简单半桥Buck电路求助，有酬谢

从波形上看，波形上有尖峰的负电压。

至少可以证明，你的电压探头被干扰了。

采用测量纹波电压的方式（弹簧探头，或者去掉探头夹子，用针尖和针尖旁边的“地”点到DS引脚测试），测试下 DS直接电压，更新图片再分析，

如果尖峰还是较高，可以在D脚上串联1个小磁珠抑制电压尖峰，还可以讲驱动电阻更新为33Ω左右。

摘掉探头帽重试了一下，低臂D极是没有负尖峰的，但是G极受震荡干扰确实有负尖峰，下面是低臂D级波形(20V 0.9A输入)：

由于电路要跑到8A，所以串磁珠可能不太好使

要工作到8A，那么电感电流肯定是连续的，关断的时候电流很大，再要减小尖峰只能从MOSFET的DS之间串联RC或者RCD的吸收了。

硬开关的工作，会产生尖峰，是正常的。

还可以在Q1-D和Q2-S之间放上一个薄膜电容（类似金属化聚丙烯电容），1uF或者2.2uF，提供尖峰电压吸收作用。

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电流是连续的，然而尖峰发生在Q1导通瞬间，MOS关断时没有明显尖峰。您两个方法我都试了(RC吸收用22R,100nF)，尖峰会矮那么一丁点但还是超过输入的2倍。这个尖峰带来的最严重问题是干扰G极波形(见上面低臂G极波形的负尖峰)，烧前面的驱动芯片和CPU，我已烧了两块CPU

MOS寄生二极管的恢复时间和结电容很可能是影响尖峰的关键因素，以前看到一个帖子说RC吸收反而使波形变坏我也遇到过

我觉得肯定有解决之道，否则全桥逆变就没法做了，那个输入电压可是接近400V的

下管Q2应该是提前关断的吧，关断了后，并联Q2的二极管D6续流。

可以试试D6和D2用肖特基管3个200V的串联，看看是否因为二极管的特性问题造成的。

对，一般来说Q2肯定要提前关断的，这就是死区的目的。我试过缩小死区以短时间直通为代价确实可以消除尖峰，但这不是办法。D2和D6是我为了增强死区续流能力而添加的，一般是不需要的(寄生二极管可以续流)，我也没看别人这么用过，但去掉D2和D6也不能改善尖峰

这问题困扰我许久，再等一天解决不了我就去花钱请老师了。一楼的失败的PCB我还剩几块，谁要的话我可以免费奉送，不过应该不可能有人要吧

我瞎猜一下，

下管续流的时候，Q1打开，电感的电流减小变成增加，D6还要反向恢复时间，这个瞬间Q1未完全打开，和D2并没有把电感续流的这个电流充到Vin里面去。

导致这个尖峰很高。

如果尖峰是由于D2的速度不够快？应该在D2上并联RC会有点效果的。

或者在Q1-D和Q2-S上增加吸收电容，会有效果。

又按您的方法在D2上并联RC试了一下，还是没用。Q1-D和Q2-S上接CBB电容前天试了，Q2-D波形会变平，但尖峰基本没受影响。在这个电路上各种怪招我都试过，有人说尖峰是VM寄生电感引起，我试过在Q1-S和Q2-D上接CBB电容，没用

准备找老师去，若能解决再来分享解决方案

有几个问题需要搞清楚一下：

1输入电源是怎么来的，测试输入波形了没？

2输出加电感的目的是为了什么？

3为了消除mos的寄生电感电容的影响，用二极管和电容哪个比较合适？

4TVS是吸收瞬间能量的，用在此处是否合适？设计应用场合如何？车载还是工业，消费类？

5 60khz高频下，开关频率对mos性能有何影响，迟滞和反应时间需要如何处理？

我也遇到过类似的问题，在低端MOS的VGS信号关闭后，又有一个干扰突起，MOS管的米勒效应。

改善的方法：

1，在驱动电路里加有源钳位电路，应该是最有效的方案；

2，增加上管栅极驱动电阻，减缓上管导通速度（会降低效率，因此需要折中考虑）；

3，在MOS管的G与S端并电容，吸收掉一些米勒效应的冲击（同样减缓开关速度，会降低效率，因此需要折中考虑）；

4，加RDC吸收网络；

R2,R3用1M的电阻?

我只想知道是不是真的

D1,D4方向不对

D2，D6可以不要

R2，R3太大

D8, D9普通稳压管， 15V就好

几天没来多了那么多回复，非常感谢大家

其实这是一个很经典的问题，我在另一个电源网上看了一堆大师的分析，总的来说这个问题非常棘手，特别是电压高电流大时，尖峰的原因和解决方法不是一两句能说清楚的

现在正在打一块新的测试板，有结果了再来发帖

我有类似产品经验，电压不高，但电流是几十安的，也没有这样的波形