自己设计了一个反激变压器。请大神看看有什么地方不对

由于我是刚刚才学mathcad 那个AP  Lg公式没弄出来 频率是65KHZ

公式上的Pin  我没用 我用的 视在功率Pt

Pin应该是输出功率除以效率。

谢谢版主。没用输出功率，用的视在功率

线径还没计算出来

线径还是根据你计算的圈数和骨架可用的绕线宽度定吧，最好所有绕组都能密绕整层，这样的变压器耦合好，量产一致性好。

电流密度只是一个指数，在合理的范围内就可以了，再者考虑下趋肤效应，电流大的绕组用多根细线代替粗线。

有必要的话适当的微调圈数，让它成为一个方便加工的变压器，好的量产一致性才十最重要的。

谢谢。最近正在看变压器优化方面的。就是有点不明白，比如说我的次级是8匝初级是80匝。这个密绕整层是个什么概念呢？有点不明白希望营长能教教我。

密绕整层，就是铜线紧密排列，整整1层，2层，3层。。。，不要整数层又多出0.3，或0.5层，

假设初级80圈，BMAX260mT, 你按4A/mm2的电流密度选定某直径的铜线，每层可以密绕25圈，于是就绕出了整整3层再多出5圈，这多出的5圈就会影响变压器量产的一致性，吧这5圈散开，次级绕不平整，可能出现分布不均匀，漏感会因为分布不均匀的次级变大，即使次级绕平整了，漏感也会偏大，因为这几圈铜线增大了初次级间的距离。如果吧这多出的圈挤在一起，后面绕线就会出现台阶，次级大部分圈数都会和这5圈在一个水平面上，那这5圈和次级耦合就会很差。

怎么办呢？变圈数，不变圈比，Bmax增加了，看看还能接受不 ？300mT以下都可以，当然越小越好了

直接变圈比，把那多出的5圈不要了，当然，其他参数也变了，再算一遍，看看VOR,Bmax,DMAX还能接受不？

或者简单点，牺牲电流密度，原来取4A，我改6A得了，铜线用细一点点，看看绕玩80圈会不会是正好3层？

这就是我说的优化

看了下你的参数，

反射电压VOR=NP/NS   X   ( Vout+0.7)=127V,有点偏高，不过通常的集成芯片都有建议使用的VOR的，不超出范围就可以了，同样也十低点好，100V左右是最常见的。

K,这个东西小表示电流纹波小，同样的输出功率，K越小电流有效值越小，发热越小，

但是实现起来的成本跟K的数值不是直线关系，我自己做过函数曲线验证过0.66的来历，K小于0.6后对电流有效值基本无影响，且0.6是很难实现的，需要巨大的磁芯，所以0.66是前辈们在成本和性能方面同事考虑取的一个经验值，但也没必要非取0.66，我取0.7，电流有效值大些，铜线粗些又不是不行,DCM下K还等于1呢。

再来谈谈磁芯GAP,太大的GAP会引起GAP附近的铜线发热严重，漏感也会大，耦合也变差，太小的GAP会带来较大的电感量公差，考虑到尽量小的电感公差，GAP要大于0.3mm，这，GAP的最大值，没个准，要看磁芯大小，还有骨架尺寸，总之普通几十W的反激变压器，GAP要是超过2mm，就有点另类了。

总之设计变压器主要靠经验，公式就是拿来给你导出几个关键参数做评估的，看到哪个参数不顺眼，就调整，再计算，直到所有参数都顺眼，变压器体积成本和结构都合适为止，计算的时候无论从哪里开始都可以。

sinwt查表所得是什么参数？

在计算初级匝数与次级匝数时，我不是看得很明白，能否请教下详细的计数公式与方法