推挽变换器

有没有高手过来指点一点！

是做吸收用的。

你好，能不能说得详细一点，我不加好像也没什么问题！

测试出现上图波形，不理解死区S2管电压波形怎么是这样的，向大家求助。

CH1：S2管驱动  CH2：S2管电压应力  CH3：S1管驱动  CH4：副边绕组电压（同名端为正）

就相当于MOS的DS并上RC，用于吸收开关尖峰，你可以试加与不加时的VDS电压波形，看尖峰

有没有高手帮忙解答一下！

你指的是哪里不正常？是VDS尖峰？

把示波器时间拉开一点看看。

CH1通道是S2管的驱动电压，CH2通道是S2管的Vds电压应力，我觉得不正常的是S2的驱动关断了，为什么它的电压应力还保持在0V，它不应该在驱动关断的时候上升为2Vin吗？麻烦指点一下

看波形不是上升了吗？周期显示太小了，所以叫你把时间轴放大点来看看。 死区时应力大概应为Vin，VDS尖峰高是漏感引起。

我再上传一个新的测试图片，CH1：S1的Vds  CH2：S2驱动Vge  CH3：S1驱动Vge  CH4：S2的Vds

版主你可能搞错了，我的拓扑图在最上面，我的推挽是一个开环的电路，输出是没有电感的，副边绕组也是没有中心抽头的。那么它在死区的Vds应力自然不是Vin，所以我的问题是驱动Vge关断了，它的应力Vds不是变为2Vin,而是缓慢上升（在死区时间那一段）。

死区时间内的波形是漏感和MOS管寄生电容谐振的波形。

初级两线圈如果采用双线并绕耦合比较好的话可以不加RC吸收电路，上述波形既是未加RC吸收电路。

变压器初级两线圈是使用双线并绕的绕线方式，测试漏感值为3uH，MOS管两端是加有RC吸收电路的。我使用理想变压器模型分析发现是没有办法出现上述波形，所以可能是你说的是变压器漏感引起了上述波形，但是你能不能仔细分析一下这个过程。另外再附上减小占空比的测试波形以供分析。

CH1：S1的Vds  CH2：S2的Vge  CH3:S2的Vds  CH4：S1的Vge

理想变压器的电感量是无穷大的，仿真时要在理想变压器旁并联一个电感（励磁电感）来接近真实变压器。死区内的波形谐振频率比较低经分析应当是励磁电感和MOS管的寄生电容发生了谐振。

我用的参数，开关频率50Khz，励磁电感10mH，寄生电容300pF，你可以试一下。

吸收电路