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【技术盛宴】 深入了解开关电源中的二极管

        工作原因,很久没有发帖了。最近下班回家,回顾了一下当年的课本《半导体功率器件》一书,略有体会,借此机会,和大家一起学习讨论一下。在这里首先看看相对简单的二极管,后续如有机会,继续讨论BJT,MOSFET。

        1. 该贴期望以楼主自问自达或者你问我答的形式进行(楼主学识经验不足,答不上来的大家一起讨论,答错了的恳求各位指正)

        2. 该贴旨在让经验型的电源工程师从理论上上更了解器件机理,让学院派接触到实际设计中需要考虑的问题。

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2015-11-19 22:35

首先抛出几个问题:

1.肖特基二极管和快恢复二极管有什么区别?

2.反向恢复时间到底是怎么回事?

3.二极管的功耗算平均电流还是有效值电流?

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2015-11-19 22:35
@rj44444
首先抛出几个问题:1.肖特基二极管和快恢复二极管有什么区别?2.反向恢复时间到底是怎么回事?3.二极管的功耗算平均电流还是有效值电流?
占楼
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2015-11-19 23:51
@rj44444
首先抛出几个问题:1.肖特基二极管和快恢复二极管有什么区别?2.反向恢复时间到底是怎么回事?3.二极管的功耗算平均电流还是有效值电流?

先谈谈第一个问题:

从根本上说,肖特基二极管和快恢复二极管在物理结构上是不一样的。肖特基二极管的阳极是金属,阴极是N型半导体;快恢复二极管基本结构仍然是普通的PIN二极管,即阴阳极分别为N和P型半导体。物理结构决定了两者的电特性。

1. 耐压较低(通常150V以下),同等耐压,相同电流下,肖特基二极管的正向压降低于快恢复二极管。

看图,同样耐压50V的SS15和ES1A在1A下,SS15的Vf约0.65V,ES1A的Vf约0.85V。

2. 肖特基二极管载流子只有电子,数多子器件理论上没有反向恢复时间,而快恢复二极管本质上和PIN二极管一样,是少子器件的反向恢复时间通常在几十到几百ns。具体什么是反向恢复,在2贴的问题2中将详细讨论。

3. 额定反向耐压下,快恢复二极管的反向漏电流较小,通常在几uA到几十uA;肖特基二极管的反向漏电流则通常达到几百uA到几十mA,且随温度升高急剧增大。

大家继续补充。

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2015-11-20 08:18
@rj44444
先谈谈第一个问题:从根本上说,肖特基二极管和快恢复二极管在物理结构上是不一样的。肖特基二极管的阳极是金属,阴极是N型半导体;快恢复二极管基本结构仍然是普通的PIN二极管,即阴阳极分别为N和P型半导体。物理结构决定了两者的电特性。1.耐压较低(通常150V以下),同等耐压,相同电流下,肖特基二极管的正向压降低于快恢复二极管。看图,同样耐压50V的SS15和ES1A在1A下,SS15的Vf约0.65V,ES1A的Vf约0.85V。[图片][图片]2.肖特基二极管载流子只有电子,数多子器件理论上没有反向恢复时间,而快恢复二极管本质上和PIN二极管一样,是少子器件的反向恢复时间通常在几十到几百ns。具体什么是反向恢复,在2贴的问题2中将详细讨论。3.额定反向耐压下,快恢复二极管的反向漏电流较小,通常在几uA到几十uA;肖特基二极管的反向漏电流则通常达到几百uA到几十mA,且随温度升高急剧增大。大家继续补充。

支持楼主,还有个成本区别。顺便加几个问题进去。

同样电流的肖特基和快恢复,里面的晶圆尺寸区别大吗?

为什么有的二极管温度有的是150℃,有的175℃,有的125℃?厂家通过什么方面区别。

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2015-11-20 09:40
给你一个大大的赞!稀罕这帖子,加热门咯~
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2015-11-20 23:19
@417zhouge
支持楼主,还有个成本区别。顺便加几个问题进去。同样电流的肖特基和快恢复,里面的晶圆尺寸区别大吗?为什么有的二极管温度有的是150℃,有的175℃,有的125℃?厂家通过什么方面区别。

这两个问题,立马问倒我了。

第一个问题,我回头求助一下相关专业人士再来回复。

第二个问题,决定最高工作温度的,更多是封装材料和封装工艺,而非半导体本身。对于Si材料,175度通常是没有问题的,SiC和GaN材料,耐温就更高了。

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2015-11-22 13:15
顶一个啊,话说逆变全桥死区时间需要续流的,可不可以靠MOSFET内部的寄生二极管呢,这个寄生二极管反向恢复时间是很影响效率,我的疑问是它跟逆变器容性负载有没有关联,比如LCL滤波参数中的C选的稍微大点,直接影响就是全桥炸管,是不是寄生二极管反向恢复时间过长所致?
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443233785
LV.6
9
2015-11-22 16:22

楼主大大,有一问题困扰许久:

肖特基损坏除了热击穿、反向耐压不足损坏以外,请问还有其它什么条件会导致其损坏呢?ESD?还是?还望前辈能提点一二

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2015-11-22 16:31
@yalishandafei
顶一个啊,话说逆变全桥死区时间需要续流的,可不可以靠MOSFET内部的寄生二极管呢,这个寄生二极管反向恢复时间是很影响效率,我的疑问是它跟逆变器容性负载有没有关联,比如LCL滤波参数中的C选的稍微大点,直接影响就是全桥炸管,是不是寄生二极管反向恢复时间过长所致?
MOSFET的体二极管反向恢复时间通常是比较长的,即使是经过优化的快恢复系列,高压管子通常也有百ns级的恢复时间,一定程度影响效率。全桥炸管,多数是直通导致,例如dv/dt过大导致Cgd耦合到Vgs的电压达到Vgsth,或者导致MOSFET内部寄生的BJT导通等。
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2015-11-22 16:37
@443233785
楼主大大,有一问题困扰许久:肖特基损坏除了热击穿、反向耐压不足损坏以外,请问还有其它什么条件会导致其损坏呢?ESD?还是?还望前辈能提点一二
二极管这种东西,被ESD打坏的可能性是很小的。肖特基最常见的实效就是反向耐压击穿和热击穿。
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2015-11-22 23:48
@rj44444
首先抛出几个问题:1.肖特基二极管和快恢复二极管有什么区别?2.反向恢复时间到底是怎么回事?3.二极管的功耗算平均电流还是有效值电流?

第二个问题,反向恢复时间是怎么回事?

反向恢复时间基本的定义是:二极管从导通状态转换成关断状态所需的时间。

从定义可以看出,二极管导通状态下突然施加一个反偏电压,它是不能马上截止的。我们从根本上来看看这是为什么。

上面这个图就是我们最常用的PN结二极管最基本结构。其中重掺杂的P型半导体作为阳极,重掺杂的N型半导体作为阴极,为了承受更高的反向耐压,中间有一段较长的区域为接近本征半导体的轻掺杂N型区域。

PN结加正偏电压时,在电场作用下,P区的空穴向N区扩散,N区的电子向P区扩散,于是形成正向电流。对于P区而言,N区过来的电子是少子,同样对于N区而言,P区过来的空穴也是少子。因此,PN结二极管实际上是通过少子来传送电流的,即少子器件。

可见,在正向导通的时候,P区存在大量电子,N区存在大量空穴。

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zmey
LV.1
13
2015-11-23 10:56
@rj44444
先谈谈第一个问题:从根本上说,肖特基二极管和快恢复二极管在物理结构上是不一样的。肖特基二极管的阳极是金属,阴极是N型半导体;快恢复二极管基本结构仍然是普通的PIN二极管,即阴阳极分别为N和P型半导体。物理结构决定了两者的电特性。1.耐压较低(通常150V以下),同等耐压,相同电流下,肖特基二极管的正向压降低于快恢复二极管。看图,同样耐压50V的SS15和ES1A在1A下,SS15的Vf约0.65V,ES1A的Vf约0.85V。[图片][图片]2.肖特基二极管载流子只有电子,数多子器件理论上没有反向恢复时间,而快恢复二极管本质上和PIN二极管一样,是少子器件的反向恢复时间通常在几十到几百ns。具体什么是反向恢复,在2贴的问题2中将详细讨论。3.额定反向耐压下,快恢复二极管的反向漏电流较小,通常在几uA到几十uA;肖特基二极管的反向漏电流则通常达到几百uA到几十mA,且随温度升高急剧增大。大家继续补充。

肖特基的耐压通常最高做到200V(但是台湾的竹懋和PFC品牌据说可以做到300V,而且VF值只有0.3几)其实肖特基的反向恢复时间快,无非就是它的芯片做的非常薄(电流跟晶圆面积大小有关,耐压根晶圆厚度有关),通俗一点讲是A到B之间的距离较短。而超快恢复(SF,MUR,ER系列)的耐压可以做到600V,快恢复(FR,HER,RS系列)的耐压可以做到1000V

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2015-11-23 15:45
@zmey
肖特基的耐压通常最高做到200V(但是台湾的竹懋和PFC品牌据说可以做到300V,而且VF值只有0.3几)其实肖特基的反向恢复时间快,无非就是它的芯片做的非常薄(电流跟晶圆面积大小有关,耐压根晶圆厚度有关),通俗一点讲是A到B之间的距离较短。而超快恢复(SF,MUR,ER系列)的耐压可以做到600V,快恢复(FR,HER,RS系列)的耐压可以做到1000V

并不是肖特基的耐压最高只能做到200V,而是因为硅材料的肖特基二极管,耐压做到200V以上时,Vf相对于快恢复没有优势,并且反向漏电流非常大。

耐压300V,Vf 0.3V的肖特基二极管没有听说过,理论上是不太可能的。

肖特基没有反向恢复,是因为载流子全部为电子,没有抽取少子所需的时间。

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zmey
LV.1
15
2015-11-23 17:17
@rj44444
并不是肖特基的耐压最高只能做到200V,而是因为硅材料的肖特基二极管,耐压做到200V以上时,Vf相对于快恢复没有优势,并且反向漏电流非常大。耐压300V,Vf0.3V的肖特基二极管没有听说过,理论上是不太可能的。肖特基没有反向恢复,是因为载流子全部为电子,没有抽取少子所需的时间。
谢谢!学到不少
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2015-11-23 20:14
@417zhouge
支持楼主,还有个成本区别。顺便加几个问题进去。同样电流的肖特基和快恢复,里面的晶圆尺寸区别大吗?为什么有的二极管温度有的是150℃,有的175℃,有的125℃?厂家通过什么方面区别。

同样耐压,同样电流的二极管,PIN的占用wafer面积要远小于肖特基二极管。

这是器件方面专业人士的答复。

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2015-11-24 00:03
@rj44444
第二个问题,反向恢复时间是怎么回事?反向恢复时间基本的定义是:二极管从导通状态转换成关断状态所需的时间。从定义可以看出,二极管导通状态下突然施加一个反偏电压,它是不能马上截止的。我们从根本上来看看这是为什么。[图片]上面这个图就是我们最常用的PN结二极管最基本结构。其中重掺杂的P型半导体作为阳极,重掺杂的N型半导体作为阴极,为了承受更高的反向耐压,中间有一段较长的区域为接近本征半导体的轻掺杂N型区域。PN结加正偏电压时,在电场作用下,P区的空穴向N区扩散,N区的电子向P区扩散,于是形成正向电流。对于P区而言,N区过来的电子是少子,同样对于N区而言,P区过来的空穴也是少子。因此,PN结二极管实际上是通过少子来传送电流的,即少子器件。可见,在正向导通的时候,P区存在大量电子,N区存在大量空穴。

下面以CCM的boost为例,结合仿真来分析一下二极管的反向恢复问题。

仿真参数如图所示,下面给出稳态下一个周期的仿真结果图:

其中V002为MOSFET的Vgs,V(N003,N002)为二极管的Vka,Id(M1)为MOSFET的漏极电流,I(D1)为二极管的阳极流入电流。

当新的开关周期到来,MOSFET驱动电压上升,电感电流开始从MOSFET流过,由于电感电流在短时间内基本不变,因此二极管开始流过的电流开始减小。二极管电流减小到0的时刻即为反向恢复开始的时刻。

由于二极管内部存储的少子导致二极管不能阻断电流,随着MOSFET驱动电压的上升,MOSFET DS之间回路阻抗降低,二极管开始反向流过电流,即少子一反相电流的形式被抽取,直到MOSFET DS之间电压开始下降(开始进入米勒平台),即二极管开始电压开始反偏时,反向电流达到最大值。

此后,反向电流开始减小,二极管反偏电压开始升高,直到MOSFET Vds下降到0,二极管承受全部的反向电压。

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2015-11-24 00:08
@rj44444
下面以CCM的boost为例,结合仿真来分析一下二极管的反向恢复问题。[图片]仿真参数如图所示,下面给出稳态下一个周期的仿真结果图:[图片]其中V002为MOSFET的Vgs,V(N003,N002)为二极管的Vka,Id(M1)为MOSFET的漏极电流,I(D1)为二极管的阳极流入电流。当新的开关周期到来,MOSFET驱动电压上升,电感电流开始从MOSFET流过,由于电感电流在短时间内基本不变,因此二极管开始流过的电流开始减小。二极管电流减小到0的时刻即为反向恢复开始的时刻。由于二极管内部存储的少子导致二极管不能阻断电流,随着MOSFET驱动电压的上升,MOSFETDS之间回路阻抗降低,二极管开始反向流过电流,即少子一反相电流的形式被抽取,直到MOSFETDS之间电压开始下降(开始进入米勒平台),即二极管开始电压开始反偏时,反向电流达到最大值。此后,反向电流开始减小,二极管反偏电压开始升高,直到MOSFETVds下降到0,二极管承受全部的反向电压。

从仿真图可以看出,反向恢复过程中,二极管流过较大的反向电流同时承受了较大的反向电压,因此造成了很大的反向恢复损耗。在CCM PFC中,为了降低这个损耗,通常的超快恢复二极管(标称反向恢复时间十几到几十ns)仍然差强人意,需要用到SiC二极管。常用的SiC二极管通常是肖特基结构,反向恢复时间远低于PIN二极管。

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yhqagain
LV.5
19
2015-11-24 15:35
@rj44444
二极管这种东西,被ESD打坏的可能性是很小的。肖特基最常见的实效就是反向耐压击穿和热击穿。

普通二极管对ESD并不敏感,但肖特基二极管最怕ESD了,光伏电池板生产厂家车间必须要做好防静电措施,其电池板接线盒内部的肖特基二极管耐压只有几十伏,静电防护不好,极易将其打坏!

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2015-11-24 17:46
@yhqagain
普通二极管对ESD并不敏感,但肖特基二极管最怕ESD了,光伏电池板生产厂家车间必须要做好防静电措施,其电池板接线盒内部的肖特基二极管耐压只有几十伏,静电防护不好,极易将其打坏!
不知道你说的肖特基二极管是什么功率等级的, 分立的肖特基二极管, 对ESD是不敏感的.
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sun6588
LV.3
21
2015-11-25 12:40
@417zhouge
支持楼主,还有个成本区别。顺便加几个问题进去。同样电流的肖特基和快恢复,里面的晶圆尺寸区别大吗?为什么有的二极管温度有的是150℃,有的175℃,有的125℃?厂家通过什么方面区别。

对于芯片的结温:1.晶园厂对芯片对应等级进行设计;2.选用的芯片的原材料;3.芯片生产的工艺;4.封装厂选用对用等级的芯片:125、150、175生产对应的产品型号,一般产品规格书中都会给出,供参考;

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yhqagain
LV.5
22
2015-11-26 12:02
@rj44444
不知道你说的肖特基二极管是什么功率等级的,分立的肖特基二极管,对ESD是不敏感的.
肖特基二极管对ESD是非常敏感的,这一点在实际运用中已经得到验证,太阳能电池板组件后面接线盒内部的肖特基二极管其功率也是蛮大的,其正向电流都是大于10A的
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2015-11-26 12:07
@yhqagain
肖特基二极管对ESD是非常敏感的,这一点在实际运用中已经得到验证,太阳能电池板组件后面接线盒内部的肖特基二极管其功率也是蛮大的,其正向电流都是大于10A的
你遇到了ESD打坏的案例?场景是什么?
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sun6588
LV.3
24
2015-11-27 12:31
@yhqagain
肖特基二极管对ESD是非常敏感的,这一点在实际运用中已经得到验证,太阳能电池板组件后面接线盒内部的肖特基二极管其功率也是蛮大的,其正向电流都是大于10A的
ESD击穿的概念是从早期的CMOS导引过来的,因MOS器件的原理:是电压开启模式,输入阻抗为:10的7-15次方欧,故对静电要求比较高,对普通的元器件来说,ESD是非常的不敏感,这个方面军长说的对!供参考
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yhqagain
LV.5
25
2015-11-27 13:40
@rj44444
你遇到了ESD打坏的案例?场景是什么?
我每个月会遇到一些案列,均为ESD失效,我们这里说的可能更多认为是静电造成,我是肖特基二极管生产厂家的应用工程师,不知道我们有没有把ESD与EOS这两个概念搞混了哦!
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2015-11-27 14:32
@yhqagain
我每个月会遇到一些案列,均为ESD失效,我们这里说的可能更多认为是静电造成,我是肖特基二极管生产厂家的应用工程师,不知道我们有没有把ESD与EOS这两个概念搞混了哦!
不应该是ESD造成的。
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2015-11-27 14:34
@sun6588
ESD击穿的概念是从早期的CMOS导引过来的,因MOS器件的原理:是电压开启模式,输入阻抗为:10的7-15次方欧,故对静电要求比较高,对普通的元器件来说,ESD是非常的不敏感,这个方面军长说的对!供参考
对,低压MOS器件,栅氧介质非常薄,才容易被ESD打坏。
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yhqagain
LV.5
28
2015-11-27 15:12
@rj44444
不应该是ESD造成的。
失效模式加上对失效点的物质成分分析得出结论就是ESD造成,通过再现性来验证!
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yhqagain
LV.5
29
2015-11-27 15:17
@rj44444
对,低压MOS器件,栅氧介质非常薄,才容易被ESD打坏。

反向耐压只有几十伏的肖特基二极管很容易被感知的ESD打坏,能够感知的ESD,其电压至少大于2KV!

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goupanda
LV.1
30
2015-11-30 10:19

长知识,好贴

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2015-11-30 18:42
@rj44444
首先抛出几个问题:1.肖特基二极管和快恢复二极管有什么区别?2.反向恢复时间到底是怎么回事?3.二极管的功耗算平均电流还是有效值电流?
第三点还没有看到再详细的说明哦
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