肖特基的温度高!

变压器参数设计不合理,很有可能是你的变压器饱和了.你可以试试增加变压器的初级绕组的电感量,还有,你的占空比做的是多大,频率又是多少?你没有给出这些主要参数,没有人能分析出来你的原因.

输出24V/5A,PQ32/30,NP:35T  NS:5T 肖特基:MBR20200CT,电感量:275UH测试过变压器没有饱和

输入:AC180-265V,DMAX:0.45  f:100khz

20200好象在5A的的功耗差不多4W,如果是做open frame的,建议加强散热,如果是做全密闭的adaptor可以考虑用同步整流减少3W左右的损耗.

我们有能不用互感器,完全独立与初级,不用在SR Mosfet并萧特基二极管能在DCM/QR/CCM都能工作的同步整流方案.我有客户做24V/150W全电压输入的adaptor就用的我们的SP6013A SR方案,比你这120W输出电流还大,目的也是为降低温升.

如有兴趣,可参考下面的帖子.

http://bbs.dianyuan.com/topic/175339

价格多少

除了用同步整流外还有什么好的方法,现感量为350UH,仍有点高

可以试一试性能好一些的肖特基如VF低的.

有没有规格书

用二个肖特基:MBR20200CT并联工作.

我现在是用的两个MBR20200CT并联

个人认为并联2PCS VF降低并不大(当然也看并联的个数来说),效率提高轻微,如果做open-frame的产品,因diode温度相对有点降低,温升慢,因为空气流动,相对散系统热效果就较好,这样通过diode并联的方法对降低系统温升有帮助.但如果做全密闭的,系统的散热效果没有改变,热量会在密闭空间内积聚,热还是散发不出去,最终还是会导致系统温升上升,少量diode并联最多是把系统温升上升时间延缓而已.特别是塑胶外壳,导热系数小,在内部即使加大散热片这些措施但因外壳不能把热量快速传递到系统外估计收效都不大,如果外壳是导热系数大的外壳比如金属,利用外壳散热帮助就大了.

所以个人觉得最有效的方法还是提高效率,用同步整流或用上面推荐的Low VF的二极管,或者就是在现有的基础上改善初级的设计看能否帮系统效率提高.

如果电路没问题,可以用用导热陶瓷片,帮你将热导到散热片上;一般管子发热是散热不良引起,测量一下管子与散热片的温差,中间垫的绝缘片是什么材料,绝缘片的好坏,很重要;如果温差大,管子容易发热,管子很烫啦,散热片还没有发热,也是各位高工易忽略的问题.导热陶瓷片温差小,可以试试.还者用导热软性矽胶片将热导向外壳,帮助散热.功率器件都会发热,发热过高则炸机,散热片的材质诀定散热效果,有的散热片散热很不理想.

说的不错.
另外,还得注意一下SKY的高温反向漏电.不同厂家的差别比较大.也有影响.

现在用的肖特基是ON的MBR20200,有没有其它的VF低的肖特基?

低正向的管子大概要订做才行吧.

为什么不是两个SR20A0

**此帖已被管理员删除**

请问一下:我現在手上在做一个18W的系列机,5V3A規格的肖特基温度比較高,在環境为35度时都有上升到了125度,但24V0.75A規格肖特基就不会那么高,只有98度而已.具体參數为EF20,工作頻率为130KHz;5V3A肖特基:20A60V;24V0.75A肖特基:3A150V.

肯定是5V/3A的整流管产生的热量多.具体值可以算一下.

之前做的電源幵关频率一般都比較低,但这次由於对体積有所要求,所以只好提高频率到130K以委屈求成;当改变肖特基RC吸收中的電容时,肖特基温度在電容取值471K/100V既然比101K/100V时高出20度之大,就是想不通爲何这般?還有更大的困惑:此颗電容对EMI影響又那么大,上次外出摸底时都還有很大余量,還是比較担心啊...

SR20A0 好象耐压100V吧?LZ估计用不了.况且Vf并不比MBR20200好多少.其实就是按上面的订做一个VF低点的或新电元的VF估计也不能降低多少,但5A电流如果是处于热量超标的临界点也许有用.

Low VF的估计是Trench 萧特基二极管,号称VF最低的萧特基二极管,Vishay刚推出不久,VF比传统的萧特基二极管有一点改善,但也并非改善非常大,供货和价格也未必好(Vishay的普通产品供货都不好,何况这种特殊玩意).新电元的是什么技术做的不太清楚,没看见过spec.

VF*I*deltaT初步估算一下.

好的,谢谢!!!

嘿嘿,不好意思,马虎了

请问各位大哥還有沒什麽解決之道,安规申请已迫在眉睫,谢谢!!!

怎么测试变压器有没有饱和?

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