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图腾柱三极管工作在饱和状态还是放大状态能加快驱动速度,减小三极管的延迟
阅读: 2940 |  回复: 15 楼层直达

2017/03/13 19:51:16
1
sanshandianzi
电源币:1 | 积分:0 主题帖:8 | 回复帖:1
LV2
班长

QQ截图20160321155901 内容精选】管理员精心选择的优质内容 快来讨论吧


目前同步整流驱动打算外面加一级图腾柱驱动,不知道怎么选择三极管的型号,瞬间电流按照4A来选择,死区时间只有400ns,开关频率200KHZ, 2SD882可以达到要求吗?
标签 三极管
2017/03/13 20:50:27
2
世界真奇妙[实习版主]
电源币:198 | 积分:17 主题帖:16 | 回复帖:574
LV8
师长

以下对管都可以:

2SD882、2SB772(7A,80M)

DZT851、DZT951(5A,120M)

2017/03/13 20:56:50
3
世界真奇妙[实习版主]
电源币:198 | 积分:17 主题帖:16 | 回复帖:574
LV8
师长
图腾柱输出是射随器,即共集电极工作方式,开关工作时延时很少,截止频率高于80MHz或120MHz,完全可用于200KHz的驱动
2017/03/14 09:41:55
4
电源网-璐璐
电源币:1092 | 积分:72 主题帖:255 | 回复帖:1495
LV10
司令

已赏~~·

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2017/03/16 19:45:06
5
sanshandianzi
电源币:1 | 积分:0 主题帖:8 | 回复帖:1
LV2
班长
多谢FCX1051A.pdf这个里面的 ton=220ns   toff=540ns    我是担心三极管的自身延迟时间超过死区时间关断不了,
2017/03/16 22:05:19
6
世界真奇妙[实习版主]
电源币:198 | 积分:17 主题帖:16 | 回复帖:574
LV8
师长
为了帮你把问题分析清楚,请把PNP管的PDF也传上来。
2017/03/17 08:20:39
7
sanshandianzi
电源币:1 | 积分:0 主题帖:8 | 回复帖:1
LV2
班长
FCX1151A.pdfFCX1051A.pdf  这两个管子,请帮看下
2017/03/17 20:12:42
8
世界真奇妙[实习版主]
电源币:198 | 积分:17 主题帖:16 | 回复帖:574
LV8
师长

FCX1051A和FCX1151A的开关速度完全一样,只要讲清楚一个就可以了。

下表就是与开关速度相关的参数


在关注开关时间的同时,必须关注测试条件,表中TOFF为540ns,测试条件是IC=3A,IB=30mA,再看IC=3A时的HEF,最小值是270,假设实测管子HEF=300,此时IB=10mA,就可以得到IC=3A,所以TOFF的540ns是管子深度过饱和时的参数。是共发射极电路的特性参数。

图腾柱是共射极电路,基极输入,射极输出,又称射随器,其工作状态永远遵守IE(输出电流)=IB*HEF,永远不会饱和。其TON和TOFF接近相等。


2017/03/20 08:41:23
10
sanshandianzi
电源币:1 | 积分:0 主题帖:8 | 回复帖:1
LV2
班长
我认为图腾柱三极管驱动MOS的时候电流在一个电平内只有初始有一个脉冲电流,然后三极管就没有电流流过了(IC=0A),对三极管电平改变的时候符合放大状态IC=I B*β ,ton 和toff就应该小于数据手册上的22ns吧? 这样理解对吗
2017/03/20 09:11:44
11
sanshandianzi
电源币:1 | 积分:0 主题帖:8 | 回复帖:1
LV2
班长
明白你说的共集极不饱和的特性了,所以放大状态的速度远比220ns 小,大约是多少纳秒?
2017/03/20 10:38:54
12
世界真奇妙[实习版主]
电源币:198 | 积分:17 主题帖:16 | 回复帖:574
LV8
师长

“放大状态的速度远比220ns 小”,规格书提供的是开关时间,不是放大状态。

TON=220nS,与饱和或不饱和无关。

TOFF与饱和或不饱和关系密切,规格书中的测试条件下,TOFF=540nS,比TON慢了320nS。不饱和时的TOFF因为无退饱和时间,与TON接近。准确数据,规格书上没有,本人不知。

2017/03/21 17:03:18
13
sanshandianzi
电源币:1 | 积分:0 主题帖:8 | 回复帖:1
LV2
班长
最近看到一个文章,分享下哈

2017/03/21 17:03:59
14
sanshandianzi
电源币:1 | 积分:0 主题帖:8 | 回复帖:1
LV2
班长

三极管(BJT)的开关延迟.pdf

2017/03/18 14:29:59
9
juntion[版主]
电源币:1103 | 积分:229 主题帖:2 | 回复帖:852
LV9
军长

給你一個建議, 頻率跑到200K已經不適合使用電晶體當推動, 需要使用GetDriver, TI或IR有一堆, 你可以去選推動電流大一點的.....

主要是一個NPN+一個PNP推動會有"交越失真" 上升緣與下降緣會有缺角, 你的頻率跑越快越嚴重..... 

2019/02/03 10:45:08
15
winfrey1
电源币:117 | 积分:0 主题帖:24 | 回复帖:167
LV6
团长
juntion[版主]  : 请问一般電晶體當推動MOS比较可靠的最高频率大概是多少? 另外GetDriver是什么器件?谢谢!
2019/02/11 13:27:21
16
juntion[版主]
电源币:1103 | 积分:229 主题帖:2 | 回复帖:852
LV9
军长

電晶體是由電流驅動, 當電晶體操作 IC 電流越大, 則HET值越低, 且C-E 的 PN 結由於多數載子(電子與電洞結合序)的儲存, 會使交換速度越慢, 這你就看為何IGBT速度跑不高的原因

外加圖騰柱只適合在1A以下頻率100K以內, 且PNP與NPN必須配對, 常用的大概是TIP31C與TIP32C, 1A以內的大多是2N2222與2N2907, 或是 2N3904與2N3906, 日係大多是2SC1815與2SA1015....

GetDriver 指得是類似IR2110那ㄧ類的IC, 速度快, 扇出電流大......    

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