移相全桥ZVS为什么要在IGBT上并接电容？

移相全桥ZVS，既然我们要通过漏感存储的能量，谐振使得IGBT的C-E之间的电容能量给吸收掉，为什么还要在C-E之间并电容呢，这样不是需要的能量更多了，漏感就要更大了么？不理解。我的角度看，系统变压器设计好以后，漏感就定了，漏感定了，我应该选择C-E之间电容越小的开关管越好，这样我能够实现ZVS的Ip电流就能越小，这样就保证了轻载下我也能时间ZVS嘛。只要加电容了，Ip就要求大，这样，只能在负载较重的情况下实现ZVS了。

不知道我的理解哪里不对？谢谢

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米山人家

LV.8

2016-04-28 09:54

并接电容是降低CE间的dv/dt，通过并电容的方式，就可以简单粗暴的过滤掉几乎90%的难题

即使有谐振，可以保证CE间的过零开通，但是首脉冲，谐振没建立之前，这个电容就更加重要

当然，并接电容只是初级，不得已的手段，如果要完全解决问题，需要更复杂的方式

电源网-璐璐

LV.10

2016-04-28 11:05

@米山人家

并接电容是降低CE间的dv/dt，通过并电容的方式，就可以简单粗暴的过滤掉几乎90%的难题即使有谐振，可以保证CE间的过零开通，但是首脉冲，谐振没建立之前，这个电容就更加重要当然，并接电容只是初级，不得已的手段，如果要完全解决问题，需要更复杂的方式

抢到沙发，还这么详细的解答，点赞

中郎湖江

LV.5

2016-05-01 10:10

保证igbt过零

f2812

LV.4

2016-05-19 15:32

@米山人家

你好，但是，并电容的话，当IGBT开通的时候，电容的能力是不是要通过IGBT释放掉的，这样的话，IGBT的导通损耗和电流应力不是加大了么？

gdengh

LV.1

2016-09-21 19:53

并联电容后，管子关断时，管子两端电压被电容钳位几乎是0，实现ZVS。若没电容，管子关断的暂态，电压由0变为Vdc，损耗很大。

感觉楼主还没有理解移相全桥，建议多看看资料。

gdengh

LV.1

2016-09-21 19:58

@f2812

你好，但是，并电容的话，当IGBT开通的时候，电容的能力是不是要通过IGBT释放掉的，这样的话，IGBT的导通损耗和电流应力不是加大了么？

第一个脉冲电容电才通过IGBT释放，之后电容能量是通过漏感放掉，当IGBT反并联二极管导通，IGBT两端电压为0才开通，即ZVS，电容能量并没有通过IGBT放掉。

shiyijianqingxin

LV.2

2016-09-22 09:27

同意2L说的，如果没有并联电容得话，IGBT开关的时候dv/dv就会很大了，不过我也有一个疑问为什么单管方案中IGBT一般都没有并联这个吸收尖峰的电容呢

hua7798

LV.1

2017-05-21 23:12

@shiyijianqingxin

同意2L说的，如果没有并联电容得话，IGBT开关的时候dv/dv就会很大了，不过我也有一个疑问为什么单管方案中IGBT一般都没有并联这个吸收尖峰的电容呢

我也是一直在纳闷，单管并联工作基本都没有加这个吸收电容，但是半桥模块基本都有加吸收电容，这是为什么呢

xiashengcheng

2017-06-06 23:49

CE间并电容是为了吸收感性负载在关断的时候产生的反相电压尖峰的，

就好像交流接触器带动电动机的时候当接触器断电的时候触点分开产生的电弧一样，而在电子管里就是反相电动势即反相电压

Marchspring

LV.1

2018-02-08 15:02

@米山人家

我也有和楼主相同的疑问。

认同你电容改善IGBT dv/dt的理解，通常工程上也通过降低线路电感以省去CE间电容器。

但关于楼主的问题呢？还盼指点。谢谢！

hth219

LV.3

2018-03-06 16:23

@xiashengcheng

CE间并电容是为了吸收感性负载在关断的时候产生的反相电压尖峰的，就好像交流接触器带动电动机的时候当接触器断电的时候触点分开产生的电弧一样，而在电子管里就是反相电动势即反相电压

请教要并多大的电容，0.1微法差不多？还是看输出功率？如果输出功率是变化的怎么办？最大输出功率72KW

hotsauce

LV.1

2021-02-12 22:50

个人觉得并电容可以降低管子dv/dt的开关应力，也能降低PCB上的一些干扰，其次，死区时间的配比问题，谐振电感与MOSFET的结电容的谐振周期往往和死区时间并不是配比的完全完美，那么需要在保证死区可靠性的同时，尽量使得MOSFET在谷底开通，哪怕是轻载的时候也能在DS谐振最小值开通，那么这个周期就需要L和C的参数配比了，通过计算和实验进行调整