准备做一个小功率隔离逆变器，前级采用全桥驱动高频变压器升压，后级采用全桥逆变的拓扑结构。
前后级都采用一个控制芯片(29027)产生PWM，前级产生50%的PWM升压，后级采用SPWM逆变。
因此一共3个地，信号地(SGND)，前级地(FGND)和后级地(RGND)。
举个例子，如下图所示，我暂时采用HCPL2232作为SGND和FGND的隔离；同理，也采用光耦进行SGND和RGND的隔离。
所以，我认为应该加光耦是吧？要不前后地就相连了。
我用的是HCPL2232作为双路光耦，查别人的电路图，有采用HCPL2211单路光耦。
1、这光耦太贵了！因此大家有推荐这里可用的便宜的双路光耦吗？准备频率做到40kHz。单路光耦也可以；
2、有人说加了光耦会增加迟延，但是我觉得这里必须加光耦吧；
3、有光耦和MOS驱动集成在一起的，比如说VO3120，挺便宜，这个能用吗？
