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MOS管 导通尖峰 VDS过大

用IR2110驱动MOS管 结IRFP460 先上30V电测试 结果导通VDS有很高的导通尖峰有什么办法吗

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gaon
LV.7
2
2017-07-29 08:48
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zhangyiping
LV.9
3
2017-07-30 17:04
@gaon
回帖跟学
应当是采用LLC的电路模式吧，尖峰过大的主要原因是容性导通，通常出现占空比偏小了，图中GS怎么会并联100欧电阻，太小了，通常10K,5K1，太小的占空比自然比较小，估计抄错了吧，解决的方法是占空比必须增大，驱动不需要太快，慢了一些的占空比自然就比较大一些，调整驱动阻抗，可以适当控制占空比，达到0,45-46左右比较适合。
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电源网-fqd
4
2017-07-31 11:57
恭喜被添加到社区经典图库，并获得1积分
http://www.dianyuan.com/bbs/classic/
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yangjinxiaoy
LV.2
5
2017-08-02 15:57
@zhangyiping
应当是采用LLC的电路模式吧，尖峰过大的主要原因是容性导通，通常出现占空比偏小了，图中GS怎么会并联100欧电阻，太小了，通常10K,5K1，太小的占空比自然比较小，估计抄错了吧，解决的方法是占空比必须增大，驱动不需要太快，慢了一些的占空比自然就比较大一些，调整驱动阻抗，可以适当控制占空比，达到0,45-46左右比较适合。
嗯，我用的是5K1的 我占空比确实比较小
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yangjinxiaoy
LV.2
6
2017-08-02 15:59
@zhangyiping
应当是采用LLC的电路模式吧，尖峰过大的主要原因是容性导通，通常出现占空比偏小了，图中GS怎么会并联100欧电阻，太小了，通常10K,5K1，太小的占空比自然比较小，估计抄错了吧，解决的方法是占空比必须增大，驱动不需要太快，慢了一些的占空比自然就比较大一些，调整驱动阻抗，可以适当控制占空比，达到0,45-46左右比较适合。
能请您帮我看下吗 ch1是gs CH2是ds 为啥GS关闭之后还有段DS是导通的 导致我两个mos管间的波形没有死区

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