请有经验的大虾指点一下，这个驱动波形的上升时间合适吗？

在做的半桥500W，现在只焊了494和驱动部份，在接上MOS管测试发现，驱动波形的上升时间比494的输出的上升时间长了很多。最长的接近了300纳秒。而图腾柱输出端的上升时间只有80纳秒。我还不敢加高压，自己对这一方面没有底，请有经验的大师指点一下，这个上升时间是否合适？

驱动部份电路图

接FQA28N50时的整体波形

494输出的上升时间78nS

图腾柱输出时间80nS

接FQA28N50时的上升时间276nS

接IRFPS37N50A时的上升时间268nS

接IRFP460LC时的上升时间196nS

接6R160C6时的上升时间188nS

不知怎么回事，接28N50的波形上还有一个很明显的平台。别的几种管这个现象不明显。

全部回复(11)

只看楼主

正序查看

倒序查看

lyf2130790

LV.5

2016-11-05 15:02

以上的波形都是MOS管还没有加高压的，想问一下加上高压和不加高压的波形相差大不大？

ymyangyong

2016-11-05 16:37

@lyf2130790

以上的波形都是MOS管还没有加高压的，想问一下加上高压和不加高压的波形相差大不大？

一般是GS电容越大，上升时间越长。加高压后，密勒平台可能会更明显，还有上下桥臂间的干扰。

lyf2130790

LV.5

2016-11-05 17:02

@ymyangyong

一般是GS电容越大，上升时间越长。加高压后，密勒平台可能会更明显，还有上下桥臂间的干扰。

那么我这个上升时间是否合适呢？最短的也到了180纳秒哦。

ymyangyong

2016-11-05 20:35

@lyf2130790

那么我这个上升时间是否合适呢？最短的也到了180纳秒哦。

46K频率不算髙，200nS左右可以接受。

lyf2130790

LV.5

2016-11-05 22:11

@ymyangyong

46K频率不算髙，200nS左右可以接受。

那就只有6R160C6这个管子和IRFP460LC这两种可以用，另外两种电流较大的就有点不理想了。有没有办法把这个时间搞短一些呢？

ymyangyong

2016-11-06 10:18

@lyf2130790

那就只有6R160C6这个管子和IRFP460LC这两种可以用，另外两种电流较大的就有点不理想了。有没有办法把这个时间搞短一些呢？

驱动供电加到15v，C18加大到0.47uf试试。

lyf2130790

LV.5

2016-11-07 04:52

@ymyangyong

驱动供电加到15v，C18加大到0.47uf试试。

谢谢版主的指点。C18我是用0.47微法的。我把驱动变压器的圈数减少了一些，电感量由原来的6mH减到2.5mH,略有改善，但不明显。提高供电电压可以试试。

lyf2130790

LV.5

2016-11-07 09:53

@ymyangyong

驱动供电加到15v，C18加大到0.47uf试试。

把电压提高到15V，没得10%到90%上升电压对应的上升时间只是略有缩短，不明显。但是如果把最高上升电压标定在8V，这差别就大了。

标定上升电压10%到90%时的上升时间为268nS，和12V供电时差不多。

标定上升电压高点为8V时的上升时间192nS，

我看了这几种MOS管的文档，栅极电压都是在8V时就可认为管已经饱和了。可不可以这样理解，同样是取8V上升电压，提高驱动电压在同样8V的范围内上升时间就大大缩短了。

ymyangyong

2016-11-07 12:07

@lyf2130790

把电压提高到15V，没得10%到90%上升电压对应的上升时间只是略有缩短，不明显。但是如果把最高上升电压标定在8V，这差别就大了。标定上升电压10%到90%时的上升时间为268nS，和12V供电时差不多。[图片]标定上升电压高点为8V时的上升时间192nS，[图片]我看了这几种MOS管的文档，栅极电压都是在8V时就可认为管已经饱和了。可不可以这样理解，同样是取8V上升电压，提高驱动电压在同样8V的范围内上升时间就大大缩短了。

饱和电压取10v以上比较好。