没事干,做了个恒流电子负载

期待测试数据表现

给点意见呗,要测试哪些指标?

除了一些内外的保护功能外还需要测试可靠性、稳定性、压降、动态瞬态之类的。如果有显示还要看分辨率

从精度和成本来说，运放不如用OP07或者LM358。100度保护应该可以，MOS不用加绝缘垫片，尽量降低热阻。

電子負載大多用電晶體去做, 不會用MOS 管去做......

因為電晶體有線性區, 你電流調整就是利用線性區才不會有波動, MOS管有Vth特性, 在超過Vth到RDS_ON 區間很短, 所以你的推動會有on-oFF瞬間周期出現

這樣的方式會讓所看到的電流為峰值週期所平均的電流, 你Q已經6顆才5A加散熱就燙到這程度, 不會覺得太誇張嗎?

已经被添加到社区经典图库喽
http://www.dianyuan.com/bbs/classic/

MOS下面垫的是陶瓷的,应该可以,我主要目的是将散热器隔离.成本先不用管它,要精度,OP07的会比TL081精度会好点吗? 我选的时候是因为TL081是仪表放大器,所以就选他了,以前有用358做过,发现均流相差较大,在5A拉载的时候有40MV,的差异,不知是设计问题还是什么的,现在用TL081后在10mv 左右的差异

同意你的观点,显示现在还没有考虑,主要是看看稳定性,动态瞬态, 像这个瞬态动态有简单的测试方法没有? 我有DC电源,示波器,怎样可以测试这项功能?

示波器勾你的R407就知道了, 恆流不可以有波動, 將輸入電壓(MOS館兩端)

1). 任意切換電壓, 看電流波動度, 以及上升電流斜率, 看電流上升每1A 有幾微秒,.....微秒喔不是毫秒......

2). 電壓由0一值轉到最大, 看電流可不可以跟的上, 理論上電流應該是一直線, 不可以有突然往下掉或往上升..

MOS管动态速度应该会比三极管的好点,这只是我个人的想法. 所有就用MOS了,到时候测试一下拉载开关电源输出的纹波看看,因为线性电源输出比较干净.

160W在6颗MOS上,每一颗26W,温度上在100度,因为散热器比较小,MOS与MOS的距离比较近,所以会飙到100,如果用大的散热器,再拉开MOS间的距离,应该会比目前的效果要好的.

恆流, 之所以可以恆流是因為當我電壓改變時, 阻抗要跟著變, 例如以2A為例, 當我輸入5V, 2A阻抗2.5R, 當我輸入10V, 阻抗要變為5R

這是電壓與電流線性的關係式, 當我用的是一個非線性元件, 它只有on-off 兩種狀態, 為了製造出線性效果則必須以 di/dt 方式才可以滿足不同電壓要求

你覺得勒...... 

刚刚测试了一下,从0A到5.5A ON/OFF实验,延时时间是130uS, 这速度是慢了还是可以?  波形如图,毛刺是探头地夹子引起的.探头1(黄色)测试的是REF参考电压,探头2(蓝色)测试R404电流取样电阻

个人理解: 电子负载的MOS应该不是工作在开关状态.等会我去测试一下MOS的G极波形看看.确认一下.

普通的运放,,没有负反馈的话,,就是个非线性的器件 . 

有用非门来做线性放大器的.

 

你那電流波形MOSFET已經在震.....延遲那麼久是因為要達Vth後Moafet才會開, 展開看電流上升波形, 每1A時上升時間為多少......

应该是探头干扰,下图是MOS的G极波形,电压4V左右,从0A直接到5.5A

我一颗MOS轻松做到200-250瓦

8颗MOS实现了1600瓦

TL081和358都是通用型运放，精度也相差不多，OP07属于高精度运放。用TL081能做到0.1A均流差异，也可以接受。

你这是持续功率吗?比如老化房用;  这也太极限了,要保证MOS的温度不能超极限,所以需要足够大的散热器和足量大的风扇.

因为是用的可调,这个我需要做一个固定的电阻去实验一下,做4个档位,1A,2A,4A,5A,这样就换的快,到时候试试

今天测试了一下1A转到2A的波形，因为电流取样电阻太小，只有1A/6*0.1R≈20mV示波器干扰大，后来只用一个支路，就有100mV,跳转到2A的波形比较难抓，不知是示波器设置不当还是怎样,有210uS,手机好像不能发图片？

补上图片,看看这时间慢不? 若慢了,要改哪里的参数? 驱动有改,试了R401去掉,和R402改小,都没有提升.难道TL081A速度不够? 规格书上写都达到MHZ级别了.

取样电阻选的好

这个是现成有的,实际只要2-3W就可以了,这个体积大,占地方.,2颗康铜也是现成的,后面给电流表用.

最近准备为我的电子负载加个显示,用STC15W4K48S4 ,自带10ADC, 所以电流只能精确到小数点后2位.

大神，能不能解释一下您的原理图