真是郁闷,传导EMI不过
最近做了个5W电源,No X, No Y,采用pri-屏蔽-sec-Aux绕法,在Aux 22T时,传导有10db左右余量,Vdd电压13V左右,现在希望Vdd提高到20V,所以在其他条件不变时,将Aux增加到36T,结果EMI在600k~700k居然超标,其他段没有影响,辐射也可以过,绕制方式相同,最后一层采用不同线径满绕,不知道为什么?指点指点吧
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传个结构绕法给你参考一下.内有绕组结构.是过了EMC的.
N1 2 空 2UEWΦ0.23mm 32TS 密绕 2TS 绕满一层
N2 4 2 2UEWΦ0.18mm 114TS 密绕 2TS 满层绕制
N3 CU 2 Φ0.05x7.5mm 1.1TS 密绕 3TS 铜皮和绕组以相反方向绕制
N4 9A 7B TEX-EΦ0.55mm 8TS 密绕 3TS 引出全长25mm,上锡5mm
磁芯 --- --- ----- --- --- 2TS
备注: 1. A,B分别为从9,7脚处(底部)引出的飞线.全长30mm,上锡5mm.
2. N3铜皮屏蔽绕组,反方向绕制.收尾处焊0.3*2P至2脚.
N1 2 空 2UEWΦ0.23mm 32TS 密绕 2TS 绕满一层
N2 4 2 2UEWΦ0.18mm 114TS 密绕 2TS 满层绕制
N3 CU 2 Φ0.05x7.5mm 1.1TS 密绕 3TS 铜皮和绕组以相反方向绕制
N4 9A 7B TEX-EΦ0.55mm 8TS 密绕 3TS 引出全长25mm,上锡5mm
磁芯 --- --- ----- --- --- 2TS
备注: 1. A,B分别为从9,7脚处(底部)引出的飞线.全长30mm,上锡5mm.
2. N3铜皮屏蔽绕组,反方向绕制.收尾处焊0.3*2P至2脚.
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@一品堂
传个结构绕法给你参考一下.内有绕组结构.是过了EMC的.N12空2UEWΦ0.23mm32TS密绕2TS绕满一层N2422UEWΦ0.18mm114TS密绕2TS满层绕制N3CU2Φ0.05x7.5mm1.1TS密绕3TS铜皮和绕组以相反方向绕制N49A7BTEX-EΦ0.55mm8TS密绕3TS引出全长25mm,上锡5mm磁芯-----------------2TS备注:1. A,B分别为从9,7脚处(底部)引出的飞线.全长30mm,上锡5mm. 2. N3铜皮屏蔽绕组,反方向绕制.收尾处焊0.3*2P至2脚.
这个是PI的专利啊,我们用他们的产品时用了这个方法,但在其他产品不敢用,老板怕有麻烦.
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