寄生电容对mosfet的影响

最近遇到一个问题，mosfet的寄生电容对其有什么影响？望群里的老师们指点一二，比如Cgs，Cds，有详细的资料更好

全部回复(10)

只看楼主

正序查看

倒序查看

牵只蚂蚁散步

LV.5

2015-10-09 11:00

给你简单介绍下，MOS三个电极间的寄生电容分别有Cgd,Cgs,Cds.这三个电容在开关电源的应用中影响着驱动损耗，开关损耗，开关速度。

Cgd，Cgs影响着驱动损耗和开关速度，他们的总和称为Ciss，即MOS的输入电容。

同时，Cgd,Cds的寄生电容在开关时会充放电，也会影响到开关速度和损耗。他们的总和称为Coss,即MOS的输出电容。一般AC-DC的应用，MOS上的电压较高，工作频率也上到几十到100K左右，小的Cds,Cgd也会造成较大的损耗，在高效率应用时，选择MOS时不仅要看Rdson，还要注意MOS的Coss带来的开关损耗。超结MOS同一般的平面工艺MOS有着更低的输入电容和输出电容，同时Rdson也更低。无锡新洁能的超结MOS产品介绍截图供你参考！

老梁头

LV.10

2015-10-09 15:03

@牵只蚂蚁散步

给你简单介绍下，MOS三个电极间的寄生电容分别有Cgd,Cgs,Cds.这三个电容在开关电源的应用中影响着驱动损耗，开关损耗，开关速度。Cgd，Cgs影响着驱动损耗和开关速度，他们的总和称为Ciss，即MOS的输入电容。同时，Cgd,Cds的寄生电容在开关时会充放电，也会影响到开关速度和损耗。他们的总和称为Coss,即MOS的输出电容。一般AC-DC的应用，MOS上的电压较高，工作频率也上到几十到100K左右，小的Cds,Cgd也会造成较大的损耗，在高效率应用时，选择MOS时不仅要看Rdson，还要注意MOS的Coss带来的开关损耗。超结MOS同一般的平面工艺MOS有着更低的输入电容和输出电容，同时Rdson也更低。无锡新洁能的超结MOS产品介绍截图供你参考！[图片][图片]

http://www.dianyuan.com/bbs/1508625.html