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产品EMI还是不过，想动变压器，高手移步指点下

手上有个案子，90V-265Vac输入,5Vdc-12A多USB输出，产品老化温度高，常温下高压MOS 125度，变压器118度，超标了. EMI测试效果也不尽人意（效果详见附件图）。综合总体情况评估应该是变压器没设计好，所以在此征集各位高手建议，帮忙看看要怎么修改，附上原理图、变压器绕线。还望个各位不吝赐教！谢谢

经过两天的大家积极的解答，总的来说还是变压器和MOS问题，用平面MOS EMI 是OK的，但是温升又是一旦难题，所以还是希望大家给出变压器的整改意见！谢谢~！

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417zhouge
2
2016-01-25 12:39
输出是否有共模电感，可以试试改输出共模电感。
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xiecaijin
LV.2
3
2016-01-25 13:38
@417zhouge
输出是否有共模电感，可以试试改输出共模电感。
输出板面限制，加上是6USB输出。所以没有放地共模电感！
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假专家
LV.3
4
2016-01-25 14:41
@xiecaijin
输出板面限制，加上是6USB输出。所以没有放地共模电感！
从辐射的波形上看加共模也解决不了150-200M频段超标的问题（需要调整一下变压器绕线方式），当然和你的PCB布局有一定的关联，变压器温度也高，这个案子基本可以判定FAIL了，需要重新开始，变压器至少在40度环境下测试满足105才能说是正常范围（90VAC输入），变压器可以选择PQ2620 初级36 次级3T 电感量600-650uH之间是比较合理，输出铜箔整流可以用MPS6901 6902都可以。辐射这一块需要注意PCB布局
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旧时光丶少年
LV.4
5
2016-01-25 14:49
LZ 这是用的哪家的方案？
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443233785
LV.6
6
2016-01-25 17:04

以下三个思路，望对楼主有用：

1.加大MOS散热面积  2..R17用47R，R18用0R ；/D7二极管恢复时间用快一点的

2..变压器温度高，初级改成0.3*2的漆包线，辐射问题，N2改成线屏蔽 

3..调整Y电容走线

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hh918
LV.6
7
2016-01-25 17:24
@443233785
以下三个思路，望对楼主有用：1.加大MOS散热面积 2..R17用47R，R18用0R；/D7二极管恢复时间用快一点的2..变压器温度高，初级改成0.3*2的漆包线，辐射问题，N2改成线屏蔽 3..调整Y电容走线
温度那么高效率是多少？
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xiecaijin
LV.2
8
2016-01-25 20:06
@假专家
从辐射的波形上看加共模也解决不了150-200M频段超标的问题（需要调整一下变压器绕线方式），当然和你的PCB布局有一定的关联，变压器温度也高，这个案子基本可以判定FAIL了，需要重新开始，变压器至少在40度环境下测试满足105才能说是正常范围（90VAC输入），变压器可以选择PQ2620初级36次级3T电感量600-650uH之间是比较合理，输出铜箔整流可以用MPS69016902都可以。辐射这一块需要注意PCB布局
修改变压器事小，要大动板就麻烦了，现在变压器用的是PQ3220了，不知您建议的“ 初级36 次级3T 电感量600-650uH之间”要怎么个绕法对辐射和温升好，还望指点。现在后端用的是MPS的6902同步整流，效率不是很高，90V-87.2%  264-88.7%。
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xiecaijin
LV.2
9
2016-01-25 20:08
@443233785
以下三个思路，望对楼主有用：1.加大MOS散热面积 2..R17用47R，R18用0R；/D7二极管恢复时间用快一点的2..变压器温度高，初级改成0.3*2的漆包线，辐射问题，N2改成线屏蔽 3..调整Y电容走线
谢谢你的关注：MOS驱动电阻R17改47R有试过，没什么效果。R18放电电阻改0R没有试过哎，放0R可以吗？
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xiecaijin
LV.2
10
2016-01-25 20:08
@443233785
以下三个思路，望对楼主有用：1.加大MOS散热面积 2..R17用47R，R18用0R；/D7二极管恢复时间用快一点的2..变压器温度高，初级改成0.3*2的漆包线，辐射问题，N2改成线屏蔽 3..调整Y电容走线
谢谢你的关注：MOS驱动电阻R17改47R有试过，没什么效果。R18放电电阻改0R没有试过哎，放0R可以吗？
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hwx-555
LV.8
11
2016-01-26 08:12
N7移动N3与N4之间
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电源网-fqd
12
2016-01-26 10:01
加个头条，大家一起来帮帮楼主哦
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mht820413
LV.6
13
2016-01-26 10:25
@电源网-fqd
加个头条，大家一起来帮帮楼主哦

判断为开关过快引起的。

1 Vds加  10-100PF/1000V电容。

2 改动驱动电路。

3 VCC电压做到11-14V。

4 外置MOS的话D脚可以接磁珠。

5搞变压器吧，共模搞搞。还不行找IC厂家搞吧，还不行换方案吧，前提是你PCB搞的也没有问题。

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xiecaijin
LV.2
14
2016-01-26 10:56
@mht820413
判断为开关过快引起的。1Vds加 10-100PF/1000V电容。2改动驱动电路。3VCC电压做到11-14V。4外置MOS的话D脚可以接磁珠。5搞变压器吧，共模搞搞。还不行找IC厂家搞吧，还不行换方案吧，前提是你PCB搞的也没有问题。
谢谢你的关注，正愁变压器要怎么改呢？
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xiecaijin
LV.2
15
2016-01-26 10:56
@电源网-fqd
加个头条，大家一起来帮帮楼主哦
谢谢司令！
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假专家
LV.3
16
2016-01-26 13:31
@xiecaijin
谢谢司令！
不是驱动引起的，DS之间加电容，应该能解决，但是会损失很大一部分效率，把PCB图放上来
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Rachelmi
LV.9
17
2016-01-26 13:44
@假专家
不是驱动引起的，DS之间加电容，应该能解决，但是会损失很大一部分效率，把PCB图放上来
对呀 ，还行
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liu_yaer
LV.6
18
2016-01-26 15:14
@Rachelmi
对呀，还行
HFC0500+MP6902 5V12A: 改变压器为主，MPS有5V-10A的变压器参考绕法可以试试，次级同步整流换颗MOS试试，PDP4960：40V 3.8毫欧 150A（我司有），MP6902一定要注意放在VSS-PGND主环路之外，否则Vg和Vd会受到影响导致Vgs波形异常，效率低，海翼有给ANKER用MP6901做过一款5V-12A，MP6902 EN脚可悬空，比MP6901多了空载休眠模式，空载电流小于300uA，非常适用于超低功耗，并兼容全球能效标准。
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Rachelmi
LV.9
19
2016-01-26 15:41
@liu_yaer
HFC0500+MP69025V12A:改变压器为主，MPS有5V-10A的变压器参考绕法可以试试，次级同步整流换颗MOS试试，PDP4960：40V3.8毫欧150A（我司有），MP6902一定要注意放在VSS-PGND主环路之外，否则Vg和Vd会受到影响导致Vgs波形异常，效率低，海翼有给ANKER用MP6901做过一款5V-12A，MP6902EN脚可悬空，比MP6901多了空载休眠模式，空载电流小于300uA，非常适用于超低功耗，并兼容全球能效标准。

有道理

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xiecaijin
LV.2
20
2016-01-26 16:06
@liu_yaer
HFC0500+MP69025V12A:改变压器为主，MPS有5V-10A的变压器参考绕法可以试试，次级同步整流换颗MOS试试，PDP4960：40V3.8毫欧150A（我司有），MP6902一定要注意放在VSS-PGND主环路之外，否则Vg和Vd会受到影响导致Vgs波形异常，效率低，海翼有给ANKER用MP6901做过一款5V-12A，MP6902EN脚可悬空，比MP6901多了空载休眠模式，空载电流小于300uA，非常适用于超低功耗，并兼容全球能效标准。

变压器就是MPS工程提供的，现在他们自己都解决不了！

PS：我用的是11N65的COOL MOS

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hwx-555
LV.8
21
2016-01-26 16:29
@xiecaijin
变压器就是MPS工程提供的，现在他们自己都解决不了！PS：我用的是11N65的COOLMOS
N7这个次级你弄到后面绕，前面加了屏蔽也没多大用处
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liu_yaer
LV.6
22
2016-01-26 17:09
@xiecaijin
变压器就是MPS工程提供的，现在他们自己都解决不了！PS：我用的是11N65的COOLMOS
尽量用普通MOS，我司有10N65的，COOL Qg很大吧，变压器试一试次级反打
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覃工2008
LV.2
23
2016-01-26 17:48
@假专家
从辐射的波形上看加共模也解决不了150-200M频段超标的问题（需要调整一下变压器绕线方式），当然和你的PCB布局有一定的关联，变压器温度也高，这个案子基本可以判定FAIL了，需要重新开始，变压器至少在40度环境下测试满足105才能说是正常范围（90VAC输入），变压器可以选择PQ2620初级36次级3T电感量600-650uH之间是比较合理，输出铜箔整流可以用MPS69016902都可以。辐射这一块需要注意PCB布局

变压器NP/NS=75/6,    36/3=75/6,这位兄台的扎比可以拭一下，用初次初屏蔽反馈的层次方法绕，调试磁芯外层加屏蔽试试，这没有一定的算法，加大共差模X电容，减小驱动，调低频率。关键你这个变压器我不明拍为什么分这么多层，藕合性会下降很多，VCC电压要控制在11-15V内。VCC供电用慢管，75nS-以上的。

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chuangmao
LV.7
24
2016-01-26 17:54
@xiecaijin
变压器就是MPS工程提供的，现在他们自己都解决不了！PS：我用的是11N65的COOLMOS
我做了在一个5V12A的，过了CE和FCC认证，如果你用COOL MOS和现在的变压器参数，EMC和温升一定过不了。改用常规MOS NDF10N60ZG（安森美的），变压器铜线线径加粗，再配合其他整改，过EMC问题不大。
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xiecaijin
LV.2
25
2016-01-26 18:28
@chuangmao
我做了在一个5V12A的，过了CE和FCC认证，如果你用COOLMOS和现在的变压器参数，EMC和温升一定过不了。改用常规MOSNDF10N60ZG（安森美的），变压器铜线线径加粗，再配合其他整改，过EMC问题不大。

10N65就可以啊，我之前普通MOS用到20N温度也下不来！

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anhui8290759
LV.2
26
2016-01-27 08:33
@xiecaijin
10N65就可以啊[图片]，我之前普通MOS用到20N温度也下不来！
兄弟，我认为你还是先的解决热问题，在结构与元件选型上下，这样的温度就算EMI解决了，也无法生产了。
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Rachelmi
LV.9
27
2016-01-27 09:47
@anhui8290759
兄弟，我认为你还是先的解决热问题，在结构与元件选型上下，这样的温度就算EMI解决了，也无法生产了。
怎么会出现这种问题呢，好奇
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wt.liu
LV.5
28
2016-01-27 14:15
开关频率是多少？降低开关频率可以减小开关损坏。
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liu_yaer
LV.6
29
2016-01-27 15:35
@wt.liu
开关频率是多少？降低开关频率可以减小开关损坏。
65K  开关损耗不大
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chuangmao
LV.7
30
2016-02-15 15:14
@xiecaijin
10N65就可以啊[图片]，我之前普通MOS用到20N温度也下不来！
满载低压端效率在85%，高压端在86%，最大功耗10W的样子，温度不会很高。关健是要用合适的同步MOS管和变压器参数调整，安森美的这个MOS，对EMC有很大帮助。
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mazongjun
LV.1
31
2016-02-16 14:55
学习了
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工程师都在看
求助：有没有大佬帮我解答一下逆变器的疑惑╰(*°▽°*)╯
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搞定灯具温升测试，看这篇文章足够了
砖一谈芯
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