东微半导体致力于自主知识产权的半导体器件技术的研发和产业化，是“长三角集成电路设计与制造协同创新中心”的核心成员单位。公司已有40多项发明专利，包括3个美国专利，有多项自主知识产权的国际原创核心器件技术。 为适应电源系统高效率小型化的需求,东微半导体推出了新型的GreenMOSTM系列高压MOSFET及SFGMOSTM系列中低压高速MOSFET产品。采用独特专利器件结构和制造工艺,GreenMOSTM和SFGMOSTM产品具有比常规MOSFET更快的开关速度及更柔和的开关曲线,在获得极低的动态损耗的同时最大限度抑制了开关震荡。不仅可以大大提高系统效率、降低发热量,同时简化了系统EMI设计。GreenMOSTM系列产品覆盖500-900V全系列,最大提供高达80A静态电流的规格,最高工作频率达到2MHz,可以满足各种电源系统的需求。SFGMOSTM系列产品提供60-200V耐压,内阻低至2.5mΩ。基于其高效率低温升的特点,东微半导体的功率器件产品特别适用于快速充电器、LED电源、通讯、服务器电源、电动车充电桩、电机驱动等系统。
