各位大神，开关电源整流前EMI设计的电容电感值怎么确定？还有单端反激降压的反向电动势值怎么确定？

EMI电容、电感都是要测试才知道行不行啊，能小尽量用小啊，不能过才加大啊

反向电动势是什么？次级耦合到初级的电压吗？

EMI電容 (X電容)與你的共模電感有關, 共模電感感量越大, X2電容可以變小, 但還是要在實驗室實測較準...

若要過安規, 通常, 低於104以下X電容在L_N路徑上可不加洩放電組, 容值若越高, 則洩放電組的阻值要越低才可以符合安規洩放電壓要求

反電動勢為, 當MOS off 後, 副邊開始有電流流通, 因此可以視為從副邊偶合到原邊電壓0

週期忽略, 式子    NS / NP = (VS+VF) / Vp'

 VP' = NP*(VS+VF) / NS  

假設你NP=100T  NS=12T  VS = 12V   VF =0.4V則, 

VP' = (100*12.4) / 12 =103V, 所以你的原邊主MOSFET兩端,  VDS(min) = Vp+Vp' 

當AC輸入使直流最高整流為 380V時, MOSFET_VDS(min)為 380V+103V = 480V  <==103V就是你的反電洞勢, 且為理想值..