽度十分小,以至于大多数截流子还没有被复合就穿过基区了,截流子穿过基区的时间叫做渡越时间t'.
所以以PNP晶体管为例,不是每一个流过基区的空穴都会与基区的电子复合,而是每t/t'个空穴流过时会有一个电子与空穴复合,这时需要从基极向基区补充一个电子以维持基区的电中性.
所以从基极输入的电子的多少(基极电流)直接影响到基区和集电区的电压从而改变了流过集电极PN结的电流(集电极电流)
而t/t'就是晶体管的基极电流放大倍数.


2、电阻因为有分布参数的原因,所以不同频率下会表现出不同的阻抗.

3、电容两边的电压突变意味着会出现一个无穷大的电流,这在现实中是不会出现的,理论上如果有一个冲击电流(无穷大)的话会使电容的电压突变.

謝謝!