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求助模块温升高解决方案!

标准模块电源受体积限制,功率越往上,温升越难控制!请各位赐教解决方案!
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2007-06-26 20:52
请使用有机硅导热灌封胶!
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洪七公
LV.9
3
2007-07-05 17:56
用同步整流提高效率,自然就能提高功率密度.可参考一下下面的帖子.
http://bbs.dianyuan.com/topic/175339
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anjlin
LV.7
4
2007-07-06 09:05
@洪七公
用同步整流提高效率,自然就能提高功率密度.可参考一下下面的帖子.http://bbs.dianyuan.com/topic/175339
用同步整流方式固然好!但是我的输出电压很低!0.75V/16A,而且体积又局限性!就算用同步整流方式做,效率也只有70%几!温度仍然很高!我用3m/S的风吹,温度仍然还是过不了!
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dadodo
LV.7
5
2007-07-11 17:40
@anjlin
用同步整流方式固然好!但是我的输出电压很低!0.75V/16A,而且体积又局限性!就算用同步整流方式做,效率也只有70%几!温度仍然很高!我用3m/S的风吹,温度仍然还是过不了!
不至于吧,CPU供电也就0.8-1.3V,电流有130A,都是BUCK同步整流做的
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洪七公
LV.9
6
2007-07-11 22:47
@anjlin
用同步整流方式固然好!但是我的输出电压很低!0.75V/16A,而且体积又局限性!就算用同步整流方式做,效率也只有70%几!温度仍然很高!我用3m/S的风吹,温度仍然还是过不了!
你发热应该主要是次级吧?那你考虑一下用Rds=3mohm左右的Mosfet来做,按你16A时二极管Vf=1V来估计,估计能减少功耗15W左右.你看是否可以降低一下你的发热量?不清楚您的体积要求多大?我们的同步整流电路可以做在一个面积大约是2*2cm的小板上(如果你Mosfet用贴片的面积要另算),全贴片元件,单面板,不需占体积的电感变压器等元件,元件单面贴装.能否告诉一下您的拓扑结构?如果你用的是正激或反激电路我们可以带demoboard给你加在你的电路上面测试一下是否可一达到您的要求.
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anjlin
LV.7
7
2007-07-12 09:20
@洪七公
你发热应该主要是次级吧?那你考虑一下用Rds=3mohm左右的Mosfet来做,按你16A时二极管Vf=1V来估计,估计能减少功耗15W左右.你看是否可以降低一下你的发热量?不清楚您的体积要求多大?我们的同步整流电路可以做在一个面积大约是2*2cm的小板上(如果你Mosfet用贴片的面积要另算),全贴片元件,单面板,不需占体积的电感变压器等元件,元件单面贴装.能否告诉一下您的拓扑结构?如果你用的是正激或反激电路我们可以带demoboard给你加在你的电路上面测试一下是否可一达到您的要求.
是用Buck同步整流方式做的!全是贴片元件!尺寸:50.7*12.7*8.5mm
我所用的MOS管Rds为5mΩ的,3mΩ难找!一般的MOS在低压的时候会出现一个现象!我的模块输入电压是3.0-5.5V,输出0.75V-3.63V/16A(Vin≥Vout+0.5V),限流点在18-40A;所用MOS为SI7882(12V/22A),才开始我用SI7866(20V/40A);但是环路怎么都调不稳!输入电压在4.5以上不振!一但小于4.5V就振荡!也不知道是什么原因!改用SI7882未出现振荡现象!请问为什么用SI7866会振?
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洪七公
LV.9
8
2007-07-12 22:01
@anjlin
是用Buck同步整流方式做的!全是贴片元件!尺寸:50.7*12.7*8.5mm我所用的MOS管Rds为5mΩ的,3mΩ难找!一般的MOS在低压的时候会出现一个现象!我的模块输入电压是3.0-5.5V,输出0.75V-3.63V/16A(Vin≥Vout+0.5V),限流点在18-40A;所用MOS为SI7882(12V/22A),才开始我用SI7866(20V/40A);但是环路怎么都调不稳!输入电压在4.5以上不振!一但小于4.5V就振荡!也不知道是什么原因!改用SI7882未出现振荡现象!请问为什么用SI7866会振?
晕.我们的同步整流是用在隔离电源的.
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anjlin
LV.7
9
2007-07-13 10:29
@洪七公
晕.我们的同步整流是用在隔离电源的.
是啊!我的也是用在隔离之后的!不知道上面的问题各位前辈是否遇到过?请指教!
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洪七公
LV.9
10
2007-07-13 13:39
@anjlin
是啊!我的也是用在隔离之后的!不知道上面的问题各位前辈是否遇到过?请指教!
你说的情况我没有遇到过,不清楚你是怎么设计的同步整流方案,所以不好说,你看看是否换Mosfet 后因Mosfet的Ciss和Rds变化了,引起你的控制电路特性也发生变化造成的?那样你调试以下外围电路看能否解决?你隔离是用的正激还是反激方案?如果是上面的两种之一,你公司是Vapel吧?我们很近,可以花两小时用我们的demoboard试用一下我们的方案看是否能解决?
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dadodo
LV.7
11
2007-07-13 15:03
@anjlin
是啊!我的也是用在隔离之后的!不知道上面的问题各位前辈是否遇到过?请指教!
2个管子的差别主要是Ciss不同.也可以试试infineon的coolmos
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anjlin
LV.7
12
2007-07-15 09:45
@洪七公
你说的情况我没有遇到过,不清楚你是怎么设计的同步整流方案,所以不好说,你看看是否换Mosfet后因Mosfet的Ciss和Rds变化了,引起你的控制电路特性也发生变化造成的?那样你调试以下外围电路看能否解决?你隔离是用的正激还是反激方案?如果是上面的两种之一,你公司是Vapel吧?我们很近,可以花两小时用我们的demoboard试用一下我们的方案看是否能解决?
此问题我已经解决了!SI7866的上升时间较快50nS!在低电压时,50nS的时间无法起来!把驱动加一10Ω电阻,在加一反向转阴二极管!问题解决!或者改用RONESAS公司的MOS ATH2160H可以不用加电阻和二极管!此MOS上升时间在130nS左右!不过两者相比较,后者最佳!前者低压问题解决,但是又出现了新的问题!空载振荡!怎么调试环路都无法得以解决!请指教!
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洪七公
LV.9
13
2007-07-15 14:57
@anjlin
此问题我已经解决了!SI7866的上升时间较快50nS!在低电压时,50nS的时间无法起来!把驱动加一10Ω电阻,在加一反向转阴二极管!问题解决!或者改用RONESAS公司的MOSATH2160H可以不用加电阻和二极管!此MOS上升时间在130nS左右!不过两者相比较,后者最佳!前者低压问题解决,但是又出现了新的问题!空载振荡!怎么调试环路都无法得以解决!请指教!
加强Mosfet 的充放电速度解决了就好.
你说的空载振荡是不是空载时SR Mosfet 都打开了?
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anjlin
LV.7
14
2007-07-16 11:32
@洪七公
加强Mosfet的充放电速度解决了就好.你说的空载振荡是不是空载时SRMosfet都打开了?
其实都不是以上的问题!我忙了快一个礼拜!最终结果为输入端电容问题!振荡的时候输入端电容为106/1206/16V*2(陶瓷电容),把此电容改为106/1210/25V*2(陶瓷电容),振荡停止!比较两电容材质都是X5R的,其它参数都差不多!这是什么原因呀?请指教!
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dadodo
LV.7
15
2007-07-16 14:33
@anjlin
其实都不是以上的问题!我忙了快一个礼拜!最终结果为输入端电容问题!振荡的时候输入端电容为106/1206/16V*2(陶瓷电容),把此电容改为106/1210/25V*2(陶瓷电容),振荡停止!比较两电容材质都是X5R的,其它参数都差不多!这是什么原因呀?请指教!
有没有测过电容参数?我也碰到过这个问题,有些伪劣电容参数与标称值相差太远,搞的现在指定供货商指定品牌规格才安心.
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anjlin
LV.7
16
2007-07-19 17:31
@dadodo
有没有测过电容参数?我也碰到过这个问题,有些伪劣电容参数与标称值相差太远,搞的现在指定供货商指定品牌规格才安心.
不是电容容量的问题!我换相同材质的电容,容量加大到40-70UF都没用!
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dadodo
LV.7
17
2007-07-25 12:21
@anjlin
不是电容容量的问题!我换相同材质的电容,容量加大到40-70UF都没用!
没测过就没有发言权,市场上良莠不齐.
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anjlin
LV.7
18
2007-07-26 09:07
@dadodo
没测过就没有发言权,市场上良莠不齐.
根本就不是电容容量的问题!是这两钟电容ESR值的原因!1206的ESR大一些,1210的ESR小一些;用在模块中,前者产生的纹波电流较大;影响模块的稳定性能!后者所产生的纹波电流小,所以消除了振荡!
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anjlin
LV.7
19
2007-07-26 16:48
@miql
可试试导热陶瓷片,解决散热,绝缘,高压不良问题,欢迎来电咨询,免费送样试机,特殊规格需定做.
这些都是现在较普遍的做法!可是当模块体积到了一定局限条件下,用此种方式已不在适用!
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wtx10
LV.6
20
2007-08-07 09:23
@anjlin
根本就不是电容容量的问题!是这两钟电容ESR值的原因!1206的ESR大一些,1210的ESR小一些;用在模块中,前者产生的纹波电流较大;影响模块的稳定性能!后者所产生的纹波电流小,所以消除了振荡!
不晓得你的IC是什么,也就无法知道他的驱动能力,能带什么MOS,你在G串电阻按道理又会加大开通损耗,从体积看上去不太象带外壳的,现在有一种红外辐射散热器可以作成外壳,效果上要比普通铝壳的低7度到10度,我只是测过这种东西但没有在产品里用.
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anjlin
LV.7
21
2007-08-07 15:18
@wtx10
不晓得你的IC是什么,也就无法知道他的驱动能力,能带什么MOS,你在G串电阻按道理又会加大开通损耗,从体积看上去不太象带外壳的,现在有一种红外辐射散热器可以作成外壳,效果上要比普通铝壳的低7度到10度,我只是测过这种东西但没有在产品里用.
是TI的芯片:TPS40007  和驱动大小没什么关系!应该是电容改后ESR值小的原因!!!
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wtx10
LV.6
22
2007-08-09 11:17
@anjlin
是TI的芯片:TPS40007  和驱动大小没什么关系!应该是电容改后ESR值小的原因!!!
这个是有可能,平时我们也不推荐用同规格的电容并联,可能会出现电容间的震荡,一般是错开,比如总共1000,可以用470,220,什么的组合
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2007-08-10 09:22
**此帖已被管理员删除**
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anjlin
LV.7
24
2007-11-08 16:59
@wtx10
这个是有可能,平时我们也不推荐用同规格的电容并联,可能会出现电容间的震荡,一般是错开,比如总共1000,可以用470,220,什么的组合
呵呵!也有可能!我最近又在忙一款机型!VIN=8.3-14V  VOUT=0.7525-5.5V/16A,限流点28A!驱动芯片为TI的TPS40057
用同步整流方式做!MOS都用IRF6618,电感1.5UH~~~~~~~~~~~~
先前做了一版,效率只有88%、89%!现在改了一版后,效率90%、91%
按客户的要求为94,现在我怎么都做不上去!还差3个点!~~~~真晕!忙了又快一个礼拜了没点结果!!!
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wtx10
LV.6
25
2007-11-09 10:30
@anjlin
呵呵!也有可能!我最近又在忙一款机型!VIN=8.3-14V  VOUT=0.7525-5.5V/16A,限流点28A!驱动芯片为TI的TPS40057用同步整流方式做!MOS都用IRF6618,电感1.5UH~~~~~~~~~~~~先前做了一版,效率只有88%、89%!现在改了一版后,效率90%、91%按客户的要求为94,现在我怎么都做不上去!还差3个点!~~~~真晕!忙了又快一个礼拜了没点结果!!!
客户要求到94%是输出多少的时候?整个输出范围到这个程度可悬了.
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anjlin
LV.7
26
2007-11-12 10:36
@wtx10
客户要求到94%是输出多少的时候?整个输出范围到这个程度可悬了.
VIN=12V  VOUT=5.0V   IOUT=16A时!效率要求在94%!输出电压是全范围可调的!
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wtx10
LV.6
27
2007-11-12 10:50
@anjlin
VIN=12V  VOUT=5.0V  IOUT=16A时!效率要求在94%!输出电压是全范围可调的!
是这样,那是不难的,你用手头芯片不会有问题,我还以为全范围都到94%,有兴趣你可以参考SC4510这个东西,我给客户推过,还不错.
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anjlin
LV.7
28
2007-11-13 14:24
@wtx10
是这样,那是不难的,你用手头芯片不会有问题,我还以为全范围都到94%,有兴趣你可以参考SC4510这个东西,我给客户推过,还不错.
你是做FAE的吧?sc4510基准是多少?能否给我发份PDF, 谢谢!
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wtx10
LV.6
29
2007-11-13 14:35
@anjlin
你是做FAE的吧?sc4510基准是多少?能否给我发份PDF,谢谢!
已发到你邮箱
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szsuplet
LV.2
30
2007-11-19 22:53
@anjlin
用同步整流方式固然好!但是我的输出电压很低!0.75V/16A,而且体积又局限性!就算用同步整流方式做,效率也只有70%几!温度仍然很高!我用3m/S的风吹,温度仍然还是过不了!
不是吧  3米每秒的风过不了  还用个屁呀
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anjlin
LV.7
31
2007-11-20 10:01
@左明
普通材料当然做不到特殊性出来,模块产品大功率小型化,致命困难:第一元件小型大功率国产工艺做不到要求;第二产品小型化绝缘导热散热解决不了,炸机不稳定.现介绍高导热绝缘陶瓷基板给大家了解学习,不信折国外模块产品看下,底部线路板就是陶瓷基板与铜板键合的,这种结构紧密,谢谢!
用陶瓷做易碎!
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